1.本实用新型属于芯片封装技术领域，特别涉及一种存储芯片的封装结构。
背景技术：
2.封装，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把铸造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体；
3.存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用；
4.而存储芯片在进行制作时也需要进行封装处理，但是现有技术新型的该存储芯片封装的信息保密能力差，并且引脚强度低而容易损坏的问题。
技术实现要素：
5.(一)要解决的技术问题
6.为了克服现有技术不足，现提出一种存储芯片的封装结构，以解决该存储芯片封装的信息保密能力差，并且引脚强度低而容易损坏的问题，通过采用屏蔽方式以大大提高信息保密能力的有益效果；并且加设受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。
7.(二)技术方案
8.本实用新型通过如下技术方案实现：本实用新型提出了一种存储芯片的封装结构，包括存储芯片主体、封密装置和引电装置，所述存储芯片主体外侧设置有封密装置，所述封密装置前后两端对称设置有引电装置，所述引电装置内侧与存储芯片主体固定连接。
9.进一步的，所述封密装置包括内壳层、导电涂层和外壳层，所述内壳层外侧设置有导电涂层，所述导电涂层外侧设置有外壳层，所述内壳层内侧设置有存储芯片主体。
10.进一步的，所述引电装置包括内接条、引脚部和加固条，所述内接条外侧与引脚部一体成型，所述引脚部内侧中部一体成型有加固条，所述内接条同时贯穿内壳层和外壳层内外两侧，并且内接条均与内壳层和外壳层过盈配合，所述内接条内侧与存储芯片主体锡焊，所述加固条外表面内侧固定嵌入外壳层外侧。
11.进一步的，所述内接条设置有两组且其对称设置于存储芯片主体前后两端。
12.进一步的，所述内接条外表面与导电涂层不接触。
13.进一步的，所述引电装置的材质为硬质导电材料。
14.(三)有益效果
15.本实用新型相对于现有技术，具有以下有益效果：
16.1)、为解决该存储芯片封装的信息保密能力差的问题，通过在存储芯片主体外侧设置封密装置，通过内壳层与外壳层之间的导电涂层形成具有屏蔽能力的空间，以大大提高信息保密能力的有益效果，制作简便。
17.2)、为解决引脚强度低而容易损坏的问题，通过在引脚部内侧处设置加固条，而加固条固定嵌入外壳层外侧，以此避免内接条与引脚部之间在外壳层处的晃动力，加强稳定
的能力，达到了加设受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。
附图说明
18.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
19.图1为本实用新型的结构示意图；
20.图2为本实用新型的内部结构示意图；
21.图中：存储芯片主体
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1、封密装置
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2、引电装置
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3、内壳层
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21、导电涂层
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22、外壳层
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23、内接条
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31、引脚部
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32、加固条
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33。
具体实施方式
22.请参阅图1与图2，本实用新型提供一种存储芯片的封装结构：包括存储芯片主体1、封密装置2和引电装置3，存储芯片主体1外侧设置有封密装置2，封密装置2前后两端对称设置有引电装置3，引电装置3内侧与存储芯片主体1固定连接。
23.其中，所述封密装置2包括内壳层21、导电涂层22和外壳层23，所述内壳层21外侧设置有导电涂层22，所述导电涂层22外侧设置有外壳层23，所述内壳层21内侧设置有存储芯片主体1，根据上述通过采用屏蔽方式以大大提高信息保密能力的有益效果，制作简便。
24.其中，所述引电装置3包括内接条31、引脚部32和加固条33，所述内接条31外侧与引脚部32一体成型，所述引脚部32内侧中部一体成型有加固条33，所述内接条31同时贯穿内壳层21和外壳层23内外两侧，并且内接条31均与内壳层21和外壳层23过盈配合，所述内接条31内侧与存储芯片主体1锡焊，所述加固条33外表面内侧固定嵌入外壳层23外侧，根据上述加强稳定的能力，并达到了加设受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。
25.其中，所述内接条31设置有两组且其对称设置于存储芯片主体1前后两端，根据上述合理设置位置，便于制作。
26.其中，所述内接条31外表面与导电涂层22不接触，根据上述合理设置材料，防止接电紊乱。
27.其中，所述引电装置3的材质为硬质导电材料。
28.工作原理：首先，将该存储芯片主体1取出放置在需要加工的位置处；
29.然后，存储芯片主体1前后两端对称锡焊内接条31，再由内壳层21进行存储芯片主体1的初步密封，内壳层21外侧设置导电涂层22，内接条31外表面与导电涂层22不接触，导电涂层22外侧设置外壳层23，提高对导电涂层22的保护，引脚部32外漏于外壳层23外部，加固条33嵌入外壳层23外侧；
30.之后，通过在存储芯片主体1外侧设置封密装置2，通过内壳层21与外壳层23之间的导电涂层22形成具有屏蔽能力的空间，以大大提高信息保密能力的有益效果，制作简便；
31.最后，通过在引脚部32内侧处设置加固条33，而加固条33固定嵌入外壳层23外侧，以此避免内接条31与引脚部32之间在外壳层23处的晃动力，加强稳定的能力，达到了加设受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。
32.以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本
实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
33.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
技术特征：
1.一种存储芯片的封装结构，其特征在于：包括存储芯片主体(1)、封密装置(2)和引电装置(3)，所述存储芯片主体(1)外侧设置有封密装置(2)，所述封密装置(2)前后两端对称设置有引电装置(3)，所述引电装置(3)内侧与存储芯片主体(1)固定连接。2.根据权利要求1所述的一种存储芯片的封装结构，其特征在于：所述封密装置(2)包括内壳层(21)、导电涂层(22)和外壳层(23)，所述内壳层(21)外侧设置有导电涂层(22)，所述导电涂层(22)外侧设置有外壳层(23)，所述内壳层(21)内侧设置有存储芯片主体(1)。3.根据权利要求1所述的一种存储芯片的封装结构，其特征在于：所述引电装置(3)包括内接条(31)、引脚部(32)和加固条(33)，所述内接条(31)外侧与引脚部(32)一体成型，所述引脚部(32)内侧中部一体成型有加固条(33)，所述内接条(31)同时贯穿内壳层(21)和外壳层(23)内外两侧，并且内接条(31)均与内壳层(21)和外壳层(23)过盈配合，所述内接条(31)内侧与存储芯片主体(1)锡焊，所述加固条(33)外表面内侧固定嵌入外壳层(23)外侧。4.根据权利要求3所述的一种存储芯片的封装结构，其特征在于：所述内接条(31)设置有两组且其对称设置于存储芯片主体(1)前后两端。5.根据权利要求3所述的一种存储芯片的封装结构，其特征在于：所述内接条(31)外表面与导电涂层(22)不接触。
技术总结
本实用新型公开了一种存储芯片的封装结构，其结构包括存储芯片主体、封密装置和引电装置，所述存储芯片主体外侧设置有封密装置，所述封密装置前后两端对称设置有引电装置，所述引电装置内侧与存储芯片主体固定连接，本实用新型具有以下有益效果，通过在存储芯片主体外侧设置封密装置，通过内壳层与外壳层之间的导电涂层形成具有屏蔽能力的空间，以大大提高信息保密能力的有益效果，制作简便；并且通过在引脚部内侧处设置加固条，而加固条固定嵌入外壳层外侧，以此避免内接条与引脚部之间在外壳层处的晃动力，加强稳定的能力，达到了加设受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。受力支撑部件以提高引脚强度的有益效果。
技术研发人员：黄志雄 李华峰 潘承辽
受保护的技术使用者：广西格思克实业有限责任公司
技术研发日：2021.06.29
技术公布日：2021/11/17
再多了解一些
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