一种用于降频器的降频电路及使用该降频电路的降频器的制作方法

一种用于降频器的降频电路及使用该降频电路的降频器
1.【技术领域】
2.本发明创造涉及降频器技术领域，特别是一种用于降频器的降频电路及使用该降频电路的降频器。
3.

背景技术：

4.传统的降频器需要通过dr介质起振，在通过人工调整调频，人为作业容易造成频漂，导致节目无法接收等问题的出现。另外，传统的降频器电路负责，导致产品结构较大，只能安装在卫星接收器（天线接收锅）的后端，安装困难，使用范围有限。
5.

技术实现要素：

6.为解决上述问题，本发明创造提供一种用于降频器的降频电路及使用该降频电路的降频器，通过集成芯片ic起振，增益高、噪声极低，有效解决因人为作业不当而导致的问题，且电路结构简单，产品尺寸较小，便于安装。
7.为实现上述目的，本发明创造提供如下技术方案：
8.一种用于降频器的降频电路，包括天线信号输入端1、第一级放大电路2、第二级放大电路3、滤波器4和第一集成芯片ic1，所述天线信号输入端1接收信号后依次通过所述第一级放大电路2、第二级放大电路3和滤波器4后将信号输入给所述第一集成芯片ic1，所述第一集成芯片ic1还连接有晶振电路6、供电电路7和信号输出电路8，所述第一集成芯片ic1对信号进行起振后通过信号输出电路8输出。
9.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一级放大电路2包括三极管q1、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电阻r1和电阻r2，所述三极管q1的基极与天线信号输入端1连接，所述电容c1的一端与电阻r1的一端连接后其结点与三极管q1的基极连接，所述电容c1的另一端接地；所述电阻r1的另一端分两路，一路通过电容c2接地，另一路与第一集成芯片ic1连接；所述三极管q1的发射极接地；所述电阻r2的一端与电容c3的一端连接后其结点与三极管q1的的集电极连接，所述三极管q1的集电极还通过并联的电容c7和电容c8与第二级放大电路3连接，所述电阻r2的另一端分两路，一路通过电容c4接地，另一路与第一集成芯片ic1连接；所述电容c3的另一端接地。
10.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第二级放大电路3包括三极管q2、电容c9、电容c10、电容c11、电容c12、电阻r4和电阻r5，所述电容c7的一端与电容c8的一端连接后其结点与所述三极管q1的集电极连接，所述电容c7的另一端与电容c8的另一端连接后其结点与三极管q2的基极连接，所述电容c9的一端与电阻r4的一端连接后其结点与三极管q2的基极连接，所述电容c9的另一端接地；所述电阻r4的另一端分两路，一路通过电容c10接地，另一路与第一集成芯片ic1连接；所述电阻r5的一端与电容c12的一端连接后其结点分两路，一路与三极管q2集电极连接，另一路通过电容c13与滤波器4连接，所述三极管q2的发射极接地；所述电阻r5的另一端分两路，一路与第一集成芯片ic1连接，另一路通过电容c11接地，所述电容c12的另一端接地。
11.作为优选实施方式，进一步限定为：所述晶振电路6包括振荡器y1、电容c14和电容c15，所述振荡器y1的一端与电容c14的一端连接后其结点与第一集成芯片ic1的xtal2端连
接，所述电容c14的另一端接地，所述振荡器y1的另一端与电容c15的一端连接后其结点与第一集成芯片ic1的xtal1端连接，所述电容c15的另一端接地；所述晶振电路6为所述第一集成芯片ic1提供25.641mhz的振荡频率。
12.作为优选实施方式，进一步限定为：所述信号输出电路8包括电阻r10和电容c18，所述电阻r10的一端与第一集成芯片ic1连接，所述电阻r10的另一端与电容c18的一端连接，所述电容c18的另一端用于连接输出端子输出if信号。
13.作为优选实施方式，进一步限定为：所述供电电路7包括电阻r3、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电容c16、电容c17、电容c18、电容c19、电容c20和第二集成芯片ic2，所述电阻r3的一端外接电源，所述电阻r3的另一端分两路，一路与第二集成芯片ic2的电源输入端连接，另一端通过电容c16接地，所述电容c19的一端分两路一路与电阻r3的一端连接，另一路与电容c18的另一端连接其结点用于连接输出端子输出if信号，所述电容c19的另一端接地；所述电容c20的一端分两路，一路与第二集成芯片ic2的电源输出端连接，另一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接，所述电容c20的另一端接地；所述电容c17的一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接，所述电容c17的另一端接地；所述电阻r7的一端与第一集成芯片ic1的pol_22k端连接，所述电阻r7的另一端与电阻r8的一端连接后其结点通过电阻r6接地，所述电阻r8的另一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接。
14.作为优选实施方式，进一步限定为：所述天线信号输入端1接入的低频段频率范围为10.7 ghz ~11.7ghz，所述天线信号输入端1接入的高频段频率范围为11.7 ghz
ꢀ‑
12.75 ghz。
15.作为优选实施方式，进一步限定为：所述信号输出电路8输出的低频段频率范围为950~1950mhz，所述信号输出电路8输出的高频段频率范围为1100~2150mhz。
16.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一集成芯片ic1的型号为rda3568。
17.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第二集成芯片ic2的型号为78s06m。
18.一种使用如上所述降频电路的降频器，包括壳体，所述壳体内设置有所述降频电路，所述降频电路该降频电路包括天线信号输入端1、第一级放大电路2、第二级放大电路3、滤波器4和第一集成芯片ic1，所述天线信号输入端1接收信号后依次通过所述第一级放大电路2、第二级放大电路3和滤波器4后将信号输入给所述第一集成芯片ic1，所述第一集成芯片ic1还连接有晶振电路6、供电电路7和信号输出电路8，所述第一集成芯片ic1对信号进行起振后通过信号输出电路8输出。
19.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一级放大电路2包括三极管q1、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电阻r1和电阻r2，所述三极管q1的基极与天线信号输入端1连接，所述电容c1的一端与电阻r1的一端连接后其结点与三极管q1的基极连接，所述电容c1的另一端接地；所述电阻r1的另一端分两路，一路通过电容c2接地，另一路与第一集成芯片ic1连接；所述三极管q1的发射极接地；所述电阻r2的一端与电容c3的一端连接后其结点与三极管q1的的集电极连接，所述三极管q1的集电极还通过并联的电容c7和电容c8与第二级放大电路3连接，所述电阻r2的另一端分两路，一路通过电容c4接地，另一路与第一集成芯片ic1连接；所述电容c3的另一端接地。
20.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第二级放大电路3包括三极管q2、电容c9、电容c10、电容c11、电容c12、电阻r4和电阻r5，所述电容c7的一端与电容c8的一端连接后其
结点与所述三极管q1的集电极连接，所述电容c7的另一端与电容c8的另一端连接后其结点与三极管q2的基极连接，所述电容c9的一端与电阻r4的一端连接后其结点与三极管q2的基极连接，所述电容c9的另一端接地；所述电阻r4的另一端分两路，一路通过电容c10接地，另一路与第一集成芯片ic1连接；所述电阻r5的一端与电容c12的一端连接后其结点分两路，一路与三极管q2集电极连接，另一路通过电容c13与滤波器4连接，所述三极管q2的发射极接地；所述电阻r5的另一端分两路，一路与第一集成芯片ic1连接，另一路通过电容c11接地，所述电容c12的另一端接地。
21.作为优选实施方式，进一步限定为：所述晶振电路6包括振荡器y1、电容c14和电容c15，所述振荡器y1的一端与电容c14的一端连接后其结点与第一集成芯片ic1的xtal2端连接，所述电容c14的另一端接地，所述振荡器y1的另一端与电容c15的一端连接后其结点与第一集成芯片ic1的xtal1端连接，所述电容c15的另一端接地；所述晶振电路6为所述第一集成芯片ic1提供25.641mhz的振荡频率。
22.作为优选实施方式，进一步限定为：所述信号输出电路8包括电阻r10和电容c18，所述电阻r10的一端与第一集成芯片ic1连接，所述电阻r10的另一端与电容c18的一端连接，所述电容c18的另一端用于连接输出端子输出if信号。
23.作为优选实施方式，进一步限定为：所述供电电路7包括电阻r3、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电容c16、电容c17、电容c18、电容c19、电容c20和第二集成芯片ic2，所述电阻r3的一端外接电源，所述电阻r3的另一端分两路，一路与第二集成芯片ic2的电源输入端连接，另一端通过电容c16接地，所述电容c19的一端分两路一路与电阻r3的一端连接，另一路与电容c18的另一端连接其结点用于连接输出端子输出if信号，所述电容c19的另一端接地；所述电容c20的一端分两路，一路与第二集成芯片ic2的电源输出端连接，另一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接，所述电容c20的另一端接地；所述电容c17的一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接，所述电容c17的另一端接地；所述电阻r7的一端与第一集成芯片ic1的pol_22k端连接，所述电阻r7的另一端与电阻r8的一端连接后其结点通过电阻r6接地，所述电阻r8的另一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接。
24.作为优选实施方式，进一步限定为：所述天线信号输入端1接入的低频段频率范围为10.7 ghz ~11.7ghz，所述天线信号输入端1接入的高频段频率范围为11.7 ghz
ꢀ‑
12.75 ghz。
25.作为优选实施方式，进一步限定为：所述信号输出电路8输出的低频段频率范围为950~1950mhz，所述信号输出电路8输出的高频段频率范围为1100~2150mhz。
26.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第一集成芯片ic1的型号为rda3568。
27.作为优选实施方式，进一步限定为：所述第二集成芯片ic2的型号为78s06m。
28.本发明创造的有益效果是：本发明创造的降频电路包括天线信号输入端、第一级放大电路、第二级放大电路、滤波器和第一集成芯片ic1，天线信号输入端接收信号后依次通过第一级放大电路、第二级放大电路和滤波器后将信号输入给第一集成芯片ic，第一集成芯片ic1还连接有晶振电路、供电电路和信号输出电路，第一集成芯片ic1对信号进行起振后通过信号输出电路输出；通过集成芯片ic起振，增益高、噪声极低，有效解决因人为作业不当而导致的问题，且电路结构简单，产品尺寸较小，便于安装。
29.【附图说明】
30.图1是本发明创造的电路原理方框图；
31.图2是本发明创造的电路图。
32.【具体实施方式】
33.以下结合附图和具体实施方式对本发明创造作进一步详细说明：
34.如附图1和附图2所示，一种用于降频器的降频电路，包括天线信号输入端1、第一级放大电路2、第二级放大电路3、滤波器4和第一集成芯片ic1（附图1中标记为5），所述第一集成芯片ic1的型号为rda3568。所述天线信号输入端1接入的低频段频率范围为10.7 ghz ~11.7ghz，所述天线信号输入端1接入的高频段频率范围为11.7 ghz
ꢀ‑
12.75 ghz。所述天线信号输入端1接收信号后依次通过所述第一级放大电路2、第二级放大电路3和滤波器4后将rf信号输入给所述第一集成芯片ic1，所述第一集成芯片ic1还连接有晶振电路6、供电电路7和信号输出电路8，所述第一集成芯片ic1对rf信号进行起振后通过信号输出电路8输出if信号。所述信号输出电路8输出的低频段频率范围为950~1950mhz，所述信号输出电路8输出的高频段频率范围为1100~2150mhz。该降频电路通过集成芯片ic起振，增益高、噪声极低，有效解决因人为作业不当而导致的问题，且电路结构简单，产品尺寸较小，便于安装。
35.在本实施例中，所述第一级放大电路2包括三极管q1、电容c1、电容c2、电容c3、电容c4、电阻r1和电阻r2，所述三极管q1的基极与天线信号输入端1连接，所述电容c1的一端与电阻r1的一端连接后其结点与三极管q1的基极连接，所述电容c1的另一端接地；所述电阻r1的另一端分两路，一路通过电容c2接地，另一路与第一集成芯片ic1的vg_h端连接；所述三极管q1的发射极接地；所述电阻r2的一端与电容c3的一端连接后其结点与三极管q1的的集电极连接，所述三极管q1的集电极还通过并联的电容c7和电容c8与第二级放大电路3连接，所述电阻r2的另一端分两路，一路通过电容c4接地，另一路与第一集成芯片ic1的vd_h端连接；所述电容c3的另一端接地。所述第二级放大电路3包括三极管q2、电容c9、电容c10、电容c11、电容c12、电阻r4和电阻r5，所述电容c7的一端与电容c8的一端连接后其结点与所述三极管q1的集电极连接，所述电容c7的另一端与电容c8的另一端连接后其结点与三极管q2的基极连接，所述电容c9的一端与电阻r4的一端连接后其结点与三极管q2的基极连接，所述电容c9的另一端接地；所述电阻r4的另一端分两路，一路通过电容c10接地，另一路与第一集成芯片ic1的vg_st2端连接；所述电阻r5的一端与电容c12的一端连接后其结点分两路，一路与三极管q2集电极连接，另一路通过电容c13与滤波器4的一端连接，所述三极管q2的发射极接地；所述滤波器4的另一端与第一集成芯片ic1的rfin端连接；所述电阻r5的另一端分两路，一路与第一集成芯片ic1的vd_st2端连接，另一路通过电容c11接地，所述电容c12的另一端接地。通过将信号两次放大后输入给滤波器4进行滤波，过滤不需要的频段。所述第一集成芯片ic1的gnd端接地，所述第一集成芯片ic1的lo_sel端接地，所述第一集成芯片ic1的rcal端通过电阻r9接地。
36.在本实施例中，所述晶振电路6包括振荡器y1、电容c14和电容c15，所述振荡器y1的一端与电容c14的一端连接后其结点与第一集成芯片ic1的xtal2端连接，所述电容c14的另一端接地，所述振荡器y1的另一端与电容c15的一端连接后其结点与第一集成芯片ic1的xtal1端连接，所述电容c15的另一端接地；所述晶振电路6为所述第一集成芯片ic1提供25.641mhz的振荡频率。
37.在本实施例中，所述信号输出电路8包括电阻r10和电容c18，所述电阻r10的一端
与第一集成芯片ic1的ifout端连接，所述电阻r10的另一端与电容c18的一端连接，所述电容c18的另一端用于连接输出端子输出if信号。
38.在本实施例中，所述供电电路7包括电阻r3、电阻r6、电阻r7、电阻r8、电容c16、电容c17、电容c18、电容c19、电容c20和第二集成芯片ic2，所述第二集成芯片ic2为稳压集成芯片，采用的型号为78s06m。所述电阻r3的一端外接电源，所述电阻r3的另一端分两路，一路与第二集成芯片ic2的电源输入端连接，另一端通过电容c16接地，所述电容c19的一端分两路一路与电阻r3的一端连接，另一路与电容c18的另一端连接其结点用于连接输出端子输出if信号，所述电容c19的另一端接地；所述电容c20的一端分两路，一路与第二集成芯片ic2的电源输出端连接，另一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接，所述电容c20的另一端接地；所述电容c17的一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接，所述电容c17的另一端接地；所述电阻r7的一端与第一集成芯片ic1的pol_22k端连接，所述电阻r7的另一端与电阻r8的一端连接后其结点通过电阻r6接地，所述电阻r8的另一端与第一集成芯片ic1的vbat端连接。更进一步地说，第二集成芯片ic2可以接入dc 10
‑
21v的电压，在本实施例中接入dc 13v或18v电压，第二集成芯片ic2输出6v电压给第一集成芯片ic1，结构简单，保持电路工作电压稳定。
39.一种使用如上所述降频电路的降频器，包括壳体，所述壳体内设置有所述降频电路，由于该电路结构简单，因此可以使得壳体的产品尺寸较小，小巧的降频器可以安装在天线接收锅前端或后端，安装方便。