一种轻量化防弹衣芯片的制作方法

1.本实用新型属于军警用装备技术领域，尤其是涉及一种轻量化防弹衣芯片。


背景技术：

2.随着社会经济的发展，社会安全问题变得越来越突出，国家及个人越来越意识到安全防护的重要性。材料是人体防护系统的物质基础，自从防弹衣概念出现以后，人类就不断找寻适用于制造防弹衣的高性能材料。目前防弹材料防护技术正向高性能、轻量化的方向发展。
3.目前国内防弹衣芯片中防弹层绝大部分还是芳纶无纬布或uhmwpe无纬布。但由于无纬布性能不同造成防弹衣芯片面密度的差异。
4.申请号为cn202010325949.4的一种柔软质轻型防弹衣芯片及其制造方法专利中介绍了一种柔软质轻型防弹衣芯片及其制造方法，所述防弹衣芯片是由防弹层和缓冲层组成；面密度小于5.5kg/m2，受到标定质量15.6g的.44magnum半被甲空尖(sjhp)子弹以弹速为(408
±
9.1)m/s的冲击时，满足不穿透要求，且凹陷深度小于40mm。此防护等级略低于国内ga2级。
5.申请号为cn201520817716.0的一种防弹芯片专利中介绍了由多层防弹衣芯片叠加在一起，每层防弹衣芯片都大小相等，形状相同；28层防弹芯片pf220(220g/m2)叠加在一起，不进行缝纫固定，直接按nij0101.04标准中iiia级9mm子弹测试防弹芯片的防弹性能；面密度计算得知为6.16kg/m2，此防护等级略低于国内ga2级。
6.目前国内市场上ga2级防护水平的防弹衣芯片防弹层面密度为5kg/m2左右。上述申请号为cn202010325949.4的专利申请中使用芳纶布多层叠加而成，同等防护级别的防弹衣芯片使用芳纶无纬布作为防弹层要比使用uhmwpe无纬布作为防弹层面密度大。上述申请号为cn201520817716.0的专利申请中防弹层未提到材质是uhmwpe无纬布还是芳纶无纬布，通过计算面密度是6.16kg/m2,相对较大。
7.市面上的防弹衣存在重量较大以及受到子弹冲击后凹陷深度较大的技术问题。首先，防弹衣芯片面密度过大，造成穿戴人员在执行任务时负重较大，不利于战术动作的发挥。从最近几年市场上在售防弹衣重量可以清楚的看到防弹衣面密度呈逐年下降的趋势，相关需求单位招标文件中也是呈现出面密度逐年下降的趋势；其次，防弹衣芯片在受到子弹冲击后背衬凹陷越大造成穿戴人员非贯穿性损伤的严重程度也会越大，甚至在严重情况下造成人员失去战斗力。


技术实现要素：

8.有鉴于此，本实用新型旨在克服现有技术中的缺陷，提出一种轻量化防弹衣芯片。
9.为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：
10.一种轻量化防弹衣芯片，包括防弹层和缓冲层，所述防弹层和缓冲层均包覆在保护套内，所述防弹层为多层uhmwpe无纬布堆叠而成，所述防弹层的面密度为4.08kg/m2‑
5.28kg/m2。
11.进一步的，所述缓冲层为高弹eva层，厚度为5mm。
12.进一步的，所述防弹层由16
‑
23层uhmwpe无纬布按照0
°
/90
°
/0
°
/90
°
正交堆叠而成。
13.进一步的，所述防弹层由17层uhmwpe无纬布按照0
°
/90
°
/0
°
/90
°
正交堆叠而成，其面密度为4.08kg/m2。
14.进一步的，所述防弹层由22层uhmwpe无纬布按照0
°
/90
°
/0
°
/90
°
正交堆叠而成，其面密度为5.28kg/m2。
15.进一步的，所述保护套为单面涂胶的涤纶防水布。
16.相对于现有技术，本实用新型具有以下优势：
17.(1)当穿戴人员进行战术动作或执行任务时，本发明所提供的防弹衣芯片可有效实现防弹衣减重，达到轻量化的防护目的；市面上ga2级防弹衣芯片防弹层面密度在4.5
‑
5.5kg/m2，ga3级防弹衣芯片防弹层面密度在6
‑
7kg/m2,本发明的ga2级防弹衣芯片中防弹层面密度可降低到4.08kg/m2，ga3级防弹衣芯片中防弹层面密度可降低到5.28kg/m2，远低于市面上的面密度。
18.(2)本发明的防弹衣芯片内缓冲层采用高弹eva层，当芯片受到子弹冲击时可有效减少背衬凹陷对人员造成的非贯穿性损伤。市面上防弹衣芯片凹陷值在20
‑
25mm之间较多，本发明ga2级防弹衣芯片凹陷平均值为15.5mm；ga3级防弹衣芯片凹陷平均值为15.7mm，远低于市面防弹衣芯片凹陷值。
附图说明
19.构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
20.图1为本实用新型实施例所述的轻量化防弹衣芯片的剖面图示。
21.附图标记说明：
22.1、保护套；2、防弹层；3、缓冲层。
具体实施方式
23.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
24.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
25.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
26.实施例中的原料，规格如下：
27.uhmwpe无纬布：面密度240
±
10g/m2；
28.高弹eva：厚度5mm，其中5mm厚高弹eva面密度225
±
10g/m2，规格型号rc009。
29.涤纶防水布：面密度230
‑
240g/m2，规格型号210d。
30.下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
31.实施例1 ga2级防弹衣芯片
32.如图1所示，将17层uhmwpe无纬布0
°
/90
°
正交堆叠形成防弹层，将防弹层与5mm高弹eva材质的缓冲层层叠后采用保护套通过高频热合机热合粘接，最外层的保护套为单层单面涂胶的涤纶防水布，将缓冲层置于防弹层后，最外层由保护套将防弹层、缓冲层进行包覆，四周热合粘接封边裁切即得ga2级的轻量化防弹衣芯片。其中防弹层面密度为4.08kg/m2,满足ga2级防弹要求。市面主流ga2级防弹层面密度为4.5
‑
5.5kg/m2。可在5m距离上防住54式7.62mm手枪发射的51式7.62mm铅心弹。常温条件下6发，高、低温下各3发。本实施例的防弹衣芯片的靶式数据见表1。
33.表1 ga2级防弹衣芯片检测结果
[0034][0035]
实施例2 ga3级防弹衣芯片
[0036]
如图1所示，将22层uhmwpe无纬布0
°
/90
°
正交堆叠形成防弹层，将防弹层与5mm高弹eva材质的缓冲层层叠后采用保护套通过高频热合机热合粘接，最外层的保护套为单层单面涂胶的涤纶防水布，将缓冲层置于防弹层后，最外层由保护套将防弹层、缓冲层进行包覆，四周热合粘接封边裁切即得ga2级的轻量化防弹衣芯片。其中防弹层面密度为5.28kg/m2，满足ga3级防弹水平。市面主流ga3级防弹层面密度为6
‑
7kg/m2。可在5m距离上防住79式7.62mm轻型冲锋枪发射的51式7.62mm铅心弹。常温条件下6发，高、低温下各3发。本实施例的防弹衣芯片的靶式数据见表2。
[0037]
表2 ga3级防弹衣芯片检测结果
[0038][0039][0040]
本实用新型采用uhmwpe无纬布和高性能缓冲材料组合设计，使所用材料充分发挥自身的功能，有效实现了防弹衣芯片材料减重要求。
[0041]
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。