用于处理基板的方法和装置与流程

用于处理基板的方法和装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年6月2日提交韩国知识专利局的、申请号为10
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2020
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0066635的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本技术中。
技术领域
3.本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的方法和装置，且更具体地，涉及一种用于通过将液体供应至基板来处理基板的基板处理方法和装置。


背景技术：

4.执行例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺、清洁工艺等各种工艺，以制造半导体元件或平坦显示面板。在这些工艺中，光刻工艺是：将光刻胶供应到半导体基板以在基板表面上形成涂覆膜，使用掩模对形成的涂覆膜进行曝光，并供应显影溶液以在基板上得到期望图案的工艺。特别地，为了实现图案的临界尺寸(cd)的按比例缩小，在涂覆工艺中形成的涂覆膜需要高水平的均匀性。
5.通常，如图1所示，在基板表面上形成涂覆膜的工艺通过支承基板w(诸如晶圆)的卡盘2使基板w旋转，并通过光刻胶喷嘴4将光刻胶pr供应至旋转基板w来执行。由光刻胶喷嘴4供应的光刻胶pr被供应到基板w的中心区域，并且通过由基板w的旋转产生的离心力而朝向基板w的边缘区域散布。因此，供应至基板w的光刻胶pr形成涂覆膜。
6.当在涂覆膜形成工艺中使用的光刻胶pr具有高粘度(例如300cp或更高)时，难以均匀地形成涂覆膜的厚度。如上所述，通过基板w的旋转产生的离心力，供应至基板w的中心区域的光刻胶pr朝向基板w的边缘区域散布。但是，当光刻胶pr具有高粘度时，光刻胶pr不能适当地朝向基板w的边缘区域散布。因此，在形成的涂覆膜中可能发生撕裂或不良涂覆。此外，涂覆膜的均匀性可能显著降低。由于基板w的旋转速度随着远离基板w的中心而逐渐增加，因此在邻近基板w的边缘区域的区域中明显地发生上述问题。


技术实现要素：

7.本发明构思的实施方案提供了一种用于有效处理基板的基板处理方法和装置。
8.此外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于改进基板上形成的液膜的均匀性。
9.另外，本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于最小化基板上形成的液膜中的诸如撕裂和/或不良涂覆的缺陷。
10.本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
11.根据一实施方案，提供了一种用于处理基板的方法。在该方法中，通过将处理液供应至旋转基板来形成液膜，并且润湿介质以细颗粒(fine particles)的形式被喷射至所述基板以帮助所述液膜的扩散。
12.根据一实施方案，所述润湿介质可以以雾的形式被喷射。
13.根据一实施方案，所述润湿介质可以朝向所述基板的边缘区域被喷射。
14.根据一实施方案，向所述基板供应所述润湿介质的位置可以比向所述基板供应所述处理液的位置更远离所述基板的中心。
15.根据一实施方案，在开始供应所述处理液且经过设定时间之后，可以喷射所述润湿介质。
16.根据一实施方案，在停止供应处理液之后，可以进一步喷射所述湿润介质一段设定时间(a set period of time)。
17.根据一实施方案，该方法可以包括供应处理液且以第一速度旋转所述基板的第一步骤；和以不同于所述第一速度的第二速度旋转所述基板的第二步骤，以及所述润湿介质可以在所述第一步骤或所述第二步骤中的至少一者中被喷射至所述基板。
18.根据一实施方案，该方法可以进一步包括以高于所述第一速度和所述第二速度的第三速度旋转所述基板的第三步骤，以及所述润湿介质可以在所述第一步骤、所述第二步骤中或所述第三步骤中的至少一者中被喷射至所述基板。
19.根据一实施方案，当所述润湿介质在所述第三步骤中被喷射至所述基板时，在所述第三步骤结束之前可以停止所述润湿介质的喷射。
20.根据一实施方案，提供了一种用于处理基板的方法。在该方法中，通过将涂覆溶液供应至旋转基板来形成液膜，并且润湿介质以细颗粒的形式被喷射至所述基板，所述润湿介质抑制所述液膜中包含的溶剂的蒸发。
21.根据一实施方案，所述润湿介质可以以雾的形式被喷射。
22.根据一实施方案，所述涂覆溶液可以朝向所述基板的中心区域被供应，并且所述润湿介质可以朝向所述基板的边缘区域被喷射。
23.根据一实施方案，喷射所述润湿介质的持续时间和供应所述涂覆溶液的持续时间可以彼此至少部分重叠。
24.根据一实施方案，开始喷射所述润湿介质的时间可以晚于开始供应所述涂覆溶液的时间。
25.根据一实施方案，开始喷射所述润湿介质的时间可以早于开始供应所述涂覆溶液的时间。
26.根据一实施方案，停止喷射所述润湿介质的时间可以晚于停止供应所述涂覆溶液的时间。
27.根据一实施方案，提供了一种用于处理基板的方法。在该方法中，通过将光敏液供应至旋转基板来形成液膜，并且稀释剂(thinner)以雾的形式被喷射至处理空间以调节所述液膜中包含的溶剂的蒸发程度，所述基板在所述处理空间进行处理。
28.根据一实施方案，可以喷射所述稀释剂，使得所述稀释剂的每单位体积的浓度根据从上方观察的所述基板的区域而变化。
29.根据一实施方案，从上方观察时，喷射到所述处理空间中的所述稀释剂的每单位体积的浓度在所述基板的边缘区域中可以比在所述基板的中心区域中更高。
30.根据一实施方案，该方法可以包括：将所述光敏液供应至以第一速度旋转的所述基板的涂覆步骤；停止供应所述光敏液并以低于所述第一速度的第二速度旋转所述基板的
厚度调节步骤；和通过以高于所述第二速度的第三速度旋转所述基板来干燥所述液膜的干燥步骤。所述稀释剂可以在所述涂覆步骤、所述厚度调节步骤或所述干燥步骤中的至少一者中被喷射至所述处理空间中。
31.根据一实施方案，一种用于处理基板的装置包括：支承单元，所述支承单元支承并旋转处理空间中的所述基板；液体供应单元，所述液体供应单元将处理液供应至支承在所述支承单元上的所述基板；以及润湿单元，所述润湿单元将润湿介质以细颗粒形式喷射至所述基板，其中，所述润湿介质帮助所述处理液的扩散。
32.根据一实施方案，所述润湿单元可以朝向支承在所述支承单元上的所述基板的边缘区域喷射所述润湿介质。
33.根据一实施方案，所述装置还可以包括具有所述处理空间的处理容器，以及所述润湿单元可以包括安装在所述处理容器上的润湿介质喷嘴。
34.根据一实施方案，所述润湿介质喷嘴可以调节朝向支承在所述支承单元上的所述基板喷射的所述润湿介质的喷射区域。
35.根据一实施方案，该装置可以还包括：壳体，所述壳体具有围绕所述处理空间的内部空间；和气流供应单元，所述气流供应单元将向下的气流供应到所述内部空间中。所述润湿单元可以安装在所述气流供应单元中，以朝向支承在所述支承单元上的所述基板喷射所述润湿介质。
36.根据一实施方案，液体供应单元可以包括：处理液喷嘴，所述处理液喷嘴供应所述处理液；和第一臂，所述第一臂支承所述处理液喷嘴，以及所述润湿单元可以包括：润湿介质喷嘴，所述润湿介质喷嘴喷射所述润湿介质；和第二臂，所述第二臂支承所述润湿介质喷嘴。
37.根据一实施方案，液体供应单元可以包括第一臂，所述第一臂具有安装在所述第一臂上的所述处理液喷嘴；所述润湿单元可以包括独立于所述第一臂驱动的第二臂，以及在所述第二臂上可以安装有喷射所述润湿介质的润湿介质喷嘴和以流的方式供应预润湿液的预润湿喷嘴。
38.根据一实施方案，所述装置还可以包括控制器，所述控制器控制所述支承单元、液体供应单元和润湿单元，以及所述控制器可以控制所述液体供应单元、支承单元和所述润湿单元，以将所述处理液供应到支承在所述支承单元上的所述旋转基板的中心区域，且将所述润湿介质喷射到支承在所述支承单元上的所述基板的边缘区域。
39.根据一实施方案，所述控制器可以控制所述液体供应单元和所述润湿单元，以从供应到所述基板的所述中心区域的所述处理液到达所述基板的所述边缘区域时喷射所述润湿介质。
40.根据一实施方案，在开始供应所述处理液并经过设定时间之后，所述控制器可以控制所述液体供应单元和所述润湿单元以喷射所述润湿介质。
附图说明
41.参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且在附图中：
42.图1为示出了在基板上形成涂覆膜的常规的基板处理方法的视图；
43.图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示意性立体图；
44.图3为示出了图2的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图；
45.图4为图2的基板处理装置的平面图；
46.图5为示出了图4的传送机械手的一个实施例的视图；
47.图6为示出了图4的热处理腔室的一个实施例的示意性平面图；
48.图7为图6的热处理腔室的前视图；
49.图8为示出了图4的液体处理腔室的一个实施例的示意性视图；
50.图9为图8的液体处理腔室的平面图；
51.图10是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图；
52.图11为示出在通过图10的基板处理方法在基板上形成液膜的工艺中基板的rpm(旋转速度)变化和向基板供给处理介质的时间的视图；
53.图12为示出了设置在图8的液体处理腔室中的基板处理装置执行图10的预润湿步骤的状态的图；
54.图13至图15为示出了设置在图8的液体处理腔室中的基板处理装置执行图10的涂覆步骤的状态的图；
55.图16至图18为示出了根据本发明构思的实施方案的润湿单元的视图；
56.图19至图20为示出了根据本发明构思的实施方案的润湿介质喷射方法的视图；
57.图21是根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置的视图；
58.图22为图21的基板处理装置的平面图；
59.图23是根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置的视图；
60.图24是根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置的视图；
61.图25是根据本发明构思的另一实施方案的基板处理装置的视图；和
62.图26至图33为示出了在基板上形成液膜的工艺中基板的rpm变化和向基板供给处理介质的时间的其他实施例的视图。
具体实施方式
63.下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方案，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方案。此外，在描述本发明构思的实施方案时，当与已知功能或配置有关的详细描述可能使本发明构思的主题不必要地模糊时，这些详细描述将被省略。另外，贯穿附图，执行相似功能和操作的组件设置有相同的附图标记。
64.说明书中的术语“包含(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明存在相应组件，并且除非另有特别说明，否则不排除而可能包含额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包含”、“包括”和“具有”在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
65.除非另有说明，否则单数形式的术语可以包含复数形式。此外，在附图中，为了说明的清楚，组件的形状和尺寸可能被夸大。
66.在下文中，将详细描述根据本发明构思的实施方案的基板处理装置。图2是示出了
根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示例性立体图。图3为示出了图2的基板处理装置的涂覆块和显影块的截面图。图4为图2的基板处理装置的平面图。
67.参照图2至图4，根据本发明构思的实施方案的基板处理装置10包括索引模块100、处理模块300和接口模块500。根据一实施方案，索引模块100、处理模块300和接口模块500依序设置成排。在下文中，布置索引模块100、处理模块300和接口模块500的方向被称为第一方向12，当从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，以及与第一方向12和第二方向14都垂直的方向被称为第三方向16。
68.索引模块100将基板w从其中接收有基板w的载体f传送至处理模块300，并将完全处理的基板w放置在载体f中。索引模块100设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。索引模块100具有装载端口110和索引框架130。装载端口110相对于索引框架130位于处理模块300的相对侧上。在其中接收有基板w的载体f被放置在装载端口110上。装载端口110可沿第二方向14设置。
69.例如前开式晶圆盒(front opening unified pod,foup)的气密性(airtight)载体f可以用作载体f。载体f可以通过诸如高架传送器、高架输送机的传送单元(未示出)、自动引导交通工具、或通过操作者而被放置在装载端口110上。
70.索引机械手132设置在索引框架130中。导轨136设置在索引框架130中，导轨的纵向方向与第二方向14平行。索引机械手132在导轨136上为可移动的。索引机械手132包括手部(hand)134，基板w放置在手部122上。手部134向前或向后为可移动的、绕面向第三方向16的轴线为可旋转的、以及沿着第三方向16为可移动的。
71.处理模块300可以在基板w上执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块300具有涂覆块(cot)300a和显影块(dev)300b。涂覆块300a在基板w上执行涂覆工艺，且显影块300b在基板w上执行显影工艺。涂覆块300a彼此堆叠。显影块300b彼此堆叠。根据图2的实施方案，设置两个涂覆块300a和两个显影块300b。涂覆块300a可以设置在显影块300b的下方。根据一实施方案，两个涂覆块300a可以执行相同的工艺，并且可以具有相同的结构。此外，两个显影块300b可以执行相同的工艺，并且可以具有相同的结构。
72.参照图4，各涂覆块300a具有热处理腔室320、传送腔室350、液体处理腔室360、以及缓冲腔室312和316。热处理腔室320在基板w上执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室360通过将液体供应到基板w上而在基板w上形成液膜。液膜可以是光刻胶膜或增透膜(减反射膜，anti
‑
reflection film)。在涂覆块300a中，传送腔室350在热处理腔室320与液体处理腔室360之间传送基板w。
73.传送腔室350设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。传送机械手352设置在传送腔室350中。传送机械手352在热处理腔室320、液体处理腔室360、以及缓冲腔室312和316之间传送基板w。根据一实施方案，传送机械手352具有手部354，基板w放置在手部354上，并且手部354向前向后为可移动的、围绕朝向第三方向16的轴线为可旋转的、以及沿第三方向16为可移动的。导轨356设置在传送腔室350中，导轨的纵向方向平行于第一方向12，传送机械手352在导轨356上为可移动的。
74.图5为示出了图4的传送机械手的手部的一个实施例的视图。参照图5，手部354具有基部3541和支承突起3543。基部3541可以具有环孔形状(annular ring shape)，基部3428的圆周是部分弯曲的。基部3541具有大于基板w的直径的内径。支承突起3543从基部
3541向内延伸。支承突起3543支承基板w的边缘区域。根据一实施方案，可以以相等的间隔设置四个支承突起3543。
75.热处理腔室320沿第一方向12布置。热处理腔室320位于传送腔室350的一侧上。
76.图6为示出了图4的热处理腔室的一个实施例的示意性平面图，以及图7为图6的热处理腔室的前视图。参照图6和图7，热处理腔室320具有壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240。
77.壳体3210具有大体上的矩形平行六面体的形状。壳体3210在其侧壁中具有入口/出口开口(未示出)，基板w通过该入口/出口开口进入或离开壳体3210。该入口/出口开口可以保持打开。选择性地，可以设置门(未示出)以打开和关闭入口/出口开口。冷却单元3220、加热单元3230和传送板3240设置在壳体3210中。冷却单元3220和加热单元3230沿第二方向14并排设置。根据一实施方案，冷却单元3220可位于比加热单元3230更靠近传送腔室350的位置。
78.冷却单元3220具有冷却板3222。当从上方观察时，冷却板3222可以具有基本圆形的形状。冷却构件3224设置在冷却板3222的内部。根据一实施方案，冷却构件3224可形成在冷却板3222的内部，并可以用作冷却流体流动所通过的流体通道。
79.加热单元3230具有加热板3232、套(cover)3234和加热器3233。当从上方观察时，加热板323可具有大致圆形的形状。加热板3232具有比基板w大的直径。加热板3232配备有加热器3233。加热器3233可以被实施为具有电阻加热元件，电流被施用到该电阻加热元件。加热板3232具有沿第三方向16竖直可移动的提升销3238。提升销3238从加热单元3230外部的传送单元接收基板w，并将基板w向下安放在加热板3232上，或将基板w从加热板3232上抬起并将基板w传送至加热单元3230外部的传送单元。根据一实施方案，可以设置三个升降销3238。套3234在其中具有空间，该空间在底部为敞开的。套3234位于加热板3232的上方并通过致动器3236竖直地移动。移动套3234以与加热板3232一起形成的空间用作加热空间，在该加热空间中加热基板w。
80.传送板3240具有大体上圆形的板形状，并具有对应于基板w的直径的直径。传送板3240具有形成于其边缘处的凹口(notches)3244。凹口3244可具有与形成于上述的传送机械手352的手部354上的支承突起3543相对应的形状。此外，与在手部354上形成的支承突起354一样多的凹口3244形成在与支承突起354相对应的位置中。当手部354和传送板3240在上/下方向上彼此对齐的竖直位置改变时，在手部354和传送板3240之间传送基板w。传送板3420可以安装在导轨3249上并可以沿导轨3249在第一区域3212与第二区域3214之间由致动器3246移动。在传送板3240中形成有狭缝形状的多个导向槽3242。导向槽3242从传送板3240的边缘向内延伸。导向槽3242的纵向方向与第二方向14平行，并且导向槽3242定位成沿第一方向12彼此间隔开。导向槽3242防止当基板w在传送板3240与加热单元3230之间传送时，传送板3240和提升销3238彼此相互干涉。
81.在其上放置有基板w的传送板3240与冷却板3222接触的状态下冷却基板w。为了有效地在冷却板3222与基板w之间进行热传递，传送板3240由具有高导热率的材料形成。根据一实施方案，传送板3240可以由金属材料形成。
82.在热处理腔室3200中的一些中设置的加热单元3230可通过在加热基板的情况下供应气体来改善光刻胶对基板w的粘附性。根据一实施方案，该气体可以为六甲基二硅烷气
体。
83.液体处理腔室360中的一些可以彼此堆叠。液体处理腔室360位于传送腔室350的一侧上。液体处理腔室360沿第一方向12并排布置。液体处理腔室360中的一些位于索引模块100附近。在下文中，这些液体处理腔室360被称为前液体处理腔室362。其他液体处理腔室360位于接口模块500附近。在下文中，这些液体处理腔室360被称为后液体处理腔室364。
84.各前液体处理腔室362将第一液体施加到基板w，且各后液体处理腔室364将第二液体施加到基板w。第一液体和第二体液可以为不同类型的液体。根据一实施方案，第一液体为增透膜，以及第二液体为光刻胶。光刻胶可以被施加到涂覆有增透膜的基板w。选择性地，第一液体可以为光刻胶，以及第二液体可以为增透膜。在这种情况下，增透膜可以被施加到涂覆有光刻胶的基板w。选择性地，第一液体和第二液体可以为相同类型。第一液体和第二体液都可以为光刻胶。
85.图8为示出了图4的液体处理腔室的一个实施例的示意性视图，以及图9为图8的液体处理腔室的平面图。参照图8和图9，用于处理基板w的基板处理装置1000可以设置在液体处理腔室360。用于对基板w执行液体处理的基板处理装置1000可以设置在液体处理腔室360中。
86.设置在液体处理腔室360中的基板处理装置1000可以包括壳体1100、处理容器1200、支承单元1300、气流供应单元1400、液体供应单元1500、润湿单元1600和控制器1900。
87.壳体1100可以具有内部空间1102。壳体1100可以具有矩形容器形状，该矩形容器形状具有内部空间1102。在壳体1100的侧壁中可以形成有开口(未示出)。该开口用作入口/出口开口，基板w通过该入口/出口开口进入或离开内部空间1102。此外，为了选择性地打开或关闭开口，可以在与开口相邻的区域中设置门(未示出)。在对放置在内部空间1102中的基板w执行处理工艺的情况下，门可以关闭开口以从外部密封内部空间1102。
88.处理容器1200可设置在内部空间1102中。处理容器1200可以具有处理空间1202。即，处理容器1200可以是具有处理空间1202的碗(bowl)。因此，内部空间1102可以围绕处理空间1202。处理容器1200可以具有在顶部处敞开的杯状。处理容器1200的处理空间1202可以是支承单元1300(将在下面描述)支承并旋转基板w的空间。处理空间1202可以是液体供应单元1500和润湿单元1600供应处理介质以处理基板w的空间。
89.处理容器1200包括内杯1210和外杯1230。外杯1230可围绕支承单元1300，且内杯1210可位于外杯1230的内部。当从上方观察时，内杯1210和外杯1230可各自具有环形形状。内杯1210与外杯1230之间的空间可以用作回收通道，通过该回收通道回收引入到处理空间1202中的处理介质。
90.当从上方观察时，内杯1210可以具有围绕支承单元1300(待在下面描述)的旋转轴1330的形状。例如，当从上方观察时，内杯1210可以具有围绕旋转轴1330的圆形板形状。当从上方观察时，内杯1210可以定位成与联接至壳体1100的排放端口1120重叠。内杯1210可具有内部和外部。内部和外部的上表面可以相对于虚拟水平线具有不同的角度。例如，当从上方观察时，内部可以定位成与支承单元1300(待在下面描述)的支承板1310重叠。内部可以定位成面对旋转轴1330。内部的上表面可以远离旋转轴1330向上倾斜，并且外部可以从内部向外延伸。外部的上表面可以远离旋转轴1330向下倾斜。内部的上端可以在上/下方向上与基板w的侧端部(lateral end portion)一致。根据实施方案，内部和外部彼此相遇的
点可以位于比内部的上端更低的位置。内部和外部彼此相遇的点可以是倒圆的。外部可以与外杯1230结合以形成回收通道，通过该回收通道回收处理介质，诸如处理液体和润湿介质。
91.外杯1230可具有围绕支承单元1300和内杯1210的杯状。外杯1230可具有底部1232、侧部1234和倾斜部1236。底部1232可以具有圆形板状，该圆形板状具有空的空间。回收线1238可以连接到底部1232。回收线1238可以用于回收供应到基板w的处理介质。由回收线1238回收的处理介质可以由外部再生系统再利用。侧部1234可以具有围绕支承单元1300的环形环状。侧部1234可从底部1232的侧向端沿竖直方向延伸。侧部1234可以从底部1232向上延伸。
92.倾斜部1236可从侧部1234的上端沿朝着外杯1230的中心轴线的方向延伸。倾斜部1236的内表面可以向上倾斜以便靠近支承单元1300。倾斜部1236可以具有环形状。在对基板w执行处理工艺的情况下，倾斜部1236的上端可以位于比被支承在支承单元1300上的基板w更高的位置。
93.内部提升构件1242和外部提升构件1244可以分别升高或降低内杯1210和外杯1230。内部提升构件1242和外部提升构件1244可以与内杯1210和外杯1230联接以分别升高或降低内杯1210和外杯1230。
94.支承单元1300可以支承并旋转基板w。支承单元1300可以是支承并旋转基板w的卡盘。支承单元1300可以包括支承板1310、旋转轴1330和旋转致动器1350。支承板1310可以具有将基板w安置在其上的安置表面。当从上方观察时，支承板1310可以具有基本圆形的形状。当从上方观察时，支承板1310可以具有比基板w小的直径。可以在支承板1310中形成抽吸孔(未示出)，并且支承板1310可以通过真空压力来夹持基板w。选择性地，支承板1310可以包括静电板(未示出)，并且可以通过静电吸引来夹持基板w。选择性地，支承板1310可以包括支承基板w的支承销，并且支承销可以与基板w物理接触以夹持基板w。
95.旋转轴1330可以与支承板1310联接。旋转轴1330可以与支承板1310的下表面联接。旋转轴1330可以设置成使旋转轴的纵向方向平行于上/下方向。旋转轴1330可以通过从旋转致动器1350传递的动力而旋转。因此，旋转轴1330可以旋转支承板1310。旋转致动器1350可以改变旋转轴1330的旋转速度。旋转致动器1350可以是提供驱动力的电动机。然而，不限于此，旋转致动器1350可以利用提供驱动力的各种公知的装置来实现。
96.气流供应单元1400可以将气流供应到内部空间1102中。气流供应单元1400可以将向下的气流供应到内部空间1102中。气流供应单元1400可以将温度和/或湿度被调节的气流供应到内部空间1102中。气流供应单元1400可以安装在壳体1100中。气流供应单元1400可以设置在处理容器1200和支承单元1300上方。气流供应单元1400可包括风扇1410、气流供应线1430和过滤器1450。气流供应线1430可以将温度和/或湿度被调节的外部气流供应到内部空间1102中。过滤器1450可以与气流供应线1430串联(成一直线，in
‑
line)设置，并且可以去除在气流供应线1430中流动的外部气流中包含的杂质。此外，风扇1410在操作时可以将由气流供应线1430供应的外部气流均匀地输送到内部空间1102中。
97.液体供应单元1500可以将处理液pr供应到支承在支承单元1300上的基板w。由液体供应单元1500供应到基板w的处理液pr可以是涂覆溶液。例如，涂覆溶液可以是光敏液体，例如光刻胶。此外，液体供应单元1500可以将预润湿液供应到支承在支承单元1300上的
基板w。由液体供应单元1500供应到基板w的预润湿液th可以是可以改变基板w的表面性质的液体。例如，预润湿液th可以是稀释剂，该稀释剂可以将基板w的表面性质改变为疏水性。
98.液体供应单元1500可以包括预润湿喷嘴1510、处理液喷嘴1530、第一臂1540、第一导轨1550和第一致动器1560。
99.预润湿喷嘴1510可将前述的预润湿液th供应至基板w。预润湿喷嘴1510可将预润湿液th以流的方式供应至基板w。预润湿喷嘴1530可以将前述的处理液pr供应到基板w。处理液喷嘴1530可以是涂覆溶液喷嘴，该涂覆溶液喷嘴供应诸如前述光刻胶的涂覆溶液。处理液喷嘴1530可以以流的方式将处理液pr供应到基板w。
100.第一臂1540可以支承预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530。预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530可以安装在第一臂1540的一个端部上。预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530可以安装在第一臂1540的一个端部的下表面上。当从上方观察时，预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530可以在与第一导轨1550(将在下面描述)的纵向方向平行的方向上布置。第一臂1540的相对端部可以与第一致动器1560联接。第一臂1540可以由移动第一臂1540的第一致动器1560移动。因此，可以改变安装在第一臂1540上的预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530的位置。第一臂1540可以沿着第一导轨1550被引导，第一致动器1560安装在该第一导轨1550上。第一导轨1550可以设置成使得该第一导轨1550的纵向方向平行于水平方向。例如，第一导轨1550可以设置成使得该第一导轨1550的纵向方向平行于第一方向12。选择性地，第一臂1540可以联接至旋转轴，该旋转轴具有的纵向方向与第三方向16平行。旋转轴可以通过致动器旋转。因此，可以改变安装在第一臂1540上的预润湿喷嘴1510和处理液喷嘴1530的位置。
101.润湿单元1600可将润湿介质m喷射到处理容器1200的处理空间1202中。例如，润湿单元1600可以在朝向基板w的上表面的方向上将润湿介质m喷射到处理空间1202中。此外，润湿单元1600可以将润湿介质m喷射到处理空间1202中面向基板w的上表面的区域。例如，润湿单元1600可以将润湿介质m喷射到处理空间1202中的基板w上方区域。
102.润湿单元1600可以安装在处理容器1200上，以朝向支承在支承单元1300上的基板w喷射润湿介质m。例如，润湿单元1600可以安装在处理容器1200上，以朝向支承在支承单元1300上的基板w的边缘区域喷射润湿介质m。此外，润湿单元1600可以安装在处理容器1200的倾斜部1236上。此外，润湿单元1600可以安装在处理容器1200的倾斜部1236的外表面上。
103.润湿单元1600可以包括润湿介质喷嘴1610和支承部1630。支承部1630可以安装在处理容器1200上。支承部1630可以安装在处理容器1200的外杯1230上。支承部1630可以安装在外杯1230的外表面上。支承部1630可以安装在外杯1230的倾斜部1236上。支承部1630可以安装在倾斜部1236的远端处。润湿介质喷嘴1610可以通过支承部1630安装在处理容器1200上。此外，可以设置至少一个润湿单元1600。例如，可以设置多个润湿单元1600。多个润湿单元1600可以安装在处理容器1200上。在设置多个润湿单元1600的情况下，当从上方观察时，润湿单元1600可以以预定间隔彼此间隔地安装在处理容器1200上。例如，可以设置四个润湿单元1600。
104.润湿介质喷嘴1610可配置为将润湿介质m喷射到处理容器1200的处理空间1202中。润湿介质喷嘴1610可配置为将润湿介质m在朝向基板w的方向上喷射到处理空间1202中。润湿介质喷嘴1610可配置为将润湿介质m在朝向基板w的边缘区域的方向上喷射到处理
空间1202中。润湿介质喷嘴1610可以配置为向下倾斜，使得分配端面向基板w。润湿介质喷嘴1610可以配置为向下倾斜，使得分配端面向基板w的边缘区域。因此，可以将润湿介质m喷射到基板w的边缘区域和/或处理空间1202中的面对基板w的边缘区域的区域。
105.此外，润湿介质喷嘴1610可以配置为将润湿介质m以细颗粒的形式进行喷射。例如，润湿介质喷嘴1610可以配置为将润湿介质m以雾的形式进行喷射。
106.由润湿单元1600喷射的润湿介质m可以是帮助处理液pr在基板w上扩散的介质。润湿介质m可以是抑制基板w上形成的液膜中包含的溶剂的蒸发的介质。润湿介质m可以是调节供应到基板w的涂覆溶液中包含的溶剂的蒸发程度的介质。例如，润湿介质m可以为稀释剂。
107.控制器1900可以控制基板处理装置10。例如，控制器1900可以控制设置在液体处理腔室360中的基板处理装置1000。控制器1900可以控制基板处理装置1000以在液体处理腔室360中在基板w上执行液体处理工艺。控制器1900可以控制基板处理装置1000以在液体处理腔室360中在基板w上执行形成液膜的涂覆工艺。例如，控制器1900可以控制处理容器1200、支承单元1300、气流供应单元1400、液体供应单元1500和润湿单元1600。例如，控制器1900可以控制支承单元1300、液体供应单元1500和润湿单元1600，使得支承单元1300支承并旋转基板w，液体供应单元1500将预润湿液tm或处理液pr供应到基板w，且润湿单元1600将润湿介质m喷射到处理空间1202中。此外，控制器1900可以控制基板处理装置10以执行下面将描述的基板处理方法。此外，控制器1900可以控制基板处理装置1000以执行下面将描述的液膜形成方法。
108.在下文中，将详细描述根据本发明构思的实施方案的基板处理方法。根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以是通过将处理液pr供应到基板w而在基板w上形成液膜的方法。然而，不限于此，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以相同地或类似地应用于需要对基板w进行液体处理的各种工艺。
109.图10是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图，以及图11为示出在通过图10的基板处理方法在基板上形成液膜的工艺中基板的rpm变化和向基板供给处理介质的时间的视图。
110.参照图10和图11，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以包括预润湿步骤s00、涂覆步骤s10、厚度调节步骤s20和干燥步骤s30。
111.预润湿步骤s00可以是将基板w的表面改变为湿润状态的步骤。在预润湿步骤s00中，预润湿喷嘴1510可以将预润湿液th供应至基板w。在预润湿步骤s00中，基板w可以以自由速度vp旋转，并且润湿喷嘴1510可将预润湿液th供应到旋转基板w的中心区域(图12)。在预润湿步骤s00中，预润湿喷嘴1510可以将预润湿液th以流的方式供应到旋转基板w的中心区域。图11示出了自由速度vp低于第一速度v1的实施例，该自由速度是预润湿步骤s00中基板w的旋转速度，该第一速度是涂覆步骤s10中基板w的旋转速度。然而，不限于此，自由速度vp可以改变为各种速度。
112.涂覆步骤(或第一步骤)s10可以是通过将处理液pr供应到基板w而在基板w上形成液膜的步骤。在涂覆步骤s10中，处理液喷嘴1530可以将处理液pr供应到基板w的中心区域(图13)。在处理液喷嘴1530将处理液pr供应到基板w的情况下，基板w可以以第一速度v1旋转。供应到旋转基板w的中心区域的处理液pr可以通过离心力从基板w的中心区域散布到基
板w的边缘区域。当由处理液喷嘴1530供应的处理液pr具有高粘度(例如300cp或更高)时，处理液pr可能不会适当地散布到基板w的边缘区域。
113.为了解决该问题，在根据本发明构思的实施方案的基板处理方法中，润湿单元1600可以将润湿介质m喷射到处理容器1200的处理空间1202中(图14)。喷射润湿介质m的持续时间和供应处理液pr的持续时间可以彼此至少部分地重叠。此外，润湿介质m喷射到基板w的位置可以比处理液pr供应到基板w的位置更远离基板w的中心。例如，润湿单元1600可以在朝向基板w的边缘区域的方向上将润湿介质m喷射到处理空间1202中。由于通过润湿单元1600喷射润湿介质m，因此，从上方观察，润湿介质m的每单位体积的浓度可以根据基板w的区域而变化。例如，从上方观察，喷射到处理空间1202中的润湿介质m的每单位体积浓度在基板w的边缘区域中可以高于在基板w的中心区域中。
114.在本发明构思的实施方案的基板处理方法中，润湿单元1600可以将润湿介质m以细颗粒(例如，雾)的形式在朝着基板w的边缘区域的方向上喷射到处理空间1202中。润湿单元1600可以从供应到基板w的处理液pr到达基板w的边缘区域时喷射润湿介质m。例如，润湿单元1600可以在开始供应处理液pr并经过设定时间之后喷射润湿介质m。例如，开始喷射润湿介质m的时间可以晚于开始供应处理液pr的时间。
115.可替代地，润湿单元1600可以基于由传感器(未示出)产生的感测信号喷射润湿介质m，该传感器设置在基板处理装置1000中并且感测处理液pr是否到达基板w的边缘区域。从处理液pr到达基板w的边缘区域时，可以连续地喷射湿润介质m(图15)。也就是说，停止喷射润湿介质m的时间可以晚于停止供应处理液pr的时间。即，在停止供应处理液pr之后，可以进一步喷射湿润介质m一段设定时间。
116.润湿介质m可以调节由处理液pr形成的液膜中包含的溶剂的蒸发程度。例如，润湿介质m可以作为溶解处理液pr(诸如光刻胶)的介质提供，并且可以使处理液pr润湿，处理液pr是有机材料。润湿介质m可以调节由处理液pr形成的液膜中包含的溶剂的蒸发程度。例如，润湿介质m可以抑制由处理液pr形成的液膜中包含的溶剂的蒸发。处理液pr中包含的溶剂可以促进处理液pr与基板w的粘附，并且在根据本发明构思的实施方案的基板处理方法中，可以在涂覆步骤s10中喷射润湿介质m以使处理液pr中包含的溶剂不蒸发而存在于处理液pr中，从而最小化处理液pr与基板w的粘附的损失。因此，可以确保形成在基板w上的液膜的均匀性(例如，厚度均匀性)，并且可以最小化由于处理液pr的不适当的扩散而引起的液膜的撕裂和不良涂覆的问题。
117.此外，当将湿润介质m以流的方式喷射到基板w的边缘区域时，由湿润介质m形成的液膜可能与由处理液pr形成的液膜碰撞并且可能妨碍处理液pr的均匀的涂覆。然而，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以以雾的形式喷射润湿介质m，从而最小化由于上述膜碰撞而导致的缺陷。另外，通过将湿润介质m以雾的形式喷射到处理空间1202中，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以将处理空间1202中的气氛改变为处理液pr易于扩散的气氛，从而更有效地确保液膜均匀性并最小化诸如撕裂和/或不良涂覆的问题。
118.再次参照图10和图11，在厚度调节步骤(或第二步骤)s20中，可以调节由供应到基板w的处理液pr形成的液膜的厚度。在厚度调节步骤s20中，可以停止处理液pr的供应，并且可以以第二速度v2旋转基板w。第二速度v2可以低于第一速度v1。因此，在厚度调节步骤s20中，液膜可以在从基板w的边缘区域朝向基板w的中心区域的方向上移动。
119.干燥步骤(或第三步骤)s30可以是干燥在基板w上形成的液膜的步骤。在干燥步骤s30中，基板w可以以第三速度v3旋转。第三速度v3可以高于第一速度v1和/或第二速度v2。在执行干燥步骤s30的情况下，可以改变第三速度v3。
120.尽管已经示例了润湿介质喷嘴1610的分配端面向基板w的边缘区域，但是本发明构思不限于此。例如，润湿介质喷嘴1610可以配置为调节朝向支承在所述支承单元1300上的所述基板w喷射的所述润湿介质m的喷射区域。在这种情况下，润湿介质喷嘴1610可以选择性地将润湿介质m喷射到基板w的中心区域或基板w的边缘区域。在向基板w供应处理液pr的情况下，可以执行喷射区域的调节。
121.如图16所示，与支承部1630a联接的润湿介质喷嘴1610a的分配端可以被设置成可旋转的并且可以改变喷射角度。润湿单元1600a可以选择性将润湿介质m喷射到基板w的中心区域或基板w的边缘区域。
122.如图17所示，与支承部1630b联接的润湿介质喷嘴1610b可以配置为选择性地将润湿介质m的喷射范围从“a”改变为“b”或从“b”改变为“a”。此外，在图16至图17中示出的本发明构思的实施方案可以彼此组合。
123.尽管已经示例了润湿介质喷嘴1610通过支承部1630固定地联接至处理容器1200，但是本发明构思不限于此。例如，如图18所示，支承部1630c可以配置为沿上/下方向升高或降低润湿介质喷嘴1610c。润湿单元1600c可以选择性将润湿介质m喷射到基板w的中心区域或基板w的边缘区域。此外，在图18示出的本发明构思的实施方案、和图16和图17中示出的本发明构思的实施方案可以彼此组合。
124.图19和图20为示出了根据本发明构思的实施方案的润湿介质喷射方法的视图。参照图19和图20，润湿单元1600c可以喷射润湿介质m，使得从上方观察时，润湿介质m的每单位体积的浓度根据基板w的区域而变化。例如，当润湿单元1600c将润湿介质m喷射到从上方观察时的基板w的边缘区域时，润湿单元1600c可以喷射润湿介质m，使得润湿介质m的每单位体积的浓度等于第一浓度。例如，当润湿单元1600c将润湿介质m喷射到从上方观察时的基板w的中心区域时，润湿单元1600c可以喷射润湿介质m，使得润湿介质m的每单位体积的浓度等于第二浓度。第二浓度可以小于第一浓度。
125.尽管已经示例了润湿单元1600安装在处理容器1200上，但是本发明构思不限于此。例如，如图21和图22所示，润湿单元1600d可以包括润湿介质喷嘴1610d、第二臂1640d、第二导轨1650d和第二致动器1660d。
126.第二臂1640d可以支承润湿介质喷嘴1610d。润湿介质喷嘴1610d可以安装在第二臂1640d的一个端部上。润湿介质喷嘴1610d可以安装在第二臂1640d的一个端部的下表面上。当从上方观察时，第二臂1640d的相对端部可以与第二致动器1660d联接。第二臂1640d可以由移动第二臂1640d的第二致动器1660d移动。因此，可以改变安装在第二臂1640d上的润湿介质喷嘴1610d的位置。第二臂1640d可以沿着第二导轨1650d被引导，第二致动器1660d安装在该第二导轨1650d上。第二导轨1650d可以设置成使得该第二导轨1650d的纵向方向平行于水平方向。选择性地，第二臂1640d可以联接至旋转轴，该旋转轴具有的纵向方向与第三方向16平行。旋转轴可以通过致动器旋转。因此，可以改变安装在第二臂1640d上的润湿介质喷嘴1610d的位置。此外，润湿单元1600d和液体供应单元1500可以彼此独立地被驱动。
127.尽管已经示例了润湿单元1600安装在处理容器1200上，但是本发明构思不限于此。例如，如图23所示，可以将润湿单元的润湿介质喷嘴1610e安装在液体供应单元1500上。例如，润湿介质喷嘴1610e可以安装在液体供应单元1500中包含的第一臂1540的下表面上。
128.尽管已经示例了润湿单元1600安装在处理容器1200上，但是本发明构思不限于此。例如，如图24所示，润湿单元1600f可以安装在气流供应单元1400中。气流供应单元1400的风扇1410可以安装在与支承在支承单元1300上的基板w的中心区域相对应的区域中，且润湿单元1600f可以安装在与支承在支承单元1300上的基板w的边缘区域相对应的区域中。此外，当将润湿单元1600f安装在气流供应单元1400中时，润湿单元1600f可以具有喷射润湿介质m和气流的结构，该润湿介质m和气流的温度和/或湿度被调节。例如，润湿单元1600f可以配置为混合并供应润湿介质m和气流。
129.尽管已经示例了润湿单元1600安装在处理容器1200上，但是本发明构思不限于此。例如，如图25所示，处理液喷嘴1530可以安装在第一臂1540上并且可以由第一臂1540支承，以及预润湿喷嘴1510和润湿喷嘴1610f可以安装在第二臂1640f上并且可以由第二臂1640f支承。预润湿喷嘴1510可配置为以流的形式供应预润湿液th，并且润湿喷嘴1610f可配置为以雾的形式喷射润湿介质m。此外，第一臂1540和第二臂1640f可以彼此独立地被驱动。在这种情况下，在预润湿步骤s00中，第二臂1640f可将预润湿喷嘴1510移动到基板w的中心区域上方的区域，且预润湿喷嘴1510可以将预润湿液th供应到基板w的中心区域。此外，在涂覆步骤s10中，第二臂1640f可以将润湿喷嘴1610f移动到基板w的边缘区域上方的区域，且润湿喷嘴1610f可以将润湿介质m喷射到基板w的边缘区域。
130.尽管已经示例了润湿单元1600安装在处理容器1200上，但是本发明构思不限于此。润湿单元1600可以安装在壳体1100的内壁上。例如，润湿单元1600可以安装在壳体1100的内壁上、在与支承在支承单元1300上的基板w的边缘区域相对应的位置中。
131.尽管已经示例出在涂覆步骤s10中，液体供应单元1500供应处理液pr，且润湿单元1600从处理液pr到达基板w的边缘区域时喷射润湿介质m，但是本发明构思不限于此。例如，如图26所示，润湿单元1600可以在液体供应单元1500供应处理液pr之前(在涂覆步骤s10开始之前)将润湿介质m喷射到处理空间1202中。也就是说，开始喷射润湿介质m的时间可以早于开始供应处理液pr的时间。
132.尽管已经示例出在涂覆步骤s10中，液体供应单元1500供应处理液pr，且润湿单元1600从处理液pr到达基板w的边缘区域时喷射润湿介质m，但是本发明构思不限于此。例如，如图27所示，润湿单元1600可以将润湿介质m喷射到处理空间1202中，同时液体供应单元1500供应处理液pr。也就是说，开始喷射润湿介质m的时间可以与开始供应处理液pr的时间一致。
133.尽管已经示例出了即使在停止供应处理液pr之后也继续喷射润湿介质m，但是本发明构思不限于此。例如，如图28所示，停止供应处理液pr的时间可以与停止喷射润湿介质m的时间一致。选择性地，如图29所示，停止喷射润湿介质m的时间可以早于停止供应处理液pr的时间。
134.尽管已经示例出了开始喷射润湿介质m的时间晚于开始供应处理液pr的时间，以及停止喷射润湿介质m的时间晚于停止供应处理液pr的时间，但是本发明构思不限于此。例如，如图30所示，开始喷射润湿介质m的时间和停止喷射润湿介质m的时间可以分别与开始
供应处理液pr的时间和停止供应处理液pr的时间一致。
135.尽管已经示例出了在涂覆步骤s10中，润湿单元1600喷射润湿介质m，但是本发明构思不限于此。例如，润湿单元1600可以将润湿介质m在涂覆步骤s10、厚度调节步骤s20或干燥步骤s30中的至少一者中喷射到处理空间1202中。例如，如图31所示，润湿单元1600可以将润湿介质m在涂覆步骤s10和厚度调节步骤s20中喷射到处理空间1202中。可替代地，如图32所示，润湿单元1600可以将润湿介质m在涂覆步骤s10、厚度调节步骤s20和干燥步骤s30中喷射到处理空间1202中。在另一种情况下，如图33所示，润湿单元1600可以在厚度调节步骤s20和干燥步骤s30中喷射润湿介质m。也就是说，润湿单元1600可以在停止供应处理液pr之后喷射润湿介质m。当在干燥步骤s30中喷射润湿介质m时，可以在干燥步骤s30结束之前停止润湿介质m的喷射。这是因为润湿介质m比处理液pr挥发更快，这是为了更快地干燥处理液rp。
136.在另一种情况下，在预润湿步骤s00、涂覆步骤s10、厚度调节步骤s20和干燥步骤s30之间，润湿单元1600可以将润湿介质m喷射到处理空间1202中。
137.再次参照图3和图4，设置了多个缓冲腔室312和316。缓冲腔室312和316中的一些设置在索引模块100与传送腔室350之间。在下文中，这些缓冲腔室被称为前缓冲区312。前缓冲区312沿上/下方向彼此堆叠。其他缓冲腔室316设置在传送腔室350与接口模块500之间。这些缓冲腔室被称为后缓冲区316。后缓冲区316沿上/下方向彼此堆叠。前缓冲区312和后缓冲区316临时存储多个基板w。存储在前缓冲区312中的基板w由索引机械手132和传送机械手352装载和卸载。储存在后缓冲区316中的基板w由传送机械手352和第一机械手552装载或卸载。
138.显影块300b具有热处理腔室320、传送腔室350和液体处理腔室360。显影块300b的热处理腔室320和传送腔室350以与涂覆块300a的热处理腔室320和传送腔室350的结构基本相似的结构设置。因此，将省略对其的详细描述。
139.显影块300b中的液体处理腔室360设置为显影腔室360，所有显影腔室360相同地供应显影溶液以在基板w上执行显影工艺。
140.接口模块500将处理模块300与外部曝光装置700连接。接口模块500具有接口框架510、附加工艺腔室520、接口缓冲区530和传送构件550。
141.接口框架510在其顶部处可以具有风扇过滤单元，该风扇过滤单元在接口框架510中形成向下的气流。附加工艺腔室520、接口缓冲区530和传送构件550设置在接口框架510中。在将在涂覆块300a中处理的基板w传送至曝光装置700之前，附加工艺腔室520可以执行预定的附加工艺。选择性地，在将在曝光装置700中处理的基板w传送至显影块300b之前，附加工艺腔室520可以执行预定的附加工艺。根据一实施方案，附加工艺可以是将基板w的边缘区域暴露于光的边缘曝光工艺、清洁基板w的顶侧的顶侧清洁工艺、或清洁基板w的后侧的后侧清洁工艺。可以设置多个附加工艺腔室520。附加工艺腔室520可以彼此堆叠。附加工艺腔室520可以全部执行相同的工艺。选择性地，附加工艺腔室520中的一些可以执行不同的工艺。
142.接口缓冲区530提供在涂覆块300a、附加工艺腔室520、曝光装置700和显影块300b之间传送的基板w在传送时临时停留的空间。可以设置多个接口缓冲区530。接口缓冲区530可以彼此堆叠。
143.根据一实施方案，附加工艺腔室520可以设置在面向传送腔室350的纵向方向的延长线的一侧上，并且接口缓冲区530可以设置在该延长线的相对侧上。
144.传送构件550在涂覆块300a、附加工艺腔室520、曝光装置700和显影块300b之间传送基板w。传送构件550可以由一个或多个机械手实施。根据一实施方案，传送构件550具有第一机械手552和第二机械手554。第一机械手552可以在涂覆块300a、附加工艺腔室520和接口缓冲区530之间传送基板w。第二机械手554可以在接口缓冲区530和曝光装置700之间传送基板w，并且可以在接口缓冲区530和显影块300b之间传送基板w。
145.第一机械手552和第二机械手554每个都包括手部，基板w放置在手部上，并且手部向前向后为可移动的、围绕平行于第三方向16的轴线为可旋转的、以及沿第三方向16为可移动的。
146.索引机械手132、第一机械手552和第二机械手554的手部可全部具有与传送机械手352的手部354相同的形状。选择性地，与各热处理腔室3200的传送板3240直接交换基板w的机械手的手部可以具有与传送机械手352的手部354相同的形状，并且剩余机械手的手部可以具有与传送机械手352的手部354不同的形状。
147.根据一实施方案，索引机械手132可直接与设置在涂覆块300a中的前热处理腔室3200的加热单元3230交换基板w。此外，设置在涂覆块300a和显影块300b中的传送机械手352可以与位于热处理腔室320中的传送板3240直接交换基板w。
148.上面已经描述了通过将处理液pr供应至基板w而在基板w上形成液膜的装置和方法。然而，本发明构思不限于此，并且上述内容可以相同或相似地应用于通过将液体供应至基板w来处理基板w的装置和方法。
149.如上所述，根据本发明构思的实施方案，可以有效地处理基板。
150.此外，根据本发明构思的实施方案，可以改善形成在基板上的液膜的均匀性。
151.另外，根据本发明构思的实施方案，可以最小化基板上形成的液膜中的缺陷(诸如撕裂和/或不良涂覆)。
152.本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
153.以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
154.虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。