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显示装置及制造显示装置的方法与流程

2021-12-08 02:55:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.显示装置,包括:衬底,包括接触区域和线区域;第一电极,在所述衬底上在第一方向上延伸;第一电极图案,在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且与所述第一电极间隔开;第二电极,在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且位于所述第一电极与所述第一电极图案之间;第二电极图案,在所述衬底上在所述第一方向上延伸并且位于所述第一电极与所述第二电极之间;第一发光元件,在所述接触区域中位于所述第一电极与所述第二电极图案之间;第一接触电极,在所述接触区域中位于所述第一电极上并且与所述第一发光元件的第一端部接触;第二接触电极,包括第一区域和第二区域,其中,所述第一区域在所述接触区域中位于所述第二电极图案上并且与所述第一发光元件的第二端部接触,以及其中所述第二区域从所述第一区域延伸并且位于所述线区域中;以及第一图案,位于所述线区域中的所述第二区域上。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一图案与所述第二区域物理接触。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一图案包括与所述第一接触电极相同的材料。4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括在所述接触区域中位于所述第二电极与所述第一电极图案之间的第二发光元件。5.根据权利要求4所述的显示装置,还包括在所述接触区域中位于所述第二电极上的第三接触电极,并且所述第三接触电极与所述第二发光元件的第一端部接触,其中,所述第二接触电极还包括第三区域,所述第三区域从所述第二区域延伸以在所述接触区域中位于所述第一电极图案上,并且与所述第二发光元件的第二端部接触。6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三接触电极包括与所述第一接触电极相同的材料。7.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于所述第二接触电极上的绝缘层,其中,所述绝缘层在所述线区域中暴露所述第二区域的至少一部分,并且在所述接触区域中覆盖所述第一区域。8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一图案与所述第二区域的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分物理接触。9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第二区域的上表面与所述第一图案的下表面直接接触。10.根据权利要求1所述的显示装置,还包括位于所述第二接触电极上的绝缘层,其中,所述绝缘层在所述线区域中位于所述第一图案与所述第二区域之间,并且包括穿透所述绝缘层的多个接触孔以暴露所述第二区域的一部分。11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一图案通过穿透所述绝缘层的所述多个接触孔与所述第二区域直接接触。12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一接触电极的厚度、所述第二接触电
极的厚度和所述第一图案的厚度各自在至的范围内。13.显示装置,包括:衬底;电极层,位于所述衬底上,并且包括第一电极、与所述第一电极间隔开的第一电极图案、位于所述第一电极与所述第一电极图案之间的第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第二电极图案;多个发光元件,位于所述电极层上,并且包括第一发光元件和第二发光元件,其中,所述第一发光元件的两个端部分别位于所述第一电极和所述第二电极图案上,以及其中,所述第二发光元件的两个端部分别位于所述第二电极和所述第一电极图案上;第一接触电极,位于所述第一电极上以与所述第一电极重叠并且与所述第一发光元件的第一端部接触;第二接触电极,位于所述第二电极上以与所述第二电极重叠并且与所述第二发光元件的第一端部接触;第三接触电极,位于所述电极层上,并且包括第一区域、第二区域和第三区域,其中,所述第一区域与所述第二电极图案重叠并且与所述第一发光元件的第二端部接触,所述第二区域与所述第一电极图案重叠并且与所述第二发光元件的第二端部接触,以及所述第三区域将所述第一区域与所述第二区域联接;绝缘层,位于所述第三接触电极上;以及第一图案,位于所述第三区域上。14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述绝缘层覆盖所述第一区域和所述第二区域并且暴露所述第三区域的至少一部分。15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述第一图案与所述第三区域的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分物理接触。16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述第三接触电极包括结晶铟锡氧化物,以及其中,所述第一图案包括结晶铟锡氧化物和/或非晶铟锡氧化物。17.制造显示装置的方法,所述方法包括:在包括线区域和接触区域的目标衬底上形成包括彼此间隔开的第一电极层和第二电极层的电极层,并且在所述接触区域中在所述第一电极层与所述第二电极层之间设置多个发光元件;在所述电极层上形成接触电极材料图案;通过对所述接触电极材料图案执行热处理形成接触电极;以及在所述线区域中在所述接触电极上形成第一图案。18.根据权利要求17所述的方法,其中,形成所述接触电极包括通过对包括非晶铟锡氧化物的所述接触电极材料图案执行热处理来形成包括结晶铟锡氧化物的所述接触电极,以及其中,所述热处理在200℃至270℃的温度下执行10分钟至20分钟。19.根据权利要求17所述的方法,还包括在形成所述第一图案之前,在所述接触电极上形成绝缘层,
其中,所述绝缘层在所述线区域中暴露所述接触电极的至少一部分,以及其中,所述第一图案位于所述接触电极的由所述绝缘层暴露的所述至少一部分上。20.根据权利要求17所述的方法,其中,所述第一电极层包括第一电极和与所述第一电极间隔开的第一电极图案,其中,所述第二电极层包括位于所述第一电极与所述第一电极图案之间的第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第二电极图案,其中,所述接触电极包括在所述接触区域中位于所述第二电极图案上的第一区域、在所述接触区域中位于所述第一电极图案上的第二区域以及在所述线区域中位于所述第二区域与所述第一区域之间的第三区域,以及其中,所述第一图案位于所述第三区域上。

技术总结
提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一电极、第一电极图案、第二电极、第二电极图案和第一发光元件,衬底包括接触区域和线区域,第一电极在衬底上在第一方向上延伸,第一电极图案在衬底上在第一方向上延伸并且与第一电极间隔开,第二电极在衬底上在第一方向上延伸并且位于第一电极与第一电极图案之间,第二电极图案在衬底上在第一方向上延伸并且位于第一电极与第二电极之间,第一发光元件在接触区域中位于第一电极与第二电极图案之间。极图案之间。极图案之间。


技术研发人员:李宗璨 朴相俊 李政炫 郑雄喜 洪光泽
受保护的技术使用者:三星显示有限公司
技术研发日:2021.06.02
技术公布日:2021/12/7
再多了解一些

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