气相色谱-质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法及半导体器件的加工工艺与流程

气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法及半导体器件的加工工艺
技术领域
1.本技术涉及材料检测技术领域，具体而言，涉及一种气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法和半导体器件的加工工艺。


背景技术：

2.光刻胶又称光致抗蚀剂，它的主要成分是树脂、感光化合物、溶剂和添加剂。
3.光刻胶经光束、电子束、离子束等能量辐射后，在曝光区域能很快地发生光化学反应，使得光刻胶物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化，在平板显示、集成电路，半导体封装等领域中有着广泛的应用。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体材料上，经曝光、显影后留下的部分对底层起到保护作用，用蚀刻剂进行蚀刻时就可将所需要的微细图形从掩膜版转移到待加工的衬底上。
4.在光刻工艺中，经过前烘使光刻胶中的溶剂蒸发，得到膜厚均一的胶膜，增加光刻胶与衬底之间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力。因此，经过前烘后光刻胶膜中残留溶剂的含量，对光刻胶的性能有着重要影响。
5.光刻胶中最常用的溶剂是丙二醇甲醚醋酸酯(pma)和乳酸乙酯(el)，溶剂的含量通常在70％
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90％之间，光刻胶中溶剂的定量分析通常采用气相色谱法(gc)。但在光刻工艺中，光刻胶经过前烘，大量的溶剂被蒸发掉，在硅片上形成一层膜厚均一的胶膜，胶膜的质量很小只有十几微克，而这十几微克的胶膜中所残留的溶剂也是很微量的，用气相色谱是无法对其进行准确定量的。


技术实现要素：

6.为了解决上述技术问题，本技术提供了一种气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法及半导体器件的加工工艺。
7.为了实现上述目的，根据本发明实施例的第一方面，提供了一种气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法，其包括以下步骤：
8.将涂覆有光刻胶膜的硅片碎片放入萃取剂中进行超声萃取，将萃取液和内标溶液配置为待测样品液；
9.配制不同浓度的丙二醇甲醚醋酸酯的标准品溶液；
10.用气相色谱
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质谱联用检测各标准品溶液，根据丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比与丙二醇甲醚醋酸酯的浓度进行回归分析，建立回归方程；
11.采用与各标准品溶液相同的检测条件检测待测样品液，获得丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比，将其代入所述回归方程进行计算，得到待测样品液中丙二醇甲醚醋酸酯的浓度。
12.进一步地，所述内标物为正辛酸甲酯。
13.进一步地，涂覆有光刻胶膜的硅片碎片的制备方法为：将涂覆有光刻胶膜的硅片
用金刚石笔裁成1cm2的小块。
14.进一步地，所述超声萃取的步骤包括：将所述硅片碎片放入样品瓶中，加入萃取液浸没，将加盖密封的样品瓶置于超声清洗机内超声萃取20min。
15.进一步地，所述萃取液选自醇、酮、腈、醚和烷烃中的一种或几种。
16.进一步地，所述萃取液为丙酮，所述内标溶液为正辛酸甲酯的丙酮溶液。
17.进一步地，涂覆有光刻胶膜的硅片的制备方法包括：采用旋转涂布的方式在涂胶显影一体机的涂胶槽内将光刻胶均匀涂布在所述硅片上，在涂胶显影一体机的热板单元内前烘，然后经过冷板冷却到室温。
18.进一步地，在旋转涂布光刻胶之前，用异丙醇将所述硅片的背面擦干净，用涂胶显影一体机的清洗程序清洗所述硅片正面。
19.进一步地，前烘工艺的温度为90～130℃。
20.为了实现上述目的，根据本发明实施例的第二方面，提供了一种半导体器件的加工工艺，该加工工艺包括获得预设转数和最佳前烘温度、涂胶、前烘、曝光、显影和后烘步骤，在涂胶步骤中按照所述预设转数采用旋转涂布的工艺完成，所述前烘步骤中采用所述最佳前烘温度完成，所述预设转数和所述最佳前烘温度通过本发明实施例第一方面的气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法完成。
21.本技术中提供的气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法中，将硅片碎片浸沒在溶剂中，通过超声萃取，既可以确保光刻胶膜的质量没有损失，又能将光刻胶膜中质量只有十几微克的残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯全部溶解在萃取液中，而且该过程无需进行光刻胶膜与硅片的分离，简单易行。采用内标法，通过气相色谱
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质谱联用对光刻胶膜中的微量残留组分丙二醇甲醚醋酸酯进行定量分析，实验重复性、重现性好，分析测定灵敏度高，定量结果准确。
附图说明
22.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
23.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本技术实施例1中内标溶液正辛酸甲酯溶液的气质色谱图，其中第一个谱图为峰强度与保留时间(time)之间的关系，第二个谱图包括峰强度与m/z之间的关系。
25.图2是本技术中浓度为42mg/l的丙二醇甲醚醋酸酯的气质色谱图，其中第一个谱图为峰强度与保留时间(time)之间的关系，第二个谱图包括峰强度与m/z之间的关系。
26.图3是本技术实施例1中样品待测液的气质色谱图。
27.图4是本技术实施例1
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6中样品待测液与浓度为42mg/l标准品溶液的气质色谱图，自上而下依次对应实施例1
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6中样品待测液与浓度为42mg/l标准品溶液。
具体实施方式
28.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的
附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
29.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
30.在本技术中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本技术及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。
31.并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本技术中的具体含义。
32.此外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
33.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图1
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4并结合实施例来详细说明本技术。
34.本发明实施例提供的气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法包括以下步骤。
35.步骤1：将涂覆有光刻胶膜的硅片碎片放入萃取剂中进行超声萃取，将萃取液和内标溶液配置为待测样品液。
36.步骤1
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1，首先需要准备一块硅片，例如其尺寸规格可以选择为6英寸，用分析天平准确称量硅片的质量m1，然后用异丙醇将所述硅片的背面擦干净，用涂胶显影一体机的清洗程序清洗所述硅片正面。
37.步骤1
‑
2，获得涂覆有光刻胶膜的硅片：采用旋转涂布的方式在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内将光刻胶均匀涂布在所述硅片上，在涂胶显影一体机的热板单元内前烘，然后经过冷板冷却到室温，获的涂覆有光刻胶膜的硅片，其中前烘工艺的温度为90～140℃，前烘工艺的时间60～90s。
38.步骤1
‑
3，准确称量前烘后的硅片与光刻胶膜的总质量m2，然后通过下面的公式(1)计算光刻胶膜的质量m
光刻胶膜
：
39.m
光刻胶膜
＝m2‑
m1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)；
40.步骤1
‑
4，将涂覆有光刻胶膜的硅片制备成硅片碎片，例如，可以将涂覆有光刻胶膜的硅片用金刚石笔裁成1cm2的小块。
41.步骤1
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5，将所有硅片碎片放入样品瓶中，加入萃取液浸没，记录加入萃取液的质量m3，加入萃取液的体积v
萃取液
可以根据下面的公式(2)计算：
42.v
萃取液
＝m3/ρ
萃取液
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)；
43.其中ρ
萃取液
为萃取液的密度。
44.硅片上光刻胶膜的质量通常只有十几微克，而且光刻胶膜粘在硅片上不好分离，将其裁成1cm2的小块，浸沒在溶剂中，超声萃取，既可以确保光刻胶膜的质量没有损失，又能将光刻胶膜中的残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯全部溶解在萃取液中，而且该过程简单易行。
45.步骤1
‑
6，将加盖密封的样品瓶置于超声清洗机内超声萃取20min。技术人员通过实验研究发现，对同一样品进行超声萃取，随着提取时间增加，测定值也随之增高，但20min后测定值基本不再增加，因此本发明实施例选择超声萃取时间为20min，为最节能高效的超声萃取时间。
46.步骤1
‑
7，将萃取液和内标溶液配置为待测样品液，例如可以在10ml的容量瓶中加入1.0ml浓度为200mg/l的内标溶液，再加入样品瓶中的萃取液至刻度，摇匀，获得含有内标物待测样品液。
47.在步骤1中，萃取液可以选自醇、酮、腈、醚和烷烃中的一种或几种，优选为为丙酮，内标物选择为正辛酸甲酯，内标溶液优选为正辛酸甲酯的丙酮溶液。光刻胶中的主体树脂是酚醛类树脂，感光化合物是苯的衍生物，光刻胶还包括其他必要的添加剂，上述各组织与内标物正辛酸甲酯具有不同的化学结构，要测定的目标物丙二醇甲醚醋酸酯虽然也是酯类，具有相似的化学性质，但它的结构中还含有羰基和醚键，与内标物正辛酸甲酯的结构差异也很大，在气质中有不同的出峰位置，通过图1和图2可以看出二者具有不同的出峰位置，并且特征峰之间的保留时间差距不大。
48.步骤2：配制不同浓度的丙二醇甲醚醋酸酯的标准品溶液。
49.可选地，本发明实施例可以通过如下方法来配置标准品溶液。
50.内标溶液的配制：称取1.0197g正辛酸甲酯置于100ml容量瓶中，加入丙酮溶液定容，摇匀，得到10197mg/l的正辛酸甲酯溶液；取上述溶液1.0ml至50ml容量瓶中，用丙酮溶液定容，摇匀，得到203.94mg/l的正辛酸甲酯溶液。
51.标准系列溶液的配制：称取1.0671g丙二醇甲醚醋酸酯(pgmea)置于100ml容量瓶中，加入丙酮溶液定容，摇匀，得到10671mg/l的丙二醇甲醚醋酸酯溶液；取上述溶液1ml至100ml容量瓶中，用丙酮溶液定容，摇匀，得到106.71mg/l的丙二醇甲醚醋酸酯溶液；用移液管分别移取106.71mg/l的丙二醇甲醚醋酸酯溶液1.0ml、2.0ml、4.0ml、5.0ml、8.0ml置于10ml的容量瓶中，分别加入1ml内标正辛酸甲酯溶液，用丙酮定容，摇匀。
52.步骤3，用气相色谱
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质谱联用检测步骤2获得的各标准品溶液，根据丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比与丙二醇甲醚醋酸酯的浓度进行回归分析，其中以丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比为纵坐标，以丙二醇甲醚醋酸酯的浓度为横坐标，建立回归方程。丙二醇甲醚醋酸酯在质谱图中的最强带电粒子的质量数与电荷数之比(m/z)约为133，正辛酸甲酯在质谱图中的最强带电粒子的质量数与电荷数之比(m/z)约为159，作为特征峰进行定量分析。
53.测试条件为：
54.色谱柱选择为trace tr
‑
5ms，5％苯基聚硅氧烷，长30m，直径0.25mm，膜厚度0.25μm；气相色谱的载气为氦气，流速1.0ml/min，进样口温度为260℃，进样量2.0ul，分流比15:1；升温程序为以初温50℃保持2min，然后以10℃/min升至320℃，保持10min。
55.质谱检测器：ei离子源，电离电压70ev，离子源温度为250℃，扫描范围m/z为50～650amu，传输线温度280℃，溶剂延迟时间为3.5min，测试得到样品的总离子流图。
56.内标正辛酸甲酯的出峰时间为9.79min，丙二醇甲醚醋酸酯的出峰时间为5.52min。
57.具体地，将步骤2中的5个不同浓度的标样分别进gc
‑
ms进行检测后，根据丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比与丙二醇甲醚醋酸酯浓度比进行回归分析后，建立的回归方程(3)为：
58.y＝1.51193x
‑
0.00966504r2＝0.9977(3)；
59.其中：
60.y为丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱分峰的面积比值；
61.x为标准系列溶液中丙二醇甲醚醋酸酯的浓度，mg/l。
62.步骤4，采用与步骤3中相同的检测条件检测待测样品液，获得丙二醇甲醚醋酸酯与内标物的离子色谱峰的面积比，将其代入步骤3所获得的回归方程进行计算，得到待测样品液中丙二醇甲醚醋酸酯的浓度x
待测样品液
。待测样品液中丙二醇甲醚醋酸酯的质量m
丙二醇甲醚醋酸酯
根据下式(4)计算：
[0063][0064]
其中：
[0065]
x
待测样品液
为根据回归方程(3)得到的样品待测液中丙二醇甲醚醋酸酯的浓度，mg/l。
[0066]
光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的质量百分含量wt％
丙二醇甲醚醋酸酯
根据式(5)计算：
[0067][0068]
实施例1
[0069]
dk1
#
光刻胶用3170rmp旋转涂布后，用90℃/60s的pab条件前烘后，光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量，做3次平行测试。
[0070]
内标溶液的配制：称取1.0197g正辛酸甲酯置于100ml容量瓶中，加入丙酮溶液定容，摇匀，得到10197mg/l的正辛酸甲酯溶液；取上述溶液1.0ml至50ml容量瓶中，用丙酮溶液定容，摇匀，得到203.94mg/l的正辛酸甲酯溶液。内标溶液正辛酸甲酯溶液的气质色谱图如图1所示。
[0071]
待测样品液的制备：取一张6英寸的硅片，用分析天平准确称量硅片的质量；用异丙醇将硅片的背面擦干净，用涂胶显影一体机的清洗程序清洗正面；在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内用3170rpm的转数涂布光刻胶，用90℃/60s的前烘条件进行前烘，用反射光谱式膜厚仪测定前烘后形成的光刻胶膜的膜厚；准确称量前烘后的硅片与光刻胶膜的总质量；在涂膜的硅片背面用金刚石笔裁成1cm2的小格，将其掰碎，将所有碎片放入100ml的超净瓶中，加入10g左右的丙酮浸没碎片，加盖密封，将样品瓶置于超声清洗机内超声萃取20min；在10ml的容量瓶中加入1.0ml内标溶液，再加入样品瓶中的萃取液9.0ml至刻度，
摇匀。用微量进样器取2.0ul该溶液进气相色谱
‑
质谱联用仪进行定量分析。
[0072]
测试条件：
[0073]
色谱柱选择为trace tr
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5ms，5％苯基聚硅氧烷，长30m，直径0.25mm，膜厚度0.25μm；气相色谱的载气为氦气，流速1.0ml/min，进样口温度为260℃，进样量2.0ul，分流比15:1；升温程序为以初温50℃保持2min，然后以10℃/min升至320℃，保持10min。
[0074]
质谱检测器采用ei离子源，电离电压70ev，离子源温度为250℃，扫描范围m/z为50～650amu，传输线温度280℃，溶剂延迟时间为3.5min，测试得到样品的总离子流图，参见图3。
[0075]
内标正辛酸甲酯的出峰时间为9.79min，丙二醇甲醚醋酸酯的出峰时间为5.52min。
[0076]
通过式(1)
‑
式(5)计算光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的质量百分含量wt％
丙二醇甲醚醋酸酯
。计算得光刻胶膜中残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的质量百分含量见表1：
[0077]
表1实施例1中光刻胶膜中残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量
[0078][0079]
实施例2
[0080]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用95℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0081]
实施例3
[0082]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用100℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0083]
实施例4
[0084]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施
例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用105℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0085]
实施例5
[0086]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用110℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0087]
实施例6
[0088]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用115℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0089]
实施例7
[0090]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用120℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0091]
实施例8
[0092]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用125℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0093]
实施例9
[0094]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用130℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0095]
实施例10
[0096]
本实施例中光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法与实施例1相同，不同之处仅在于硅片在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内涂布光刻胶后，用135℃/60s的前烘条件进行前烘，气质图谱参见图4。
[0097]
通过式(1)
‑
式(5)分别计算实施例2
‑
6中的光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的质量百分含量wt％
丙二醇甲醚醋酸酯
，见表2。
[0098]
表2.实施例1
‑
10中光刻胶膜中残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量
[0099][0100]
实施例11
[0101]
通过表1和表2中的数据可以看出，随着前烘温度的升高，光刻胶中残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量呈现出逐渐降低，并且当温度升高到一定程度后，光刻胶中残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的减低幅度明显减弱，pma质量百分含量随温度的下降梯度降至0.002
‑
0.016％/℃，即当前烘温度每升高一摄氏度，仅能够使得pma残留的质量百分含量下降十万分之二至十万分之十六，效果以及可以忽略不计。由此可以根据实施例1
‑
10中提供的光刻胶膜中残留的溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量的测试方法，获得一系列前烘温度下的丙二醇甲醚醋酸酯的含量，选择使得残留溶剂pma质量百分含量下降梯度小于0.050％时的最低前烘温度作为光刻胶的最佳前烘温度。具体在本发明实施例中，最佳的前烘温度为125℃。
[0102]
在光刻胶的应用中，前烘后的光刻胶膜的膜厚是一个重要的参数，对于同一光刻胶，膜厚不同，光刻胶膜的质量不同，它在应用过程中表现出来的性能就会有差异，而光刻胶膜中残留溶剂的含量对光刻胶的性能也会有影响，技术人员通过研究发现，采用旋转涂布过程中的转数调节可以获得与实际应用中相近的膜厚。具体地，在相同的前烘工艺条件下，当需要控制获得的光刻胶膜的厚度时，可以通过调整在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内旋转涂布光刻胶的转数r2来进行控制，具体通过下面的公式(6)进行：
[0103][0104]
其中：
[0105]
r1为预设转数；
[0106]
ft1为通过预设转数r1旋转涂布光刻胶后，经前烘工艺后获得的光刻胶膜厚度，该厚度可以通过反射光谱式膜厚仪测定；
[0107]
ft2为欲获得的光刻胶膜的厚度。
[0108]
例如在本发明实施例1
‑
10中，确定出实施例8中前烘温度125℃为最佳前烘温度，则在光刻胶工艺采用125℃为前烘温度，实施例8中采用的转数为3170rpm，前烘工后获得的光刻胶膜厚为即r1＝3170rpm，假设欲获得的光刻胶膜的厚度则将上述参数带入式(6)即可计算得出需要调整转数r2＝4449rpm。
[0109]
基于此，本实施例提出了一种半导体器件的加工工艺，至少包括以下步骤：涂胶、前烘、曝光、显影和后烘。在进行涂胶步骤之前，需要首先获取涂胶的预设转数和前烘步骤的最佳前烘温度，具体的获取过程参照前文所述，即采用发明实施例提供的气相色谱
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质谱联用检测光刻胶膜中丙二醇甲醚醋酸酯的方法获得一系列前烘温度下的光刻胶中残留溶剂丙二醇甲醚醋酸酯的含量，选择使得残留溶剂pma质量百分含量下降梯度小于0.050％时的最低前烘温度作为光刻胶的最佳前烘温度，通过公式(6)获得涂胶步骤中的预设转数。
[0110]
当然，在涂胶之前，需要先准备一块硅片，例如其尺寸规格可以选择为6英寸，然后用异丙醇将所述硅片的背面擦干净，用涂胶显影一体机的清洗程序清洗所述硅片正面，然后采用干燥工艺使硅片表面具有干燥、疏水的特性。
[0111]
在涂胶步骤中，采用旋转涂布的方式在涂胶显影一体机(track)的涂胶槽内用预设转数将光刻胶均匀涂布在所述硅片上。
[0112]
前烘的步骤是使旋转涂布后的光刻胶中的溶剂挥发、光刻胶膜保持干燥、以利于光化反应时反应充分。具体地，在涂胶显影一体机的热板单元内通过最佳前烘温度进行前烘，然后经过冷板冷却到室温，获的涂覆有光刻胶膜的硅片。
[0113]
曝光的步骤是使感光区的光刻胶膜发生光化反应、在显影时发生溶变，显影的步骤是在显影液中、溶除要求去掉的光刻胶膜部分。例如可以采用紫外光光刻机及其所进行的接触式、选择性、紫外光曝光工艺方法进行曝光工艺的处理，使感光区的胶膜发生光化反应、在显影时发生溶变。后烘是在硅片显影结束后进行的一次烘焙，主要作用是去除残留的溶剂和水，提高胶结构的热稳定性，提高胶结构对衬底的粘附性。
[0114]
需要说明的是，本发明实施例提供的半导体加工工艺中各步骤的具体操作对于本领域的普通技术人员来说是可知的，也可以包括其他未述及的操作步骤，均可以参照现有技术中相关工艺，在此不再详细描述。
[0115]
本说明书中部分实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0116]
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的
一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。