蚀刻系统及蚀刻方法与流程

技术特征：
1.一种蚀刻系统，其特征在于，包含：一电浆处理腔室；一晶圆座，被构造以被放置在该电浆处理腔室中并承载一晶圆；一电浆源，被构造以被放置在该电浆处理腔室中并放射出一离子电浆至该电浆处理腔室中并朝该晶圆座；一量测单元，配置以决定该晶圆上的一特征的一量测测量；以及一控制机构，配置以基于该特征的该量测测量来变化该离子电浆的一离子输送路径与承载在该晶圆座上的该晶圆的一表面间的一第一角度。2.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，该特征为一图案化的特征，该图案化的特征在该晶圆上的一光阻层中。3.如权利要求2所述的蚀刻系统，其特征在于，该第一角度是基于该光阻层与在该光阻层下的将被形成的标的之间的一错位，该错位是透过该量测测量来获得。4.如权利要求1所述的蚀刻系统，其特征在于，该蚀刻系统还包含一阻挡器，该阻挡器配置以可移动地被放置在该电浆源与该晶圆座之间，该阻挡器包含多个贯穿孔和多个可折叠的遮盖，每一所述遮盖对应至一各自的贯穿孔，并配置以覆盖或显露出该各自的贯穿孔。5.如权利要求4所述的蚀刻系统，其特征在于，每一所述贯穿孔的一形状和一尺寸对应至该晶圆上的一晶粒。6.一种蚀刻方法，其特征在于，包含：接收在一晶圆上的一第一层的一第一特征的一量测测量信息；决定该第一特征与在该晶圆上的一第二层的一第二特征间的一对准状态；基于该对准状态决定一电浆蚀刻的一离子接近角度；以及使用一电浆系统沿着该离子接近角度在该晶圆上执行该电浆蚀刻。7.如权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，该执行该电浆蚀刻包含使一晶圆座或该电浆系统的一电浆源其中至少一者相对另一者进行一移动。8.如权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，该决定该离子接近角度包含基于该第一特征与该第二特征间的一偏移量和该第一特征与该第二特征间的一垂直距离，来计算该离子接近角度。9.如权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于，在该晶圆上执行该电浆蚀刻包含放置一阻挡器元件在该晶圆座与该系统的一电浆源间，该阻挡器元件包含一贯穿孔，该贯穿孔让多个离子沿着该离子接近角度通过。10.一种蚀刻方法，其特征在于，包含：接收具有一第一层和一第二层的一晶圆，该第二层是在一基材上，该第一层是位于该晶圆的一第一表面上的该第二层上，该第一层包含一图案化的第一特征；决定包含一量测误差的该图案化的第一特征；以及使用该图案化的第一特征为一罩幕透过电浆蚀刻来形成一第二特征在该第二层上，其中形成该第二特征包含：基于该量测误差决定一方向，该电浆蚀刻的多个离子沿着该方向撞击该晶圆的该第一表面；以及根据该电浆蚀刻的所述多个离子撞击该晶圆的该第一表面所沿着的该方向执行该电
浆蚀刻。

技术总结
本揭露包含一种蚀刻系统及蚀刻方法，电浆蚀刻系统包含可移动的电浆源和可移动的晶圆座。可变化可移动的电浆源和可移动的晶圆座间的相对位置，以设定一角度，电浆的电浆粒子沿着此角度撞击放置在晶圆座上的晶圆。着此角度撞击放置在晶圆座上的晶圆。着此角度撞击放置在晶圆座上的晶圆。


技术研发人员：张钧彦 沈育佃 杨智凯 张雅惠 张世明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.09.08
技术公布日：2021/12/7