半导体装置及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；多条位线，设置于所述衬底上；多个触点，设置于所述衬底上并与所述位线交替且分隔地设置；多个存储节点焊盘，设置于所述触点以及所述位线上；电容结构，设置在所述存储节点焊盘上，所述电容结构包括多个电容分别位于所述存储节点焊盘上；以及第一介面层，设置在所述存储节点焊盘以及所述电容之间，所述第一介面层包含一金属氮化物材质。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，各个所述电容包括由下而上依序堆栈的底电极层、电容介电层、以及顶电极层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第二介面层，包含不同于所述第一介面层的材质并设置在所述第一介面层上方以及所述底电极层的下方。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第三介面层，包含不同于所述第一介面层的材质，其中，所述底电极层具有一复合层结构，所述第三介面层设置在所述复合层结构之间。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述复合层结构包括依序堆叠的第一导电层以及第二导电层，所述第三介面层设置在所述第一导电层以及所述第二导电层之间，所述第一导电层以及所述第二导电层包含相同的材质。6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述底电极层具有一柱状结构。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一介面层包含一金属氮氧化物材质。8.一种半导体装置的形成方法，其特征在于包含：提供衬底；于所述衬底上形成多条位线；于所述衬底上形成多个触点，所述位线以及所述触点相互交替排列；于所述触点以及所述位线上形成多个存储节点焊盘，所述存储节点焊盘分别对位于所述触点；于所述存储节点焊盘上形成电容结构，所述电容结构包括多个电容分别对位于所述存储节点焊盘；以及于所述存储节点焊盘以及所述电容之间形成第一介面层，所述第一介面层包含一金属氮化物材质。9.根据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：于所述衬底上形成支撑层结构，所述支撑层结构包含交替堆叠的至少一个氧化物层与至少一个氮化物层；于所述支撑层结构内形成多个开口，各所述开口分别暴露出所述存储节点焊盘；于所述开口内形成底电极层；以及完全移除所述支撑层结构内的所述氧化物层。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：于所述存储节点焊盘上进行第一表面处理制作工艺，形成所述第一介面层。11.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第一表面处理制作工艺包括氮处理制作工艺。12.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：于所述开口内进行第二表面处理制作工艺，在所述底电极层的下方形成第二介面层，所述第二介面层包含不同于所述第一介面层的材质。13.根据权利要求12所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第二表面处理制作工艺系非原位处理制作工艺。14.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述底电极层的形成还包括：于各所述开口表面共型地形成第一导电层；于所述第一导电层上进行第三表面处理制作工艺，形成第三介面层，所述第三介面层包含不同于所述第一介面层的材质；以及于所述第三介面层上形成第二导电层，其中，所述第一导电层以及所述第二导电层包含相同的材质。15.根据权利要求14所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第三表面处理制作工艺系非原位处理制作工艺。16.根据权利要求14所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第二导电层填满所述开口。17.根据权利要求14所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，所述第三表面处理制作工艺系在破真空的环境下通入氧气进行反应。18.根据权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包括：于所述底电极层形成之后，依序于所述底电极层上形成电容介电层以及顶电极层。

技术总结
本发明公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、多条位线、多个触点、多个存储节点焊盘、电容结构以及第一介面层。所述位线、所述触点设置于所述衬底上，并且所述触点与所述位线交替且分隔地设置。所述存储节点焊盘设置于所述触点以及所述位线上，并分别对位于所述触点。所述电容结构设置在所述存储节点焊盘上。所述第一介面层设置在所述存储节点焊盘以及所述电容之间，所述第一介面层包含一金属氮化物材质。所述第一介面层可改善所述存储节点焊盘的晶粒大小，降低其表面粗糙度，进而提升存储节点与下方晶体管组件之间的电性连接。储节点与下方晶体管组件之间的电性连接。储节点与下方晶体管组件之间的电性连接。


技术研发人员：陈敏腾
受保护的技术使用者：福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2021/12/6