新型高集成度W/V波段前端及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，包括：基于多层介质的一体化馈电网络、阵列天线，具有气密特性的tr组件；所述阵列天线包括若干个天线单元，所述天线单元包括开设于多层介质基板的第一盲腔和第二盲腔，所述第一盲腔和所述第二盲腔沿所述多层介质基板的厚度方向排列，并通过金属层隔离，所述第一盲腔和所述第二盲腔的周围设有金属孔；所述馈电网络的一端连接所述天线单元，另一端连接所述tr组件；所述tr组件包括组件结构、若干个w/v波段系统级封装模块和波导功分网络，所述若干个w/v波段系统级封装模块焊接在组件结构上，其包括介质基板、金属围框、第一对外射频口、第二对外射频口、双向放大器和具有移相衰减的多功能芯片，所述介质基板四周围设有所述金属围框，并且包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域通过之间的隔离棱进行信号隔离；所述第一区域上设置有所述第一对外射频口和与之相连的所述双向放大器，所述第二区域上设置有所述第二对外射频口和与之相连的所述多功能芯片，所述双向放大器和所述多功能芯片之间通过接地共面波导
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基片集成波导
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接地共面波导的结构相连；所述第二对外射频口与所述波导功分网络相连。2.如权利要求1所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述第一盲腔和所述第二盲腔的底面形状为矩形，并且所述第一盲腔的底面大于所述第二盲腔的底面；所述第二盲腔的底面的长大于二分之一波长，宽为长的二分之一；所述金属孔的间距为十六分之一波长到四分之一波长之间。3.如权利要求1所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述多层介质的材质为陶瓷或硅。4.如权利要求1所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述馈电网络的两端为用通孔围成的类波导口，两端的类波导口之间通过基片集成波导相连，并且，两端的类波导口信号为垂直传输，通过缝隙耦合将信号v/w传输给所述基片介质集成波导，信号在所述基片集成波导上为水平传输，该水平传输可以拐弯。5.如权利要求4所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述类波导口通过改变周围通孔的高度，将信号传给不同层的基片集成波导，并且，所述耦合缝隙的大小可根据需要进行调节，不同层的基片集成波导可以交叉，介质集成波导可以通过台阶过孔在不同层之间转换。6.如权利要求1所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述第一对外射频口为接收通道，所述第二对外射频口为发射通道，所述发射通道的奇数和偶数通道各用一个控制信号控制加电，所述接收通道的奇数和偶数通道各用一个控制信号控制加电，并且，当一奇数通道配相时，偶数通道加电可同时断开，使得相邻通道的电断开，同时其余奇数通道衰减设置为最大。7.如权利要求6所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述tr组件的收发切换时序为：若发射通道需要工作时，则发射通道开始加电，同时接收停止加电并关闭，收发开关切换到负载状态，t
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t
tr
时间后收发开关切到发射状态，t
tr
时间后给所述tr组件发送信号；若接收通道需要工作时，则发射电源开始断电，同时关闭发送给所述tr组件的信号，接
收电源开始打开，同时收发开关切换到负载状态，t
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t
tr
时间后收发开关切到接收状态，给所述tr组件信号采用pin开关实现ns级开关。8.如权利要求1所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述第一对外射频口的数量为四个，所述双向放大器的数量与第一对外射频口的数量相同，所述第二对外射频口的数量为一个。9.如权利要求1所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，所述组件结构与所述波导功分网络之间的壳体中填充相变材料。10.一种w/v波段前端制造方法，用于制造如权利要求1
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9任一项所述的新型高集成度w/v波段前端，其特征在于，包括如下步骤：将所述波导功分网络嵌入所述组件结构中，与所述tr组件一体化集成，更小型化；将所述一体化馈电网络、阵列天线和所述tr组件采取多层加工的方式进行加工，并且一体化焊接成形。

技术总结
本发明提供了一种新型高集成度W/V波段前端，包括：基于多层介质的一体化馈电网络、阵列天线，具有气密特性的TR组件；阵列天线的天线单元包括开设于多层介质基板通过金属层隔离的两个盲腔，盲腔周围设有金属孔；馈电网络连接天线单元和连接TR组件；TR组件包括组件结构、若干个系统级封装模块和波导功分网络，系统性封装模块的介质基板四周围设有金属围框，并包括通过隔离棱进行信号隔离的第一区域和第二区域；第一区域上设置有第一对外射频口和与之相连的双向放大器，第二区域上设置有第二对外射频口和与之相连的多功能芯片，双向放大器和多功能芯片相连，第二对外射频口与波导功分网络相连。该前端能够满足高频带、小型化和多通道发展的要求。多通道发展的要求。多通道发展的要求。


技术研发人员：丁勇 苏坪 潘超群 吴玉丹 徐元超 夏新凡 郭培培 杨晓明
受保护的技术使用者：上海无线电设备研究所
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2021/12/6