一种新的低温制备CsPbI2Br高质量钙钛矿的方法及其用途与流程

技术特征：
1.一种低温制备高效稳定cspbi2br钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于一步法制备cspbi2br钙钛矿薄膜的过程中，通过使用添加剂，改善了钙钛矿薄膜的生长过程，从而在低温条件下制备高效稳定cspbi2br钙钛矿太阳能电池。2.一种如权利要求1所述制备高效稳定cspbi2br钙钛矿薄膜的步骤包括如下：（1）在cspbi2br前驱体溶液中加入添加剂；（2）在常温下，将cspbi2br前驱体溶液旋涂在基底上；（3）旋涂过程中使用反溶剂；（4）退火制备cspbi2br钙钛矿薄膜；（5）表面刮涂碳电极，制备cspbi2br钙钛矿太阳能电池。3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，添加剂改善了钙钛矿薄膜晶体生长过程，在低温退火过程中，钙钛矿结晶过程容易存在反应不完全的现象，在结晶过程中cs

与br
‑
容易结合为难溶的残留的csbr析出，csbr的析出也会导致pbi2的残留，这对器件的性能有很大的影响，pa中的吡啶基，羧基，氨基等有机官能团可以与卤化铅发生作用，可以促进pbi2与csbr的反应，在130℃低温条件下也能制备出高质量的薄膜。4.根据权利要求1所述制备方法，使用的添加剂为pa。5.如权利要求1所述的一种制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于，所述cspbi2br前驱体溶液中，溶剂为dmso和dmf，所用试剂为pbi2，pbbr2和csi。6.如权利要求2所述的制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于，所述的pa与pbi2的摩尔比例为：0.0005:1~0.0001:1。7.如权利要求2所述的制备方法，使用的反溶剂为乙酸乙酯。8.如权利要求2所述的制备方法，退火温度为100℃，130℃。9.如权利要求2所述的制备方法，退火时间为5min， 30min分钟。10.权利要求1所述制备方法适用于fapbi3、cspbi3以及复合阳离子、复合卤素等所有钙钛矿薄膜。11.根据权利要求2所述方法制备出来的钙钛矿太阳能电池，光电转换效率高、稳定性好。

技术总结
本发明提供了一种新的在低温下制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于使用一步沉积法制备CsPbI2Br钙钛矿薄膜的过程中，通过使用添加剂PA(3


技术研发人员：王多发 许鑫宇 邢楚武 章天金
受保护的技术使用者：湖北大学
技术研发日：2021.08.31
技术公布日：2021/12/6