一种低电压高线性共源共栅放大器的制作方法

技术特征：
1.一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，包括cascode放大器和电压提升单元；所述cascode放大器包括级联的共源放大器和共栅放大器；所述共源放大器中设置有用作共源级晶体管的nmos晶体管m
1b
，所述共栅放大器中设置有用作共栅级晶体管的nmos晶体管m
2b
；所述nmos晶体管m
2b
漏极与nmos晶体管m
1b
源极连接；所述nmos晶体管m
2b
的源极连接所述电压提升单元。2.如权利要求1所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，还包括直流偏置单元，所述直流偏置单元连接在所述nmos晶体管m
2b
的栅极上。3.如权利要求2所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，还包括直流分离单元，所述直流分离单元设置在所述cascode放大器和电压提升单元之间，所述cascode放大器中的nmos晶体管m
2b
的源极先连接所述直流分离单元，然后通过所述直流分离单元与所述电压提升单元连接。4.如权利要求1所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，所述cascode放大器还包括电阻r
1b
、电阻r
2b
、电阻r
3b
、电容c
1b
、电容c
2b
、电容c
3b
、电容c
4b
、和电感l
1b
；所述电容c
1b
的第一端与信号输入端in
1b
连接；所述nmos晶体管m
2b
的漏极与nmos晶体管m
1b
的源极连接，nmos晶体管m
1b
的栅极与电容c
4b
的第一端、电容c
2b
的第一端、电阻r
1b
的第一端、电阻r
2b
的第一端连接在一起；所述电容c
2b
的第二端与地连接，电阻r
2b
的第二端与地连接；所述电阻r
1b
的第二端与电感l
1b
的第一端、电源vcc
1b
连接；所述电容c
4b
的第二端与电阻r
3b
的第一端连接；所述电阻r
3b
的第二端与电感l
1b
的第二端、nmos晶体管m
1b
的漏极、电容c
3b
的第一端连接；所述电容c
3b
的第二端与信号输出端out
1b
连接。5.如权利要求1或4所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，所述电压提升单元包括nmos晶体管m
5b
、nmos晶体管m
6b
、nmos晶体管m
7b
、pmos晶体管m
8b
、电容c
7b
、电容c
8b
、反相器inv、振荡器osc、电阻r
7b
、电阻r
8b
、电阻r
9b
、电阻r
10b
；所述振荡器osc的输出端与反相器inv的输入端、电阻r
8b
的第一端、电阻r
9b
的第一端、电阻r
10b
的第一端连接在一起；所述反相器inv的输出端与电阻r
7b
的第一端连接，所述电阻r
7b
的第二端与nmos晶体管m
5b
的栅极连接；所述电阻r
8b
的第二端与pmos晶体管m
8b
的栅极连接，所述电阻r
9b
的第二端与nmos晶体管m
7b
的栅极连接，所述电阻r
10b
的第二端与nmos晶体管m
6b
的栅极连接；所述pmos晶体管m
8b
的源极与电源vcc
3b
连接，所述pmos晶体管m
8b
的漏极与nmos晶体管m
7b
的漏极、电容c
7b
的第一端连接；所述nmos晶体管m
7b
的源极与电容c
8b
的第一端、地连接；所述nmos晶体管m
5b
的漏极与地连接，nmos晶体管m
5b
的源极与电容c
7b
的第二端、nmos晶体管m
6b
的漏极连接，nmos晶体管m
6b
的源极与电容c
8b
的第二端、电感l
2b
的第二端连接；所述nmos晶体管m
6b
的源极与电容c
8b
的第二端之间搭接出端口作为所述电压提升电路与cascode放大器的nmos晶体管m
2b
的源极连接的端口。
6.如权利要求2所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，所述直流偏置单元包括电阻r
4b
、电阻r
5b
、电阻r
6b
、nmos晶体管m
3b
、nmos晶体管m
4b
和电容c
5b
；所述电阻r
5b
的第一端与nmos晶体管m
3b
的源极、nmos晶体管m
4b
的漏极、电容c
1b
的第二端、nmos晶体管m
2b
的栅极连接在一起；所述nmos晶体管m
3b
的栅极与nmos晶体管m
3b
的漏极、电阻r
4b
的第一端连接；所述电阻r
4b
的第二端与电源vcc
2b
连接；所述电阻r
5b
的第二端与电容c
5b
的第一端、nmos晶体管m
4b
的栅极连接；所述nmos晶体管m
4b
的源极与电阻r
6b
的第一端连接，所述电阻r
6b
的第二端与地连接，电容c
5b
的第二端与地连接；所述nmos晶体管m
3b
的源极与电阻r
5b
的第一端共同搭接出一个端口作为直流偏置单元与所述cascode放大器的nmos晶体管m
2b
的栅极连接的端口。7.如权利要求3所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，所述直流分离单元包括电容c
6b
和电感l
2b
；所述电容c
6b
的第一端与电感l
2b
的第一端、nmos晶体管m
2b
的源极连接，电容c
6b
第二端与地连接；所述电感l
2b
的第二端作为直流分离单元与所述电压提升单元连接的端口。8.如权利要求3所述的一种低电压高线性共源共栅放大器，其特征在于，所述cascode放大器还包括电阻r
1b
、电阻r
2b
、电阻r
3b
、电容c
1b
、电容c
2b
、电容c
3b
、电容c
4b
、和电感l
1b
；所述电容c
1b
的第一端与信号输入端in
1b
连接；所述nmos晶体管m
2b
的漏极与nmos晶体管m
1b
的源极连接，nmos晶体管m
1b
的栅极与电容c
4b
的第一端、电容c
2b
的第一端、电阻r
1b
的第一端、电阻r
2b
的第一端连接在一起；所述电容c
2b
的第二端与地连接，电阻r
2b
的第二端与地连接；所述电阻r
1b
的第二端与电感l
1b
的第一端、电源vcc
1b
连接；所述电容c
4b
的第二端与电阻r
3b
的第一端连接；所述电阻r
3b
的第二端与电感l
1b
的第二端、nmos晶体管m
1b
的漏极、电容c
3b
的第一端连接；所述电容c
3b
的第二端与信号输出端out
1b
连接；所述电压提升单元包括包括nmos晶体管m
5b
、nmos晶体管m
6b
、nmos晶体管m
7b
、pmos晶体管m
8b
、电容c
7b
、电容c
8b
、反相器inv、振荡器osc、电阻r
7b
、电阻r
8b
、电阻r
9b
、电阻r
10b
；所述振荡器osc的输出端与反相器inv的输入端、电阻r
8b
的第一端、电阻r
9b
的第一端、电阻r
10b
的第一端连接在一起；所述反相器inv的输出端与电阻r
7b
的第一端连接，所述电阻r
7b
的第二端与nmos晶体管m
5b
的栅极连接；所述电阻r
8b
的第二端与pmos晶体管m
8b
的栅极连接，所述电阻r
9b
的第二端与nmos晶体管m
7b
的栅极连接，所述电阻r
10b
的第二端与nmos晶体管m
6b
的栅极连接；所述pmos晶体管m
8b
的源极与电源vcc
3b
连接，所述pmos晶体管m
8b
的漏极与nmos晶体管m
7b
的漏极、电容c
7b
的第一端连接；所述nmos晶体管m
7b
的源极与电容c
8b
的第一端、地连接；所述nmos晶体管m
5b
的漏极与地连接，nmos晶体管m
5b
的源极与电容c
7b
的第二端、nmos晶
体管m
6b
的漏极连接，nmos晶体管m
6b
的源极与电容c
8b
的第二端、电感l
2b
的第二端连接；所述nmos晶体管m
6b
的源极与电容c
8b
的第二端之间搭接出端口作为所述电压提升电路与直流分离单元连接的端口；所述直流偏置单元包括电阻r
4b
、电阻r
5b
、电阻r
6b
、nmos晶体管m
3b
、nmos晶体管m
4b
和电容c
5b
；所述电阻r
5b
的第一端与nmos晶体管m
3b
的源极、nmos晶体管m
4b
的漏极、电容c
1b
的第二端、nmos晶体管m
2b
的栅极连接在一起；所述nmos晶体管m
3b
的栅极与nmos晶体管m
3b
的漏极、电阻r
4b
的第一端连接；所述电阻r
4b
的第二端与电源vcc
2b
连接；所述电阻r
5b
的第二端与电容c
5b
的第一端、nmos晶体管m
4b
的栅极连接；所述nmos晶体管m
4b
的源极与电阻r
6b
的第一端连接，所述电阻r
6b
的第二端与地连接，电容c
5b
的第二端与地连接；所述nmos晶体管m
3b
的源极与电阻r
5b
的第一端共同搭接出一个端口作为直流偏置单元与所述cascode放大器的nmos晶体管m
2b
的栅极连接的端口；所述直流分离单元包括电容c
6b
和电感l
2b
；所述电容c
6b
的第一端与电感l
2b
的第一端、nmos晶体管m
2b
的源极连接，电容c
6b
第二端与地连接；所述电感l
2b
的第二端与所述直流分离单元的nmos晶体管m
6b
的源极与电容c
8b
的第二端之间搭接出端口连接。

技术总结
本发明提出了一种低电压高线性共源共栅放大器，包括Cascode放大器、直流偏置单元、直流分离单元和电压提升单元。通过直流偏置单元为Cascode放大器单元在全温（


技术研发人员：姚静石 刘成鹏 毛毅
受保护的技术使用者：成都明夷电子科技有限公司
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2021/12/3