显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，oled)显示面板由于具有自发光，驱动电压低，以及响应速度块等优点而得到了广泛的应用。
3.相关技术中，oled显示面板可以包括：多个不同颜色的oled子像素。多个oled子像素包括：阳极层，阴极层以及位于该阳极层和阴极层之间的有机功能膜层。其中，该有机功能膜层中包括发光材料，且该有机发光膜层能够在阳极层和阴极层的驱动下产生载流子，该载流子进而可以致使发光材料发光。
4.但是，oled子像素的载流子可能会传输至与该oled子像素相邻的oled子像素，多个oled子像素之间会产生电学串扰，影响显示装置的显示效果。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，可以解决相关技术中显示装置的显示效果较差的问题。所述技术方案如下：
6.一方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括：
7.衬底基板；
8.以及位于所述衬底基板的一侧的多个子像素，所述多个子像素包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一电极层，有机功能膜层以及第二电极层；
9.其中，所述有机功能膜层中第一部分的导电性小于第二部分的导电性，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述多个子像素的发光区域之间的间隙区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述多个子像素的发光区域。
10.可选的，所述第一部分的至少部分经过紫外光照射。
11.可选的，所述显示面板还包括：位于所述多个子像素远离所述衬底基板的一侧的遮光层；
12.所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二部分在所述衬底基板上的正投影，且露出所述第一部分在所述衬底基板上的正投影的至少部分区域。
13.可选的，所述遮光层的材料对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，且对可见光的透过率大于透过率阈值。
14.可选的，所述遮光层的材料为钙钛矿。
15.可选的，所述多个子像素还包括：位于所述第一电极层和所述有机功能膜层之间的像素界定层；所述像素界定层具有多个镂空区域，所述第二部分位于所述镂空区域内；
16.其中，所述像素界定层的材料对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，或者所述像素界定层的材料对所述紫外光的反射率大于反射率阈值。
17.可选的，所述有机功能膜层包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一发
光材料层，第二发光材料层，以及第三发光材料层；
18.所述第一发光材料层发出的光线，所述第二发光材料层发出的光线以及所述第三发光材料层发出的光线混合后为白光。
19.可选的，所述显示面板还包括：彩膜层，所述彩膜层位于所述多个子像素远离所述衬底基板的一侧；
20.所述彩膜层包括多个不同颜色的色阻块，每个所述子像素的发光区域位于一个所述色阻块在所述衬底基板上的正投影内。
21.另一方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述方法包括：
22.提供一衬底基板；
23.在所述衬底基板的一侧形成多个子像素；
24.其中，所述多个子像素包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一电极层，有机功能膜层以及第二电极层；所述有机功能膜层中第一部分的导电性小于第二部分的导电性，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于所述多个子像素的发光区域之间的间隙区域，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述多个子像素的发光区域。
25.可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成多个子像素之后，所述方法还包括：
26.在所述多个子像素远离所述衬底基板的一侧形成遮光层，其中，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二部分在所述衬底基板上的正投影，且露出所述第一部分在所述衬底基板上的正投影的至少部分区域，所述遮光层的材料为钙钛矿；
27.对所述有机功能膜层被所述遮光层露出的部分进行紫外光照射。
28.可选的，所述在所述衬底基板的一侧形成多个子像素之后，所述方法还包括：
29.在所述多个子像素远离所述衬底基板的一侧形成遮光层，其中，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖部分在所述衬底基板上的正投影，且露出所述第一部分在所述衬底基板上的正投影的至少部分区域，所述遮光层的材料为金属；
30.对所述有机功能膜层被所述遮光层露出的部分进行紫外光照射；
31.去除所述遮光层。
32.另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：供电组件以及如上述方面所述的显示面板；
33.所述供电组件用于为所述显示面板供电。
34.本技术提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
35.本技术提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，由于该显示面板中多个子像素的发光区域之间的间隙区域的有机功能膜层的第一部分的导电性，小于子像素的发光区域的有机功能膜层的第二部分的导电性，因此能够避免子像素的发光区域的第二部分的载流子通过间隙区域的第一部分传输至相邻子像素的发光区域的第二部分。由此，可以避免显示面板中相邻子像素的电学串扰，确保显示装置的显示效果。
附图说明
36.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
37.图1是本技术实施例提供的一种波长和强度的曲线示意图；
38.图2是本技术实施例提供的另一种波长和强度的曲线示意图；
39.图3是本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
40.图4是本技术实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
41.图5是本技术实施例提供的一种波长和吸收系数的曲线示意图；
42.图6是本技术实施例提供的一种第一电极层，有机功能膜层以及第二电极层的示意图；
43.图7是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
44.图8是本技术实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；
45.图9是本技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
46.图10是本技术实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图；
47.图11是本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
48.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
49.硅基oled显示面板以其超高像素密度(pixels per inch，ppi)的优势，目前广泛应用在虚拟现实(virtual reality，vr)设备，增强现实(augmented reality)设备，相机取景器或瞄准镜中。
50.但是由于硅基oled显示面板中的子像素的尺寸较小，像素密度高(例如大于3000ppi)，因此通常情况下，显示面板可以采用白光oled以及彩膜层的方案进行制备。也即是，显示面板中每个子像素发出的光均为白光，该白光透过显示面板中的彩膜层后形成多种不同颜色的光。
51.由于子像素的有机功能膜层包括载流子迁移率较高的膜层，因此子像素所在区域的有机功能膜层的载流子会传输至相邻子像素所在区域的有机功能膜层中，容易造成相邻子像素的电学串扰。
52.示例的，参考图1，在蓝色(blue，b)子像素点亮时，除了蓝光波长范围(400纳米至450纳米)内的光的强度较大之外，红光波长范围(615纳米至650纳米)内以及绿光波长范围(495纳米至530纳米)的光的强度也较大。也即是，在蓝色(blue，b)子像素点亮时，红色(red，r)子像素以及绿色(green，g)子像素也会有光露出。
53.其中，蓝色子像素点亮可以是指显示面板中的驱动电路为蓝色子像素提供一定的驱动电压。图1中示出了驱动电路为蓝色子像素提供的驱动电压为6.5v(伏)，7.5v，8.5v，9.5v，10.5v，11.5v以及12.5v时波长和强度曲线图。参考图1可以看出，驱动电路为蓝色子像素提供的驱动电压越大，子像素的强度越大。
54.或者，参考图2，在红色子像素点亮时，除了红光波长范围内的光的强度较大之外，蓝色波长范围内以及绿光波长范围内的光的强度也较大。也即是，在红色子像素点亮时，蓝色子像素以及绿色子像素也会有光露出。
55.其中，红色子像素点亮可以是指显示面板中的驱动电路为红色子像素提供驱动电
压。图2中示出了驱动电路为红色子像素提供的驱动电压为6.5v，7.5v，8.5v，9.5v，10.5v，11.5v以及12.5v时的波长和强度曲线图。参考图2可以看出，驱动电路为红色子像素提供的驱动电压越大，子像素的强度越大。
56.图3是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参考图3，该显示面板10可以包括：衬底基板101，以及位于衬底基板101的一侧的多个子像素102。其中，多个子像素102可以包括沿远离衬底基板101的方向依次层叠的第一电极层1021，有机功能膜层1022以及第二电极层1023。
57.该有机功能膜层1022中第一部分10221的导电性小于第二部分10222的导电性。该第一部分10221在衬底基板101上的正投影位于多个子像素102的发光区域之间的间隙区域，第二部分10222在衬底基板101上的正投影位于多个子像素102的发光区域。其中，多个子像素102在衬底基板101上的正投影可以划分为多个子像素102的发光区域，以及位于多个子像素102的发光区域之间的间隙区域。
58.在本技术实施例中，通过使得多个子像素102的发光区域之间的间隙区域的第一部分10221的导电性较小，可以切断位于相邻子像素的发光区域的第二部分10222中载流子的横向传送。由此，可以避免子像素的发光区域的第二部分10222的载流子通过间隙区域的第一部分10221传输至相邻子像素的发光区域的第二部分10222，进而可以避免相邻子像素的电学串扰，保证显示装置的显示效果。
59.并且，多个子像素102的发光区域的有机功能膜层1022的导电性较大，能够保证多个子像素102的发光区域的正常发光，确保显示装置能够正常显示。
60.可选的，该第一电极层1021可以为阳极层，该第二电极层1023可以为阴极层。参考图1，第一电极层1021可以包括多个电极图案1021a(例如图1中示出了三个电极图案1021a)，且该多个电极图案1021a之间可以具有间隙。每个电极图案1021a可以作为一个子像素的阳极。第二电极层1023可以整层覆盖衬底基板101，即显示面板10中的多个子像素102的阴极可以共用。
61.综上所述，本技术实施例提供了一种显示面板，由于该显示面板中多个子像素的发光区域之间的间隙区域的有机功能膜层的第一部分的导电性，小于子像素的发光区域的有机功能膜层的第二部分的导电性，因此能够避免子像素的发光区域的第二部分的载流子通过间隙区域的第一部分传输至相邻子像素的发光区域的第二部分。由此，可以避免显示面板中相邻子像素的电学串扰，确保显示装置的显示效果。
62.参考图1还可以看出，显示面板10还可以包括像素界定层(pixel definition layer，pdl)103。该像素界定层103可以位于第一电极层1021和有机功能膜层1022之间。
63.其中，像素界定层103可以具有多个镂空区域，每个镂空区域可以露出一个电极图案1021a的至少部分，有机功能膜层1022的第二部分10222可以位于该镂空区域内。由此，可以使得该电极图案1021a与子像素102的有机功能膜层1022的第二部分接触，保证子像素102能够正常显示。
64.需要说明的是，该像素界定层103的每个镂空区域露出的电极图案1021a的区域可以为子像素的发光区域。
65.参考图1，通过设置像素界定层103，可以使得有机功能膜层1022的第一部分10221和第二部分10222的部分不连接。也即是，相邻子像素102的发光区域的第二部分10222不连
接，进一步避免载流子在相邻子像素102之间传输，避免了电学串扰，显示面板10的良率较高。
66.通常情况下，紫外光(ultraviolet，uv)对有机功能膜层1022具有很强的损害。对有机功能膜层1022进行长时间的紫外光照射可以使得有机功能膜层1022的材料发生变性，造成有机功能膜层1022的电学性能下降，进而影响有机功能膜层1022的导电性。由此，使得有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分经过紫外光照射，可以使得有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分的导电性较小。
67.或者，通过向有机功能膜层1022中注入离子(例如氩离子)也可以使得有机功能膜层1022的材料发生变性，使得有机功能膜层1022的导电性降低。由此，可以将一些离子注入至有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分，以使得有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分的导电性较小。
68.作为一种可选的实现方式，参考图4，该显示面板10还可以包括位于多个子像素102远离衬底基板101的一侧的遮光层(shield)104。该遮光层104在衬底基板101上的正投影覆盖第二部分10222在衬底基板101上的正投影，且露出第一部分10221在衬底基板101上的正投影的至少部分区域。
69.在紫外光从遮光层104远离子像素102的一侧照射至有机功能膜层1022，或将离子从遮光层104远离子像素102的一侧注入至有机功能膜层1022时，可以使得有机功能膜层1022中被遮光层104露出的第一部分10221的至少部分的材料发生变性，降低有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分的导电性。
70.例如，以紫外光照射为例进行说明。在紫外光从遮光层104远离子像素的一侧照射至有机功能膜层1022时，该紫外光可以照射至有机功能膜层1022中被遮光层104露出的第一部分10221的至少部分，能够降低有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分的导电性。并且，由于遮光层104在衬底基板101上的正投影覆盖第二部分10222在衬底基板101上的正投影，因此紫外光从遮光层104远离子像素的一侧照射至有机功能膜层1022时，有机功能膜层1022的第二部分10222的材料不会发生变性。也即是，能够使得有机功能膜层1022的第二部分10222的导电性不受紫外光的影响，保证子像素102能够正常显示。
71.在本技术实施例中，在显示面板10包括遮光层104的情况下，该遮光层104的材料可以对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，且对可见光的透过率大于透过率阈值。
72.由于遮光层104的材料对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，因此可以使得紫外光从遮光层104远离子像素102的一侧照射时，遮光层104可以吸收该紫外光。进一步的，能够避免紫外光穿过该遮光层104而照射至有机功能膜层1022的第二部分10222，进而确保有机功能膜层1022的第二部分10222不会受到紫外光的影响。
73.并且，遮光层104的材料对可见光的透过率大于透过率阈值，因此即使遮光层104覆盖第二部分10222，也可以使得多个子像素102发出的光线能够透过该遮光层104，保证多个子像素102的发光区域的正常发光，确保显示装置能够正常显示。
74.可选的，遮光层104的材料可以为钙钛矿。该钙钛矿对不同波长的光线的吸收系数参考图5所示。参考图5，钙钛矿可以包括铅(pb)和锡(sn)，图5中示出了5种不同的铅和锡的比率，且每种比率的钙钛矿均对波长范围为300纳米至400纳米的光线的吸收系数较高，而对波长范围为400纳米至800纳米的光线的吸收系数较小。
75.由于300纳米至400纳米的光线为紫外光，而400纳米至760纳米的光线为可见光，因此由图5可知，钙钛矿对紫外光的吸收系数较大，对可见光的吸收系数较小。
76.其中，材料对光线的吸收率与材料对光线的吸收系数正相关，材料对光线的透过率与材料对光线的吸收系数负相关。也即是，由于钙钛矿对紫外光的吸收系数较大，因此钙钛矿对紫外光的吸收率较大(例如大于吸收率阈值)。并且，由于钙钛矿对可见光的吸收系数较小，因此钙钛矿对可见光的透过率较大(例如大于透过率阈值)。
77.由此，遮光层104采用钙钛矿制备，不仅能够避免紫外光穿过遮光层104照射至有机功能膜层1022的第二部分10222，而且可以使得多个子像素102发出的光线能够透过该遮光层104，保证多个子像素102的发光区域的正常发光，确保显示装置能够正常显示。
78.作为另一种可选的实现方式，参考图3，该显示面板10可以不包括位于多个子像素102远离衬底基板101的一侧的遮光层104。此种情况下，在显示面板10的制备过程中，先在多个子像素102远离衬底基板101的一侧形成遮光层104，并使得遮光层104在衬底基板101上的正投影覆盖第二部分10222在衬底基板101上的正投影，且露出第一部分10221在衬底基板101上的正投影的至少部分区域(例如图4所示的结构)。之后，通过紫外光从遮光层104远离子像素102的一侧照射至有机功能膜层1022，或将离子从遮光层104远离子像素102的一侧注入至有机功能膜层1022，使得有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分的材料发生变性，降低有机功能膜层1022的第一部分10221的至少部分的导电性。最后可以将遮光层104去除，使得最终制备得到的显示面板10不包括该遮光层104。
79.在本技术实施例中，由于最终会将遮光层104去除，因此只需使得遮光层104的材料对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，而无需使得遮光层104的材料对可见光的透过率大于透过率阈值。由此，该遮光层104的材料可以为钙钛矿或金属(例如可以为铝(al)或者钼(mo))。
80.其中，钙钛矿的具体介绍可以参见上一种实施例中的描述，本技术实施例在此不再赘述。需要说明的是，由于钙钛矿不仅对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，而且对可见光的透过率大于透过率阈值，因此若遮光层104的材料为钙钛矿，则在紫外光照射或离子注入完之后，可以不去除该遮光层104，也可以去除该遮光层104，本技术实施例对此不做限定。
81.另外，由于金属对可见光的透过率较小，因此若遮光层104的材料为金属，则在紫外光照射或离子注入完之后，需要将该遮光层104去除。
82.在本技术实施例中，在采用紫外光照射被遮光层104露出的有机功能膜层1022时，该紫外光还可以进一步照射至位于有机功能膜层1022的第一部分10221远离紫外光的一侧的像素界定层103。因此使得像素界定层103的材料对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，或者使得像素界定层103的材料对紫外光的反射率大于反射率阈值，可以避免紫外光进一步穿过该像素界定层103而照射至显示面板10的背板。由此，可以避免显示面板10的背板中的晶体管受到紫外光的影响，确保显示装置能够正常显示。其中，背板可以位于衬底基板101和第一电极层1021之间。
83.可选的，有机材料对紫外光通常具有一定的吸收作用。由此，像素界定层103的材料可以为有机材料，例如可以为聚酰亚胺(polyimide，pi)或者树脂(resin)。
84.可选的，金属材料对紫外光通常具有一定的反射作用。该像素界定层可以为沿远离衬底基板101的方向依次层叠的无机材料层，金属材料层以及无机材料层的叠层。其中，
金属材料层主要起到反射紫外光的作用，无机材料层主要起到将该像素界定层中的金属材料层与其他膜层绝缘的作用。
85.图6是本技术实施例提供的一种显示面板的层级示意图。参考图6可以看出，该有机功能膜层1022可以包括：沿远离衬底基板101的方向依次层叠的第一发光材料层，第二发光材料层以及第三发光材料层。
86.其中，该第一发光材料层发出的光线，第二发光材料层发出的光线以及第三发光材料层发出的光线混合后可以为白光。例如，该第一发光材料层可以由红色磷光材料制备得到，该第一发光材料层发出的光线的颜色可以为红色。该第二发光材料层可以由绿色磷光材料制备得到，该第二发光材料层发出的光线的颜色可以为绿色。该第三发光材料层可以由蓝色荧光材料制备得到，该第三发光材料层发出的光线的颜色可以为蓝色。
87.参考图6还可以看出，该有机功能膜层1022还可以包括：第一空穴注入层(hole injection layer，hil)，第一空穴传输层(hole transport layer，htl)，第一电子传输层(electron transport layer，etl)，电荷产生层(charge generate layer，cgl)，第二空穴注入层，第二空穴传输层，电子阻挡层(electron block layer，ebl)，第二电子传输层，电子注入层(electron injection layer，eil)。
88.其中，第一电极层1021，第一空穴注入层，第一空穴传输层，第一发光材料层，第二发光材料层，第一电子传输层，电荷产生层，第二空穴注入层，第二空穴传输层，电子阻挡层，第三发光材料层，第二电子传输层，电子注入层以及第二电极层1023沿远离衬底基板101的方向依次层叠。
89.图7是本技术实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。参考图7可以看出，该显示面板10中第一电极层1021中每个电极图案1021a包括第三部分1021a1以及围绕第三部分1021a1的第四部分1021a2。其中，该第三部分1021a1在衬底基板101上的正投影位于子像素的发光区域，该第四部分1021a2在衬底基板101上的正投影位于子像素的发光区域之间的间隙区域。第三部分1021a1的厚度可以小于第四部分1021a2的厚度。
90.由于该显示面板10中作为子像素102的阳极的电极图案1021a的第四部分1021a2的厚度较厚，因此能够阻挡子像素102的发光区域发出的光线，避免子像素102的发光区域发出的光线从相邻子像素的发光区域射出，进而避免多个子像素102产生光学串扰，显示装置的显示效果较好。
91.在本技术实施例中，电极图案1021a的第三部分1021a1的厚度小于第四部分1021a2的厚度的原因在于：在制备像素界定层103时，需要先在形成的第一电极层1021远离衬底基板101的一侧形成一像素界定薄膜，并对该像素界定薄膜进行图案化处理得到像素界定层103。其中，图案化处理的过程可以包括：光刻胶涂覆，曝光，显影，刻蚀以及去除光刻胶。通常情况下，采用刻蚀工艺(例如干法刻蚀)刻蚀像素界定薄膜时，可能同时会刻蚀掉一部分位于像素界定薄膜靠近衬底基板101的一侧的第一电极层1021，进而会导致第一电极层1021中的电极图案1021a的第三部分1021a1的厚度变小。
92.当然，本技术实施例中电极图案1021a的第三部分1021a1的厚度也可以与第四部分1021a2的厚度相等，本技术实施例对此不做限定。
93.图8是本技术实施例提供的再一种显示面板的结构示意图。参考图8可以看出，该显示面板10还可以包括：彩膜层(color filter，cf)105。该彩膜层105可以位于多个子像素
102远离衬底基板101的一侧。该彩膜层105可以包括多个不同颜色的色阻块1051，每个子像素102的发光区域位于一个色阻块1051在衬底基板101上的正投影内。
94.示例的，图8中示出了三个子像素和三个色阻块1051，第一个色阻块1051a的颜色可以为红色，第二子色阻块1051b的颜色可以为绿色，第三个色阻块1051c的颜色可以为蓝色。
95.由于本技术实施例提供的显示面板中的子像素发出的光线为白光，因此通过在子像素102远离衬底基板101的一侧设置彩膜层105，可以使得白光透过彩膜层105中不同颜色的色阻块1051后能够发出多种不同颜色的光，显示面板10的色域较高。
96.参考图7和图8可以看出，多个子像素102还可以包括：多个晶体管1024，且晶体管1021可以与第一电极层1021连接。例如每个子像素可以包括一个晶体管，每个子像素的晶体管1024可以与第一电极层1021中该子像素102的阳极连接。图7和图8中示出了三个子像素，相应的示出了三个晶体管。
97.参考图7和图8，该晶体管1024可以包括：源极(source，s)10241，漏极(drain，d)10242，以及栅极(gate，g)10243。并且，该显示面板10还可以包括：第一金属层106和第二金属层107。该源极10241可以通过过孔与第一金属层106的一个金属图案连接，该第一金属层106的一个金属图案可以通过过孔与第二金属层107的一个金属图案连接，该第二金属层107的一个金属图案可以通过过孔与第一电极层1021的一个电极图案连接。漏极10242可以通过过孔与第一金属层106的一个金属图案连接。栅极10243可以通过过孔与第一金属106的一个金属图案连接。其中，源极10241，漏极10242以及栅极10243所连接的第一金属层106的金属图案不同。
98.在本技术实施例中，该显示面板10可以为硅基oled显示面板。该硅基oled显示面板中的晶体管为采用单晶硅制备得到的晶体管。
99.结合图7和图8还可以看出，该显示面板10还可以包括：封装膜层(thin
‑
film encapsulation，tfe)108，第一平坦膜层109，第二平坦膜层110，以及盖板111。
100.该封装膜层108可以位于第二电极层1023和遮光层104之间，第一平坦膜层109可以位于遮光层104和彩膜层105之间，第二平坦膜层110可以位于彩膜层105远离衬底基板101的一侧，盖板111位于第二平坦膜层110远离衬底基板101的一侧。
101.其中，该封装膜层108可以采用化学气相沉积(chemical vapour deposition，cvd)或喷墨打印(ink jet printing，ijp)等制造工艺制备得到。
102.可选的，该封装膜层108可以包括：无机膜层和有机膜层。制备该无机膜层的材料可以为无机材料。例如可以为sio，sin，sion或al2o3(三氧化二铝)中的一种。制备该有机膜层的材料可以为有机材料，例如可以为亚克力材料。
103.参考图7和图8可以看出，该衬底基板101可以具有绑定区域101a，第一金属层106可以位于该绑定区域101a，以便驱动电路通过过孔与第一金属层106连接。
104.综上所述，本技术实施例提供了一种显示面板，由于该显示面板中多个子像素的发光区域之间的间隙区域的有机功能膜层的第一部分的导电性，小于子像素的发光区域的有机功能膜层的第二部分的导电性，因此能够避免子像素的发光区域的第二部分的载流子通过间隙区域的第一部分传输至相邻子像素的发光区域的第二部分。由此，可以避免显示面板中相邻子像素的电学串扰，确保显示装置的显示效果。
105.图9是本技术实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。该方法可以用于制备上述实施例所提供的显示面板10。参考图9可以看出，该方法可以包括：
106.步骤201、提供一衬底基板。
107.在本技术实施例中，在制备显示面板10时，可以先提供一衬底基板。其中，该衬底基板可以为玻璃基板。
108.步骤202、在衬底基板的一侧形成多个子像素。
109.在本技术实施例中，多个子像素102可以包括沿远离衬底基板101的方向依次层叠的第一电极层1021，有机功能膜层1022以及第二电极层1023。该有机功能膜层1022中第一部分10221的导电性小于第二部分10222的导电性。该第一部分10221在衬底基板101上的正投影位于多个子像素102的发光区域之间的间隙区域，第二部分10222在衬底基板101上的正投影位于多个子像素102的发光区域。
110.通过使得多个子像素102的发光区域之间的间隙区域的第一部分10221的导电性较小，可以切断位于相邻子像素的发光区域的第二部分10222中载流子的横向传送。由此，可以避免子像素的发光区域的第二部分10222的载流子通过间隙区域的第一部分10221传输至相邻子像素的发光区域的第二部分10222，进而可以避免相邻子像素的电学串扰，保证显示装置的显示效果。
111.并且，多个子像素102的发光区域的有机功能膜层1022的导电性较大，能够保证多个子像素102的发光区域的正常发光，确保显示装置能够正常显示。
112.综上所述，本技术实施例提供了一种显示面板的制备方法，由于该方法制备得到的显示面板中多个子像素的发光区域之间的间隙区域的有机功能膜层的第一部分的导电性，小于子像素的发光区域的有机功能膜层的第二部分的导电性，因此能够避免子像素的发光区域的第二部分的载流子通过间隙区域的第一部分传输至相邻子像素的发光区域的第二部分。由此，可以避免显示面板中相邻子像素的电学串扰，确保显示装置的显示效果。
113.图10是本公开实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程图。该方法可以用于制备上述实施例所提供的显示面板。参考图10，该方法可以包括：
114.步骤301、提供一衬底基板。
115.在本技术实施例中，在制备显示面板10时，可以先提供一衬底基板。其中，该衬底基板可以为玻璃基板。
116.步骤302、在衬底基板的一侧依次形成第一电极层，像素界定层，有机功能膜层，第二电极层以及封装膜层。
117.在本技术实施例中，在获取衬底基板101之后，可以在该衬底基板101的一侧依次形成第一电极层1021，像素界定层103，有机功能膜层1022，第二电极层1023以及封装膜层108。
118.可选的，形成该第一电极层10212时，可以先在衬底基板101的一侧形成第一电极薄膜，之后对该第一电极薄膜进行图案化处理得到第一电极层1021。该第一电极层1021包括间隔设置的多个电极图案1021a。每个电极图案1021a可以用于作为一个子像素102的阳极。
119.形成像素界定层103时，可以先在第一电极层1021远离衬底基板101的一侧形成像素界定薄膜，之后对该像素界定薄膜进行图案化处理得到像素界定层103。该像素界定层
103可以具有多个镂空区域，每个镂空区域可以用于露出一个电极图案1021a的至少部分。
120.另外，有机功能膜层1022以及第二电极层1023可以整层制备。并且可以采用cvd或ijp等制造工艺制备形成封装膜层108。
121.其中，有机功能膜层1022位于像素界定层103之上的部分(即第一部分10221)，与有机功能膜层1023位于电极图案1021a之上的部分(即第二部分10222)不连接，降低载流子在相邻子像素之间传输的可能性。而第二电极层1023位于像素界定层103之上的部分，与第二电极层1023位于电极图案1021a之上的部分连接，确保信号的有效传输。
122.步骤303、在封装膜层远离衬底基板的一侧形成遮光层。
123.在本技术实施例中，在形成封装膜层108之后，可以先在封装膜层108远离衬底基板101的一侧形成一遮光薄膜，之后对该遮光薄膜进行图案化处理，得到遮光层104。
124.该遮光层104在衬底基板101上的正投影覆盖第二部分10222在衬底基板101上的正投影，且露出第一部分10221在衬底基板101上的正投影的至少部分区域。其中，遮光层104在衬底基板101上的正投影覆盖第二部分10222在衬底基板101上的正投影通常可以表示：该遮光层104在衬底基板上的正投影覆盖子像素的发光区域。遮光层104露出第一部分10221的至少部分通常可以表示：该遮光层104在衬底基板上的正投影与第一部分10221在衬底基板101上的正投影至少部分不重叠。
125.步骤304、对有机功能膜层被遮光层露出的第一部分的至少部分进行紫外光照射。
126.在本技术实施例中，在制备得到遮光层104之后，可以采用紫外光在遮光层104远离有机功能膜层1022的一侧照射该有机功能膜层1022。由此，该紫外光可以照射至有机功能膜层1022中被遮光层104露出的第一部分10221的至少部分，使得有机功能膜层1022中第一部分10221的至少部分的材料发生变性，降低有机功能膜层1022的的第一部分10221的至少部分的导电性。
127.并且，由于遮光层104的材料可以对紫外光的吸收率大于吸收率阈值，因此遮光层104可以吸收该紫外光，能够避免紫外光穿过该遮光层104而照射至被遮光层104覆盖的有机功能膜层1022的第二部分10222，进而确保有机功能膜层1022的第二部分10222不会受到紫外光的影响。
128.步骤305、去除遮光层。
129.在本技术实施例中，若遮光层104的材料对可见光的透过率较低，则需要在紫外光照射完之后，去除该遮光层104，避免该遮光层104对子像素102的出光造成影响。
130.当然，若遮光层104的材料对可见光的透过率大于透过率阈值(即遮光层104的材料对可见光的透过率较大)，则即使不去除遮光层104，也可以使得多个子像素102发出的光线能够透过该遮光层104，保证多个子像素102的发光区域的正常发光，确保显示装置能够正常显示。
131.可选的，如上述显示面板的实施例所述，钙钛矿对紫外光的吸收率较大，对可见光的透过率较大，因此遮光层104采用钙钛矿制备时，可以无需去除该遮光层104，即无需执行该步骤305。当然，也可以去除该遮光层104，本技术实施例对此不做限定。
132.可选的，若遮光层104采用金属制备时，由于金属对可见光的透过率较小，因此在紫外光照射完之后，需要将遮光层104去除。
133.步骤306、在封装膜层远离衬底基板的一侧依次形成第一平坦膜层，彩膜层，第二
平坦膜层以及盖板。
134.在本技术实施例中，可以在封装膜层108远离衬底基板101的一侧依次形成第一平坦膜层109，彩膜层105，第二平坦膜层110以及盖板111。
135.其中，在去除了遮光层104的情况下，第一平坦膜层109，彩膜层105，第二平坦膜层110以及盖板111沿远离封装膜层108的方向依次层叠。在未去除遮光层104的情况下，第一平坦膜层109，彩膜层105，第二平坦膜层110以及盖板111沿远离遮光层104的方向依次层叠。
136.需要说明的是，本技术实施例提供的显示面板的制备方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减。例如，步骤305可以根据情况删除。任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本技术的保护范围之内，因此不再赘述。
137.综上所述，本技术实施例提供了一种显示面板的制备方法，由于该方法制备得到的显示面板中多个子像素的发光区域之间的间隙区域的有机功能膜层的第一部分的导电性，小于子像素的发光区域的有机功能膜层的第二部分的导电性，因此能够避免子像素的发光区域的第二部分的载流子通过间隙区域的第一部分传输至相邻子像素的发光区域的第二部分。由此，可以避免显示面板中相邻子像素的电学串扰，确保显示装置的显示效果。
138.图11是本技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参考图11可以看出，该显示装置可以包括供电组件40以及如上述实施例所提供的显示面板10。该供电组件40可以与该显示面板10连接，用于为显示面板10供电。
139.可选的，该显示装置可以为oled显示装置、量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)显示装置电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能以及指纹识别功能的产品或部件。
140.以上所述仅为本技术的可选实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。