显影处理装置和显影处理方法与流程

技术特征：
1.一种显影处理装置，其特征在于，包括：运送机构，其平流地运送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片；供所述基片送入的送入部；具有显影液供给嘴的显影部，所述显影液供给嘴对由所述运送机构从所述送入部运送的所述基片的表面供给显影液；和设置在所述送入部的气体供给部，其向所述显影液供给嘴倾斜地供给气体。2.如权利要求1所述的显影处理装置，其特征在于：所述气体供给部包括：送出所述气体的送风部；和引导板，其将从所述送风部送出的所述气体向所述显影液供给嘴引导，所述引导板在所述基片的运送方向上随着从上游侧去往下游侧而高度变低。3.如权利要求2所述的显影处理装置，其特征在于：所述运送机构运送所述基片的运送面与将所述引导板延长的假想面的交点，在所述基片的运送方向上比所述显影液供给嘴靠上游侧。4.如权利要求2或3所述的显影处理装置，其特征在于：所述显影部侧的所述引导板的前端与在所述送入部中所述基片停止的待机位置的所述显影部侧的前端相比，在所述基片的运送方向上设置在下游侧。5.如权利要求2或3所述的显影处理装置，其特征在于：所述送风部设置于所述送入部的顶部，将所述气体向下方送出。6.如权利要求2或3所述的显影处理装置，其特征在于：与所述显影部侧相反一侧的所述引导板的前端，设置在所述基片的运送方向上的所述送风部的送风口的两端之间。7.如权利要求2或3所述的显影处理装置，其特征在于：包括分隔板，其从所述基片的运送方向上的所述送风部的上游侧的端部向下方延伸地设置。8.如权利要求1～3中任一项所述的显影处理装置，其特征在于：包括排气部，其从在所述基片的运送方向上比所述显影液供给嘴靠下游侧、且比由所述运送机构运送的所述基片靠下方侧处排出所述气体。9.如权利要求1～3中任一项所述的显影处理装置，其特征在于：包括显影液收集部，其设置在所述显影液供给嘴的下方，收集从所述显影液供给嘴释放的所述显影液，所述显影液收集部具有接收板，在所述显影液供给嘴的下方没有所述基片的情况下，所述接收板接收从所述显影液供给嘴释放的所述显影液，所述接收板相对于所述基片的运送方向倾斜。10.如权利要求9所述的显影处理装置，其特征在于：从所述显影液供给嘴的前端至所述显影液在所述接收板着落的部位为止的长度为10mm以下。11.如权利要求9所述的显影处理装置，其特征在于：包括回收所述显影液的显影液回收部，
所述显影液收集部具有排出部，所述排出部将由所述接收板收集到的所述显影液排出到所述显影液回收部。12.如权利要求1～3中任一项所述的显影处理装置，其特征在于：包括显影液接收部，其在所述基片的运送方向上设置在比所述显影液供给嘴靠上游侧处，接收从所述基片的上游侧的端部洒落的所述显影液。13.如权利要求1～3中任一项所述的显影处理装置，其特征在于：关于所述运送机构，在对所述基片供给所述显影液的情况下，在所述基片的运送方向上使比所述显影液供给嘴靠上游侧的所述基片的高度高于所述显影液供给嘴的下方的所述基片的高度。14.一种显影处理方法，其特征在于：所述显影处理方法用运送机构平流地运送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片，对所述基片进行显影处理，所述显影处理方法包括：将所述基片送入送入部的送入步骤；和用显影液供给嘴对由所述运送机构从所述送入部运送的所述基片的表面供给显影液的显影步骤，在所述显影步骤中，从设置于所述送入部的气体供给部向所述显影液供给嘴倾斜地供给气体。

技术总结
本发明提供能够抑制基片的产品缺陷的显影处理装置和显影处理方法。实施方式的显影处理装置包括运送机构、送入部、显影部和气体供给部。运送机构平流地运送抗蚀剂膜的一部分被曝光了的基片。送入部能够供基片送入。显影部具有显影液供给嘴，该显影液供给嘴对由运送机构从送入部运送的基片的表面供给显影液。气体供给部设置在送入部，向显影液供给嘴倾斜地供给气体。给气体。给气体。


技术研发人员：佐田彻也 永田广 麻生丰 藤原真树
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.05.18
技术公布日：2021/12/2