显示装置的制作方法

1.实施例总体上涉及一种显示装置。更具体地，本发明构思的实施例涉及一种包括布线的显示装置。


背景技术：

2.由于平板显示装置的轻质和薄的特性的原因，平板显示装置被用作用于代替阴极射线管显示装置的显示装置。作为这种平板显示装置的代表性示例，存在液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
3.显示装置可以包括：用于显示图像的显示区域；以及外围区域，栅极驱动器、静电二极管电路部件、信号和电源线和焊盘电极等设置在外围区域中。栅极驱动器和静电二极管电路部件可以通过信号和电源线电连接到焊盘电极。栅极驱动器和静电二极管电路部件中的每一个可以包括晶体管，并且晶体管以及信号和电源线可以彼此电连接。在这种情况下，可以通过使用栅极电极图案和源极/漏极电极图案形成信号和电源线。由于栅极电极图案和源极/漏极电极图案设置在不同的层上，因此栅极电极图案和源极/漏极电极图案可以通过接触孔和连接图案彼此电连接。然而，由于栅极电极图案和源极/漏极电极图案彼此间隔开，并且接触孔形成在栅极电极图案和源极/漏极电极图案中的每一个中，因此外围区域的面积可能相对增加。


技术实现要素：

4.一些实施例提供了一种包括布线的显示设备。
5.根据一些实施例，一种显示装置包括下基底、发光结构、下布线、上布线、绝缘层结构和连接图案。所述下基底包括显示区域和外围区域。所述发光结构在所述显示区域中设置在所述下基底上。所述下布线在所述外围区域中设置在所述下基底上。所述上布线设置在所述下布线上，并且与所述下布线部分地重叠。所述绝缘层结构包括暴露所述上布线的第一部分和所述下布线的第一部分的第一接触孔，所述上布线的所述第一部分与所述下布线重叠，所述下布线的所述第一部分与所述下布线的与所述上布线重叠的一部分相邻。所述连接图案设置在所述绝缘层结构、所述下布线和所述上布线上，并且通过所述第一接触孔将所述上布线电连接到所述下布线。
6.在实施例中，所述绝缘层结构可以包括栅极绝缘层以及层间绝缘层。所述栅极绝缘层可以设置在所述下基底上，并且可以包括第一开口，所述第一开口暴露所述下布线的所述第一部分。所述层间绝缘层可以设置在所述栅极绝缘层上，并且可以包括第二开口，所述第二开口暴露所述上布线的所述第一部分和所述下布线的所述第一部分。
7.在实施例中，所述第一开口可以暴露所述上布线的所述第一部分的底表面的一部分。
8.在实施例中，所述第一开口和所述第二开口可以被限定为所述绝缘层结构的所述第一接触孔。
9.在实施例中，所述下布线还可以包括第二部分和第三部分。所述第二部分可以被所述栅极绝缘层覆盖，并且可以与所述上布线重叠。所述第三部分可以被所述栅极绝缘层覆盖，并且可以在平行于所述下基底的顶表面的第一方向上与所述下布线的所述第二部分间隔开。
10.在实施例中，所述下布线的所述第一部分和所述第二部分可以位于所述第一接触孔内部，并且所述第三部分可以位于所述第一接触孔外部。
11.在实施例中，当在所述显示装置的截面图中观察时，所述下布线的所述第一部分可以在与所述第一方向相反的第三方向上从所述下布线的所述第三部分突出，并且所述下布线的所述第二部分可以在所述第三方向上从所述下布线的所述第一部分突出。
12.在实施例中，所述上布线还可以包括被所述层间绝缘层覆盖的第二部分。所述连接图案可以设置在下述元件上：所述层间绝缘层的第一部分的顶表面、所述上布线的所述第一部分、所述下布线的所述第一部分以及所述层间绝缘层的第二部分的顶表面，所述上布线的所述第二部分位于所述层间绝缘层的所述第一部分下方，所述下布线的所述第三部分位于所述层间绝缘层的所述第二部分下方。
13.在实施例中，所述连接图案可以具有开口，所述开口在所述第一接触孔中在所述上布线的所述第一部分与所述下布线的所述第一部分之间的边界处。
14.在实施例中，当在所述显示装置的截面图中观察时，所述上布线的所述第一部分可以在所述第一方向上从所述上布线的所述第二部分突出。
15.在实施例中，所述绝缘层结构还可以包括第二接触孔，所述第二接触孔在所述第一方向上与所述第一接触孔间隔开。
16.在实施例中，所述第二接触孔可以与所述下布线的所述第三部分重叠。
17.在实施例中，所述连接图案可以通过所述第二接触孔电连接到所述下布线的所述第三部分。
18.在实施例中，所述连接图案可以包括：第一连接图案，所述第一连接图案位于所述上布线的所述第一部分上；和第二连接图案，所述第二连接图案位于所述下布线的所述第一部分上。所述第一连接图案和所述第二连接图案可以在所述第一接触孔中彼此间隔开。
19.在实施例中，所述连接图案的尺寸可以大于所述第一接触孔的尺寸。
20.在实施例中，当在所述显示装置的平面图中观察时，所述连接图案可以延伸到所述第一接触孔的外周以覆盖所述第一接触孔。
21.在实施例中，所述连接图案可以包括在所述第一接触孔中的开口。
22.在实施例中，所述显示装置还可以包括：半导体元件，所述半导体元件在所述下基底的所述显示区域中设置在所述发光结构与所述下基底之间。所述半导体元件可以包括：栅极电极，所述栅极电极设置在所述下基底上；有源层，所述有源层设置在所述栅极电极上；源极电极，所述源极电极接触所述有源层的第一部分；以及漏极电极，所述漏极电极接触所述有源层的第二部分。所述下布线可以与所述栅极电极位于相同的层上，并且所述上布线可以与所述源极电极和所述漏极电极位于相同的层上。
23.在实施例中，所述有源层可以包括非晶硅。
24.在实施例中，所述显示装置还可以包括：有源图案，所述有源图案设置在所述上布线与所述下布线之间。所述有源图案可以接触所述上布线的底表面。
25.在根据实施例的显示装置中，下布线和上布线中的每一个的至少一部分彼此重叠，使得下布线和上布线可以在形成接触孔的一部分中彼此部分地重叠，并且连接图案可以通过一个接触孔电连接到下布线和上布线中的每一个。换句话说，由于接触孔配置为同时将下布线连接到上布线，因此下布线、上布线和连接图案在第一方向上布置的宽度可以相对减小。另外，由于接触孔具有与形成两个常规接触孔的区域相同的尺寸，因此连接图案与上布线和下布线之间的接触电阻可以不增加。相应地，显示装置的外围区域的面积可以相对地减小。
26.在根据实施例的显示装置中，下布线和上布线中的每一个的至少一部分彼此重叠，使得下布线和上布线可以在形成第一接触孔的一部分中彼此部分地重叠，并且连接图案可以通过一个接触孔电连接到下布线和上布线中的每一个。另外，连接图案可以通过形成在下布线的第三部分中的第二接触孔电连接到下布线。换句话说，尽管设置了具有与相关技术中相同宽度的连接图案，但是接触孔的数量可以相对地增加。相应地，连接图案与下布线和上布线之间的接触电阻可以相对地减小。
附图说明
27.从结合附图的下述描述，可以更详细地理解实施例。
28.图1是示出根据实施例的显示装置的平面图。
29.图2是用于描述设置在图1的显示装置的外围区域中的上布线、下布线和连接电极的平面图。
30.图3、图4和图5是分别示出图2的下布线、上布线和连接电极的布局图。
31.图6是沿着图2的线ii
‑
ii'截取的截面图。
32.图7是沿着图2的线iii
‑
iii'截取的截面图。
33.图8是沿着图1的线i
‑
i'截取的截面图。
34.图9是示出与图8中示出的显示装置类似的显示装置的实施例的截面图。
35.图10是示出根据实施例的显示装置的截面图。
36.图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21和图22是示出根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。
37.图23是示出根据实施例的显示装置的平面图。
38.图24、图25和图26是分别示出图23的下布线、上布线和连接电极的布局图。
39.图27是沿着图23的线iv
‑
iv'截取的截面图。
40.图28是示出根据实施例的显示装置的截面图。
41.图29是示出根据实施例的显示装置的平面图。
42.图30、图31和图32是分别示出图29的下布线、上布线和连接电极的布局图。
43.图33是示出根据实施例的显示装置的截面图。
44.图34是示出根据实施例的显示装置的平面图。
45.图35是示出根据实施例的显示装置的平面图。
46.图36、图37和图38是分别示出图35的下布线、上布线和连接电极的布局图。
47.图39是示出根据实施例的显示装置的平面图。
48.图40、图41和图42是分别示出图39的下布线、上布线和连接电极的布局图。
具体实施方式
49.在下文中，将参照附图详细描述根据实施例的显示装置和制造显示装置的方法。在附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件。
50.图1是示出根据实施例的显示装置100的平面图。
51.参考图1，显示装置100可以包括显示区域10和外围区域20。例如，外围区域20可以围绕显示区域10。
52.发光结构(例如，图8的发光结构200)可以设置在显示区域10中。可以通过发光结构在显示区域10中显示图像。
53.外围区域20可以是非显示区域。电路结构620可以设置在外围区域20的一个侧上，例如，在图1的视图中与显示区域10的左部相邻的外围区域20的一侧上。例如，电路结构620可以是栅极驱动器，并且可以包括晶体管、电容器以及例如栅极信号线、时钟信号线和类似的线的信号线。
54.另外，焊盘电极480可以设置在外围区域20的另一个侧上，例如，在图1的视图中与显示区域10的下部相邻的外围区域20的一侧上。尽管可以使用术语顶、底、上、下和类似术语描述特征，但是该术语是相对方向并且不参照重力。焊盘电极480可以在平行于显示装置100的顶表面的第一方向d1上布置。焊盘电极480可以电连接到能够产生多种信号(例如，栅极信号、数据信号、时钟信号、电源电压和类似信号)的外部装置，并且该信号可以通过焊盘电极480传输到电路结构620和发光结构。
55.此外，抗静电结构630可以在外围区域20中设置在显示区域10与焊盘电极480之间。换句话说，抗静电结构630可以在与第一方向d1正交的第二方向d2上与焊盘电极480间隔开。抗静电结构630可以包括二极管和布线等。时钟信号和栅极信号等可以通过抗静电结构630提供到电路结构620。栅极信号可以通过电路结构620提供到发光结构。数据信号和电源电压等可以通过抗静电结构630提供到发光结构。例如，当在显示装置100的制造工艺中产生的静电通过布线渗透到发光结构和电路结构620中时，发光结构和电路结构620可能被静电损坏。为了防止这种损坏，抗静电结构630可以设置在显示装置100的外围区域20中。
56.在实施例中，在外围区域20中，配置为将焊盘电极480连接到包括在抗静电结构630中的二极管的布线、配置为将二极管连接到发光结构的布线、配置为将二极管连接到包括在电路结构620中的栅极信号线和时钟信号线的布线、配置为将栅极信号施加到包括在电路结构620中的晶体管的栅极信号线以及配置为将时钟信号施加到晶体管的时钟信号线等可以由一条布线彼此连接，或者可以由两条布线彼此连接，该两条布线通过接触孔彼此电连接。当例如第一布线和第二布线(第二布线设置在其上的层不同于第一布线设置在其上的层)的两条布线通过接触孔彼此电连接时，第一布线和第二布线可以彼此间隔开，并且连接图案可以设置在接触孔上以将第一布线和第二布线彼此电连接。另外，可以形成多个接触孔以减小第一布线与第二布线之间的接触电阻。此外，多个接触孔可以形成在包括在电路结构620中的晶体管中和包括在抗静电结构630中的二极管中。
57.尽管已经将时钟信号和栅极信号描述为在显示装置100中经由抗静电结构630提供到电路结构620，但是在其它实施例中，其它配置是可能的。例如，时钟信号和栅极信号可以不通过抗静电结构630直接提供到电路结构620。
58.另外，尽管在平面图中观察时已经将显示区域10和外围区域20中的每一个描述为
具有矩形形状，但是在其它实施例中，其它配置是可能的。例如，当在平面图中观察时，显示区域10和外围区域20中的每一个可以具有诸如三角形形状或菱形形状的另一多边形形状、圆形形状、轨道形形状或椭圆形形状。
59.图2是用于描述设置在图1的显示装置100的外围区域中的上布线(例如，第一布线)510、下布线(例如，第二布线)470和连接电极590(也称为连接图案590)的平面图。图3、图4和图5是分别示出图2的下布线470、上布线510和连接电极(或连接图案)590的布局图。
60.一起参考图1、图2、图3、图4和图5，显示装置100可以包括下布线470、上布线510和连接图案590等。在这种情况下，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。
61.下布线470、上布线510和连接图案590可以设置在显示装置100的外围区域20中。例如，如图1中所描述，在外围区域20中，配置为将焊盘电极480连接到包括在抗静电结构630中的二极管的布线、配置为将二极管连接到发光结构的布线、配置为将二极管连接到包括在电路结构620中的栅极信号线和时钟信号线的布线、配置为将栅极信号施加到包括在电路结构620中的晶体管的栅极信号线以及配置为将时钟信号施加到晶体管的时钟信号线可以包括下布线470和上布线510。连接图案590可以通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510。
62.如图2和图3中示出，当在显示装置100的平面图中观察时，下布线470的第三部分473可以具有矩形形状，并且第三部分473的一个部分可以在第二方向d2上延伸。例如，第三部分473的一个部分可以在第二方向d2上延伸，从而连接到焊盘电极480。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510不重叠的一部分可以限定为第一部分471。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510重叠的一部分可以限定为第二部分472。因此，下布线470的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分471和第二部分472)之外的其余部分可以限定为第三部分473。例如，第二部分472可以对应于不由第一接触孔600暴露的一部分，并且第一部分471可以对应于由第一接触孔600暴露的一部分。
63.如图2和图4中示出，上布线510可以设置在下布线470上。当在显示装置100的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以具有矩形形状，并且第二部分512的一个部分可以在与第二方向d2相反的第四方向d4上延伸。例如，第二部分512的一个部分可以在第四方向d4上延伸，使得第二部分512的一个部分可以连接到电路结构620的晶体管、时钟信号线和栅极信号线或者抗静电结构630的二极管。位于第一接触孔600中的上布线510可以限定为第一部分511，并且第一部分511可以对应于与下布线470重叠的一部分，或者由第一接触孔600暴露的一部分。因此，上布线510的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分511)之外的其余部分可以限定为第二部分512。
64.如图2和图5中示出，连接图案590可以设置在上布线510上。连接图案590可以通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510。在实施例中，连接图案590可以具有在第一接触孔600中在上布线510的第一部分511与下布线470的第一部分471之间的边界处的开口153。由于开口153的原因，在第一接触孔600之内电流不会在第一方向d1上流过连接图案590，但是电流可以流过第一路径a1和第二路径a2。换句话说，第一路径a1和第二路径a2可以是载流路径的一个示例。相应地，即使当开口153形成在连接图案590中时，下布线470和上布线510也可以由连接图案590彼此电连接。
65.例如，在常规显示装置中，下布线可以在第二方向d2上延伸，并且上布线可以在第四方向d4上延伸。下布线和上布线可以彼此间隔开。换句话说，下布线和上布线可以不彼此重叠。为了将下布线电连接到上布线，连接图案可以设置在下布线和上布线上以与下布线的第二端和上布线的第二端重叠。在这种情况下，第一接触孔可以形成在连接图案与下布线重叠的一部分中，并且第二接触孔可以形成在连接图案与上布线重叠的一部分中。在这种情况下，由于用于形成第一接触孔和第二接触孔的工艺裕度的原因，在形成第一接触孔和第二接触孔的部分中，下布线和上布线中的每一个的宽度必须较大。换句话说，在形成第一接触孔和第二接触孔的部分中，必须在上布线和下布线中的每一个上形成突出部。因此，下布线和上布线可以彼此不重叠，并且由于用于形成第一接触孔和第二接触孔的工艺裕度的原因，设置下布线和上布线的布线连接空间在第一方向d1或与第一方向d1相反的第三方向d3上可以具有较大的宽度。另外，由于连接图案在形成第一接触孔和第二接触孔的部分中设置在下布线和上布线上，因此可以增加布线连接空间。
66.在根据实施例的显示装置100中，下布线470和上布线510中的每一个的至少一部分彼此重叠，使得在形成第一接触孔600的一部分中下布线470和上布线510可以彼此部分地重叠。连接图案590可以通过一个接触孔(例如，第一接触孔600)电连接到下布线470和上布线510中的每一个。换句话说，由于第一接触孔600配置为将下布线470同时连接到上布线510，因此下布线470、上布线510和连接图案590在第一方向d1上布置的宽度可以相对减小。另外，由于第一接触孔600具有与形成两个常规接触孔的区域相同的尺寸，因此可以不增加连接图案590与下布线470和上布线510之间的接触电阻。相应地，可以相对减小显示装置100的外围区域20(例如，无用空间)的面积。
67.根据本发明构思，尽管配置为将焊盘电极480连接到包括在抗静电结构630中的二极管的布线、配置为将二极管连接到发光结构的布线、配置为将二极管连接到包括在电路结构620中的栅极信号线和时钟信号线的布线、配置为将栅极信号施加到包括在电路结构620中的晶体管的栅极信号线以及配置为将时钟信号施加到晶体管的时钟信号线已经描述为包括下布线470和上布线510，并且连接图案590已经描述为通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510，但是在其它实施例中，其它配置是可能的。例如，实施例也可以应用于这样的结构，在该结构中，第一布线(或第一电极)和第二布线(或第二电极)通过外围区域中的第一接触孔由连接图案(或连接电极)彼此电连接，第二布线设置在与设置第一布线的层不同的层上。
68.图6是沿着图2的线ii
‑
ii'截取的截面图。图7是沿着图2的线iii
‑
iii'截取的截面图。图8是沿着图1的线i
‑
i'截取的截面图。
69.一起参考图2、图6、图7和图8，显示装置100可以包括下基底110、半导体元件250、绝缘层结构300、下布线470、上布线510、连接图案590、发光结构200、下配向层310、上配向层315、涂层390、黑矩阵370、滤色器350和上基底410等。在这种情况下，半导体元件250可以包括栅极电极170、有源层130、源极电极210和漏极电极230。绝缘层结构300可以包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190。另外，发光结构200可以包括像素电极290、液晶层330和公共电极340。此外，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。在图6的显示装置100的截面图中，下布线470的第一部分471可以具有在第三方向d3上从第三部分473突出的形状。下布线470的第二部分472可
以具有在第三方向d3上从第一部分471突出的形状。换句话说，第一部分471可以位于第二部分472和第三部分473之间。另外，在图6的显示装置100的截面图中，上布线510的第一部分511可以具有在第一方向d1上从第二部分512突出的形状。
70.可以提供包括透明材料的下基底110。下基底110可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底(f掺杂的石英基底)、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底等。在其它实施例中，下基底110可以是具有柔性的透明树脂基底。由于图1的显示装置100包括显示区域10和外围区域20，因此下基底110也可以划分为显示区域10和外围区域20。
71.背光单元可以设置在下基底110下方。背光单元可以在从下基底110到液晶层330的方向上提供光。
72.栅极电极170可以在显示区域10中设置在下基底110上。换句话说，栅极电极170可以设置在有源层130下方。栅极电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在其它实施例中，栅极电极170可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
73.下布线470可以在外围区域20中设置在下基底110上。当在显示装置100的平面图中观察时，下布线470的第三部分473可以在第二方向d2上延伸。另外，下布线470的第一部分471可以在第三方向d3上从下布线470的第三部分473突出。下布线470的第二部分472可以在第三方向d3上从下布线470的第一部分471突出。下布线470的第二部分472可以与上布线510的第一部分511重叠。下布线470可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，下布线470可以包括金(au)、银(ag)、铝(al)、铂(pt)、镍(ni)、钛(ti)、钯(pd)、镁(mg)、钙(ca)、锂(li)、铬(cr)、钽(ta)、钨(w)、铜(cu)、钼(mo)、钪(sc)、钕(nd)、铱(ir)、含铝合金、氮化铝(aln
x
)、含银合金、氮化钨(wn
x
)、含铜合金、含钼合金、氮化钛(tin
x
)、氮化铬(crn
x
)、氮化钽(tan
x
)、氧化锶钌(srru
x
o
y
)、氧化锌(zno
x
)、氧化铟锡(ito)、氧化锡(sno
x
)、氧化铟(ino
x
)、氧化镓(gao
x
)和氧化铟锌(izo)等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在实施例中，下布线470可以与栅极电极170设置在相同的层上，例如设置在下基底110上，并且下布线470和栅极电极170可以包括相同的材料。在其它实施例中，下布线470可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
74.栅极绝缘层150可以设置在下基底110、栅极电极170和下布线470上。栅极绝缘层150可以延伸到外围区域20以覆盖在下基底110上的在显示区域10中的栅极电极170，并且可以覆盖在外围区域20中的下布线470的第二部分472和第三部分473。换句话说，下布线470的第二部分472和第三部分473可以被栅极绝缘层150覆盖。在实施例中，栅极绝缘层150可以包括第一开口151，第一开口151延伸到下布线470的第一部分471并且暴露下布线470的第一部分471。另外，栅极绝缘层150的第一开口151可以在第三方向d3上从上布线510的第一部分511的侧表面延伸。即，上布线510的一部分可以在第一开口151的向内方向上，例如在第一方向d1上突出。换句话说，栅极绝缘层150可以在上布线510的第一部分511下方具有底切形状。例如，除了例如由第一开口151暴露的下布线470的第一部分471之外，栅极绝缘层150可以充分地覆盖在下基底110上的栅极电极170和下布线470，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在栅极电极170和下布线470周围产生台阶。在一些实施例中，栅极绝缘层
150可以沿着栅极电极170和下布线470的轮廓以均匀厚度设置，以覆盖在下基底110上的除了例如由第一开口151暴露的下布线470的第一部分471之外的栅极电极170和下布线470。栅极绝缘层150可以包括硅化合物和金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
n
y
)、碳氧化硅(sio
x
c
y
)、氮碳化硅(sic
x
n
y
)、氧化铝(alo
x
)、氮化铝(aln
x
)、氧化钽(tao
x
)、氧化铪(hfo
x
)、氧化锆(zro
x
)和氧化钛(tio
x
)等。在其它实施例中，栅极绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，绝缘层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
75.有源层130可以在显示区域10中设置在栅极绝缘层150上。换句话说，有源层130可以设置在栅极绝缘层150的一部分上，栅极电极170设置在栅极绝缘层150的该部分下方。有源层130可以包括金属氧化物半导体、例如非晶硅或多晶硅的无机半导体或有机半导体等。在实施例中，有源层130可以由非晶硅形成。
76.源极电极210可以在显示区域10中设置在栅极绝缘层150和有源层130的第一部分上。换句话说，源极电极210可以接触有源层130的第一部分。源极电极210可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在其它实施例中，源极电极210可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
77.漏极电极230可以在显示区域10中设置在栅极绝缘层150和有源层130的第二部分上。换句话说，漏极电极230可以接触有源层130的第二部分。漏极电极230可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在其它实施例中，漏极电极230可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
78.相应地，可以提供包括栅极电极170、有源层130、源极电极210和漏极电极230的半导体元件250。
79.尽管已经将显示装置100描述为具有包括一个晶体管(例如，半导体元件250)的配置，但是在其它实施例中，其它配置是可能的。例如，显示装置100可以具有包括多个晶体管和多个电容器的配置。
80.上布线510可以在外围区域20中设置在栅极绝缘层150上。在实施例中，上布线510的第一部分511可以与下布线470的第二部分472重叠，并且上布线510的第二部分512可以与下布线470不重叠，例如可以与下布线470的第一部分471和第三部分473不重叠。另外，当在显示装置100的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以在第四方向d4上延伸，并且上布线510的第一部分511可以在第一方向d1上从上布线510的第二部分512突出。如上所述，上布线510的第一部分511的一部分可以在第一方向d1上突出至栅极绝缘层150的第一开口151并且突出到栅极绝缘层150的第一开口151中。例如，上布线510的第一部分511的底表面的一部分可以由开口153暴露。上布线510可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在实施例中，上布线510可以与源极电极210和漏极电极230设置在相同的层上，例如设置在栅极绝缘层150上，并且上布线510、源极电极210和漏极电极230可以包括相同的材料。在其它实施例中，上布线510可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
81.层间绝缘层190可以设置在栅极绝缘层150、源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510的一部分上。层间绝缘层190可以延伸到外围区域20以覆盖在显示区域10中在栅极绝缘层150上的源极电极210、漏极电极230和有源层130。层间绝缘层190可以覆盖在外围区域20中设置在上布线510的第二部分512和下布线470的第三部分473上的栅极绝缘层150。换句话说，设置在上布线510的第二部分512和下布线470的第三部分473上的栅极绝缘层150可以被层间绝缘层190覆盖。在实施例中，层间绝缘层190可以包括第二开口191，第二开口191暴露上布线510的第一部分511和下布线470的第一部分471。另外，第二开口191可以与第一开口151完全重叠。换句话说，第二开口191的尺寸可以大于第一开口151的尺寸。例如，除了上布线510的第一部分511和栅极绝缘层150的第一开口151之外，层间绝缘层190可以充分地覆盖在栅极绝缘层150上的源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510。层间绝缘层190可以具有基本上平坦的顶表面，不在源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510周围形成台阶。在一些实施例中，层间绝缘层190可以沿着源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510的轮廓以均匀厚度设置，以覆盖除了上布线510的第一部分511和栅极绝缘层150的第一开口151之外的在栅极绝缘层150上的源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510。栅极绝缘层150可以包括硅化合物和金属氧化物等。在其它实施例中，栅极绝缘层150可以具有包括多个绝缘层的多层结构。例如，绝缘层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
82.相应地，可以提供绝缘层结构300，绝缘层结构300包括具有第一开口151的栅极绝缘层150和具有第二开口191的层间绝缘层190。在这种情况下，第一开口151和第二开口191可以限定为绝缘层结构300的第一接触孔600。
83.像素电极290可以在显示区域10中设置在层间绝缘层190上。像素电极290可以通过接触孔接触漏极电极230，接触孔是通过去除层间绝缘层190的一部分而形成。换句话说，像素电极290可以电连接到半导体元件250。像素电极290可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在一些实施例中，像素电极290可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
84.连接图案590可以在外围区域20中设置在层间绝缘层190、下布线470和上布线510上。连接图案590可以设置在下述元件上：设置在上布线510的第二部分512上的层间绝缘层190、上布线510的第一部分511、下布线470的第一部分471以及设置在下布线470的第三部分473上的层间绝缘层190。换句话说，连接图案590可以设置在下述元件上：层间绝缘层190的第一部分的顶表面、上布线510的第一部分511、下布线470的第一部分471以及层间绝缘层190的第二部分的顶表面，上布线510的第二部分512位于层间绝缘层190的第一部分下方，下布线470的第三部分473位于间绝缘层190的第二部分下方。在一些实施例中，连接图案590可以设置在上布线510的第一部分511的侧表面的至少一部分上。
85.在实施例中，连接图案590可以包括在第一接触孔600中的开口153。例如，开口153可以位于下布线470的第一部分471和第二部分472之间的边界处。换句话说，连接图案590可以具有在第一接触孔600中在上布线510的第一部分511和下布线470的第一部分471之间的边界处的开口153。
86.在这种情况下，设置在下述元件上的连接图案590可以限定为第一连接图案：设置
在上布线510的第二部分512上的层间绝缘层190以及上布线510的第一部分511。设置在下述元件上的连接图案590可以限定为第二连接图案：下布线470的第一部分471以及设置在下布线470的第三部分473上的层间绝缘层190。第一连接图案可以在第一方向d1上在设置在上布线510的第二部分512上的层间绝缘层190上延伸，从而接触上布线510的第一部分511，并且第二连接图案可以在第三方向d3上在设置在下布线470的第三部分473上的层间绝缘层190上延伸，从而接触下布线470的第一部分471。另外，第一连接图案和第二连接图案可以由在第一接触孔600中的开口153彼此间隔开。
87.如图7中示出，连接图案590的尺寸可以大于第一接触孔600的尺寸。例如，当在显示装置100的平面图中观察时，连接图案590可以延伸到第一接触孔600的外周以覆盖第一接触孔600。
88.连接图案590可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
89.在实施例中，连接图案590可以与像素电极290设置在相同的层上，例如设置在层间绝缘层190上，并且连接图案590和像素电极290可以包括相同的材料。在其它实施例中，连接图案590可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
90.再次一起参考图6、图7和图8，下配向层310可以在显示区域10中设置在层间绝缘层190和像素电极290上。下配向层310可以覆盖在显示区域10中在层间绝缘层190上的像素电极290。在一些实施例中，下配向层310可以从显示区域10延伸到外围区域20，以覆盖在外围区域20中的连接图案590。例如，下配向层310可以充分地覆盖在层间绝缘层190上的像素电极290，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在像素电极290周围产生台阶。可替代地，下配向层310可以沿着像素电极290的轮廓以均匀厚度设置，以覆盖在层间绝缘层190上的像素电极290。下配向层310可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，下配向层310可以包括聚酰胺酸、聚硅氧烷和聚酰亚胺等。
91.液晶层330可以在显示区域10中设置在下配向层310上。液晶层330可以包括具有光学各向异性的液晶分子。液晶分子可以由从像素电极290和公共电极340产生的电场驱动，以通过透射或阻挡穿过液晶层330的光来显示图像。在一些实施例中，液晶层330可以从显示区域10延伸到外围区域20，从而设置在外围区域20中。
92.上配向层315可以在显示区域10中设置在液晶层330上。上配向层315可以覆盖液晶层330。在一些实施例中，上配向层315可以从显示区域10延伸到外围区域20，从而设置在外围区域20中。例如，上配向层315可以充分地覆盖液晶层330，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在液晶层330周围形成台阶。可替代地，上配向层315可以沿着液晶层330的轮廓以均匀厚度设置，以覆盖液晶层330。上配向层315可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，上配向层315可以包括与下配向层310相同的材料。
93.公共电极340可以在显示区域10中设置在上配向层315上。在一些实施例中，公共电极340可以从显示区域10延伸到外围区域20，从而设置在外围区域20中。公共电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在其它实施例中，公共电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
94.相应地，可以提供包括像素电极290、液晶层330和公共电极340的发光结构200。
95.涂层390可以在显示区域10中设置在公共电极340上。涂层390可以平坦化黑矩阵370与滤色器350之间的台阶差，并且可以保护黑矩阵370和滤色器350。例如，涂层390可以充分地覆盖黑矩阵370和滤色器350，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在黑矩阵370和滤色器350周围产生台阶。涂层390可以包括有机材料。例如，涂层390可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸(polyacryl)、聚酰亚胺、聚酰胺、硅氧烷、丙烯酸(acryl)和环氧树脂等。
96.黑矩阵370可以在显示区域10中设置在涂层390上。黑矩阵370可以与半导体元件250重叠。黑矩阵370可以包括有机材料，诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂和环氧基树脂。另外，黑矩阵370可以是基本上不透明的。例如，黑矩阵370还可以包括光阻挡材料以吸收光。光阻挡材料可以包括炭黑、氮氧化钛、钛黑(titanium black)、亚苯基黑(phenylene black)、苯胺黑(aniline black)、花青黑(cyanine black)、尼古丁酸黑(nigrosine acid black)和黑色树脂等。
97.滤色器350可以在显示区域10中设置在涂层390上。滤色器350可以与像素电极290重叠。滤色器350可以包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。滤色器350可以包括光敏树脂和彩色光致抗蚀剂。在其它实施例中，滤色器350可以包括黄色滤色器、青色滤色器或紫色滤色器。
98.上基底410可以设置在黑矩阵370和滤色器350上。上基底410可以面对下基底110(或者可以与下基底110相对)。上基底410和下基底110可以包括基本上相同的材料。例如，上基底410可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底等。
99.相应地，可以提供在图6、图7和图8中示出的显示装置100。
100.尽管已经将显示装置100具体描述为液晶显示装置(lcd)，但是在其它实施例中，其它配置是可能的。在其它实施例中，显示装置100可以包括有机发光显示装置(oled)、场发射显示装置(fed)、等离子体显示装置(pdp)和电泳图像显示装置(epd)。
101.图9是示出与图8中示出的显示装置类似的显示装置的实施例的截面图。除了像素电极290和公共电极340的位置之外，图9中示出的显示装置可以具有与参考图6至图8描述的显示装置100的配置基本上相同或相似的配置。在图9中，将省略对与参考图6至图8描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
102.参考图9，显示装置可以包括下基底110、半导体元件250、绝缘层结构300、下布线470、上布线510、连接图案590、发光结构200、下配向层310、上配向层315、涂层390、黑矩阵370、滤色器350和上基底410等。在这种情况下，半导体元件250可以包括栅极电极170、有源层130、源极电极210和漏极电极230。绝缘层结构300可以包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190。另外，发光结构200可以包括像素电极290、液晶层330和公共电极340。此外，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。
103.像素电极290可以在显示区域10中设置在下基底110上。在实施例中，像素电极290可以与栅极电极170位于相同的层上。例如，在下基底110上形成栅极电极170之后，可以在整个下基底110上方形成初步像素电极。在形成初步像素电极之后，可以通过部分地蚀刻初步像素电极，形成像素电极290。像素电极290可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧
化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在一些实施例中，像素电极290可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
104.漏极电极230可以在显示区域10中设置在栅极绝缘层150、有源层130的第二部分和像素电极290的一部分上。换句话说，漏极电极230的第一部分可以接触有源层130的第二部分。漏极电极230的第二部分可以通过接触孔接触像素电极290，接触孔是通过去除栅极绝缘层150的一部分而形成。换句话说，半导体元件250和像素电极290可以彼此电连接。漏极电极230可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在其它实施例中，漏极电极230可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
105.公共电极340可以在显示区域10中设置在层间绝缘层190上。公共电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在其它实施例中，公共电极340可以具有包括多个金属层的多层结构。例如，金属层可以具有相互不同的厚度，或者可以包括相互不同的材料。
106.连接图案590可以在外围区域20中设置在层间绝缘层190、下布线470和上布线510上。在实施例中，通过使用与公共电极340相同的材料，可以与公共电极340同时地形成连接图案590。
107.图10是示出根据实施例的显示装置700的截面图。除了有源图案430之外，图10中示出的显示装置700可以具有与参考图1至图8描述的显示装置100的配置基本上相同或相似的配置。在图10中，将省略对与参考图1至图8描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
108.一起参考图8和图10，显示装置700可以包括下基底110、半导体元件250、绝缘层结构300、下布线470、有源图案430、上布线510、连接图案590、发光结构200、下配向层310、上配向层315、涂层390、黑矩阵370、滤色器350和上基底410等。在这种情况下，半导体元件250可以包括栅极电极170、有源层130、源极电极210和漏极电极230，并且绝缘层结构300可以包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190。另外，发光结构200可以包括像素电极290、液晶层330和公共电极340。此外，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473，并且上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。在图10的显示装置700的截面图中，下布线470的第一部分471可以具有在第三方向d3上从第三部分473突出的形状。下布线470的第二部分472可以具有在第三方向d3上从第一部分471突出的形状。换句话说，第一部分471可以位于第二部分472与第三部分473之间。另外，在图10的显示装置700的截面图中，上布线510的第一部分511可以具有在第一方向d1上从第二部分512突出的形状。
109.有源图案430可以在外围区域20中设置在栅极绝缘层150上。有源图案430可以设置在上布线510与下布线470之间，并且可以接触上布线510的底表面。换句话说，有源图案430的第一部分可以与下布线470的第二部分472重叠，并且有源图案430的第一部分的侧表面可以与由第一开口151限定的栅极绝缘层150的侧表面对准。有源图案430的与第一部分相对的第二部分可以与上布线510的第二部分512重叠。在实施例中，有源图案430可以暴露上布线510的第一部分511的底表面的一部分。另外，有源图案430可以与有源层130位于相同的层上，并且有源图案430和有源层130可以包括相同的材料。
110.根据实施例，由于显示装置700包括有源图案430，因此上布线510和下布线470的布线电阻可以相对地减小。
111.图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21和图22是示出根据实施例的制造显示装置的方法的截面图。
112.参考图11和图12，可以提供包括透明材料的下基底110。可以通过使用石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底等形成下基底110。下基底110可以划分为显示区域10和外围区域20。
113.可以在显示区域10中在下基底110上形成栅极电极170。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成栅极电极170。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
114.可以在外围区域20中在下基底110上形成下布线470。下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成下布线470。例如，下布线470可以包括金、银、铝、铂、镍、钛、钯、镁、钙、锂、铬、钽、钨、铜、钼、钪、钕、铱、含铝合金、氮化铝、含银合金、氮化钨、含铜合金、含钼合金、氮化钛、氮化铬、氮化钽、氧化钌锶、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓和氧化铟锌等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。在实施例中，可以通过使用与栅极电极170相同的材料，与栅极电极170同时地在与栅极电极170相同的层上形成下布线470。例如，在整个下基底110上方形成第一金属层之后，可以通过部分地蚀刻第一金属层，在下基底110上同时地形成下布线470和栅极电极170。
115.可以在下基底110、栅极电极170和下布线470上形成栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以延伸到外围区域20以覆盖在显示区域10中在下基底110上的栅极电极170，并且可以覆盖在外围区域20中的下布线470。例如，栅极绝缘层150可以充分地覆盖在下基底110上的栅极电极170和下布线470，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在栅极电极170和下布线470周围形成台阶。在一些实施例中，可以沿着栅极电极170和下布线470的轮廓以均匀厚度形成栅极绝缘层150，以覆盖在下基底110上的栅极电极170和下布线470。可以通过使用硅化合物和金属氧化物等形成栅极绝缘层150。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮碳化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆和氧化钛等。
116.如图12中示出，在形成栅极绝缘层150之后，可以在与下布线470的第一部分471位于其下方的一部分重叠的栅极绝缘层150上执行第一蚀刻工艺。
117.参考图13，可以执行第一蚀刻工艺，使得栅极绝缘层150可以具有第一开口151，第一开口151暴露下布线470的第一部分471。例如，第一开口151可以具有第一宽度w1。
118.参考图14和图15，可以在显示区域10中在栅极绝缘层150上形成有源层130。换句话说，可以在栅极绝缘层150的栅极电极170设置在其下方的一部分上形成有源层130。在实施例中，可以通过使用非晶硅形成有源层130。
119.可以在外围区域20中在栅极绝缘层150上形成有源图案430。有源图案430的第一部分可以与下布线470的第二部分472重叠，并且有源图案430的第一部分的侧表面可以与由第一开口151限定的栅极绝缘层150的侧表面对准。在实施例中，可以通过使用与有源层130相同的材料，与有源层130同时地在与有源层130相同的层上形成有源图案430。例如，在整个栅极绝缘层150上方形成初步有源层之后，可以通过部分地蚀刻初步有源层，在栅极绝
缘层150上同时地形成有源层130和有源图案430。
120.参考图16和图17，可以在显示区域10中在栅极绝缘层150和有源层130的第一部分上形成源极电极210。换句话说，源极电极210可以接触有源层130的第一部分。源极电极210可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些可以单独使用或彼此结合使用。
121.可以在显示区域10中在栅极绝缘层150和有源层130的第二部分上形成漏极电极230。换句话说，漏极电极230可以接触有源层130的第二部分。漏极电极230可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
122.相应地，可以形成包括栅极电极170、有源层130、源极电极210和漏极电极230的半导体元件250。
123.可以在外围区域20中在有源图案430上形成上布线510。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。在实施例中，上布线510的第一部分511可以与下布线470的第二部分472重叠，并且上布线510的第二部分512可以与下布线470不重叠。另外，上布线510的第一部分511的侧表面可以与由第一开口151限定的有源图案430的第一部分的侧表面和栅极绝缘层150的侧表面对准。此外，可以通过使用与源极电极210和漏极电极230相同的材料，与源极电极210和漏极电极230同时地在与源极电极210和漏极电极230相同的层上形成上布线510。例如，在整个栅极绝缘层150、有源层130、有源图案430以及下布线470的第一部分471上方形成第二电极层之后，可以通过部分地蚀刻第二电极层，同时地形成源极电极210、漏极电极230和上布线510。
124.参考图18和图19，可以在栅极绝缘层150、源极电极210、漏极电极230、有源层130、下布线470的第一部分471和上布线510上形成层间绝缘层190。层间绝缘层190可以延伸到外围区域20，以覆盖在显示区域10中在栅极绝缘层150上的源极电极210、漏极电极230和有源层130，并且可以覆盖在外围区域20中的上布线510和下布线470的第一部分471。例如，层间绝缘层190可以充分地覆盖源极电极210、漏极电极230、有源层130、下布线470的第一部分471以及在栅极绝缘层150上的上布线510，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在源极电极210、漏极电极230、有源层130、下布线470的第一部分471和上布线510周围形成台阶。在一些实施例中，可以沿着源极电极210、漏极电极230、有源层130、下布线470的第一部分471和上布线510的轮廓以均匀厚度形成层间绝缘层190，以覆盖源极电极210、漏极电极230、有源层130、下布线470的第一部分471以及在栅极绝缘层150上的上布线510。可以通过使用硅化合物和金属氧化物等形成层间绝缘层190。
125.在形成层间绝缘层190之后，可以对下述层执行第二蚀刻工艺：与漏极电极230位于其下方的一部分重叠的层间绝缘层190，如图18中示出；以及上布线510的第一部分511位于其下方的层间绝缘层190，下布线470的第一部分471位于其下方的层间绝缘层190，以及与下布线470的第一部分471与第三部分473之间的边界相邻的层间绝缘层190，如图19中示出。
126.参考图20和图21，在显示区域10中，可以在层间绝缘层190中形成接触孔，接触孔暴露漏极电极230的一部分。在外围区域20中，可以在层间绝缘层190中形成第二开口191，第二开口191暴露上布线510的第一部分511和下布线470的第一部分471。在执行第二蚀刻
工艺期间，第一开口151的第一宽度w1可以改变为第二宽度w2。在这种情况下，第二宽度w2可以大于第一宽度w1。例如，在蚀刻层间绝缘层190期间，可以蚀刻与具有第一宽度w1的第一开口151(例如，图19中的第一开口151)相邻的有源图案430和栅极绝缘层150的部分，使得可以增加栅极绝缘层150的第一开口151的宽度，并且第一开口151可以具有第二宽度w2。相应地，与下布线470的第一部分471与第三部分473之间的边界相邻的第一开口151的第一侧壁或栅极绝缘层150的第一侧表面可以与层间绝缘层190的侧表面对准。与第一开口151的第一侧壁相对的第一开口151的第二侧壁或栅极绝缘层150的第二侧表面可在第三方向d3上从上布线510的第一部分511的侧表面延伸。换句话说，上布线510的一部分可以在第一开口151的向内方向上(例如，在第一方向d1上)突出，并且栅极绝缘层150可以在上布线510的第一部分511下方具有底切形状。
127.另外，在执行第二蚀刻工艺期间，可以去除有源图案430的一部分。例如，有源图案430的第一部分的侧表面可以与第一开口151的第二侧壁对准。
128.相应地，可以形成包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190的绝缘层结构300，栅极绝缘层150包括具有第二宽度w2的第一开口151，层间绝缘层190包括第二开口191。在这种情况下，具有第二宽度w2的第一开口151和第二开口191可以限定为绝缘层结构300的第一接触孔600。
129.参考图10和图22，可以在显示区域10中在层间绝缘层190上形成像素电极290。像素电极290可以通过接触孔接触漏极电极230，接触孔是通过去除层间绝缘层190的一部分而形成。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成像素电极290。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
130.可以在外围区域20中在层间绝缘层190、下布线470和上布线510上形成连接图案590。可以在形成在上布线510的第二部分512上的层间绝缘层190、上布线510的第一部分511、下布线470的第一部分471以及形成在下布线470的第三部分473上的层间绝缘层190上形成连接图案590。在一些实施例中，可以在上布线510的第一部分511的侧表面的至少一部分上形成连接图案590。
131.在实施例中，由于有源图案430和栅极绝缘层150的在上布线510的第一部分511下方的底切形状的原因，连接图案590可以包括在第一接触孔600中的开口153。例如，可以在下布线470的第一部分471与第二部分472之间的边界处形成开口153。
132.可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成连接图案590。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
133.在实施例中，可以通过使用与像素电极290相同的材料，与像素电极290同时地在与像素电极290相同的层上形成连接图案590。例如，在整个层间绝缘层190、上布线510的第一部分511和下布线470的第一部分471上方形成第三电极层之后，可以通过部分地蚀刻第三电极层，同时地形成像素电极290和连接图案590。然而，即使当在整个下基底110上方形成第三电极层时，由于底切结构(例如，第一开口151的第二侧壁和有源图案430的侧表面)的原因，可以在第一接触孔600中形成开口153。
134.参考图8，可以在显示区域10中在层间绝缘层190和像素电极290上形成下配向层310。下配向层310可以覆盖在显示区域10中在层间绝缘层190上的像素电极290。例如，下配向层310可以充分地覆盖在层间绝缘层190上的像素电极290，并且可以具有基本上平坦的
顶表面，不在像素电极290周围产生台阶。可替代地，可以沿着像素电极290的轮廓以均匀厚度形成下配向层310，以覆盖在层间绝缘层190上的像素电极290。在实施例中，可以通过使用聚酰胺酸、聚硅氧烷和聚酰亚胺等形成下配向层310。
135.可以在显示区域10中在下配向层310上形成液晶层330。可以通过使用具有光学各向异性的液晶分子形成液晶层330。
136.可以在显示区域10中在液晶层330上形成上配向层315。上配向层315可以覆盖液晶层330。例如，上配向层315可以充分地覆盖液晶层330，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在液晶层330周围产生台阶。可替代地，可以沿着液晶层330的轮廓以均匀厚度形成上配向层315，以覆盖液晶层330。在实施例中，可以通过使用与下配向层310相同的材料形成下配向层310。
137.可以在显示区域10中在上配向层315上形成公共电极340。可以通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等形成公共电极340。这些材料可以单独使用或彼此结合使用。
138.相应地，可以形成包括像素电极290、液晶层330和公共电极340的发光结构200。
139.可以在显示区域10中在公共电极340上形成涂层390。涂层390可以平坦化黑矩阵370与滤色器350之间的台阶差，并且可以保护黑矩阵370和滤色器350。例如，涂层390可以充分地覆盖黑矩阵370和滤色器350，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在黑矩阵370和滤色器350周围产生台阶。可以通过使用诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、硅氧烷、丙烯酸和环氧树脂的有机材料形成涂层390。
140.可以在显示区域10中在涂层390上形成黑矩阵370。黑矩阵370可以与半导体元件250重叠。可以通过使用诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂和环氧基树脂的有机材料形成黑矩阵370。另外，黑矩阵370可以是基本上不透明的。例如，还可以通过使用光阻挡材料形成黑矩阵370以吸收光。光阻挡材料可以包括炭黑、氮氧化钛、钛黑、亚苯基黑、苯胺黑、花青黑、尼古丁酸黑和黑色树脂等。
141.可以在显示区域10中在涂层390上形成滤色器350。滤色器350可以与像素电极290重叠。滤色器350可以包括红色滤色器、绿色滤色器或蓝色滤色器。可以通过使用光敏树脂和彩色光致抗蚀剂形成滤色器350。
142.可以在黑矩阵370和滤色器350上形成上基底410。上基底410可以面对下基底110(或者可以与下基底110相对)。上基底410和下基底110可以包括基本上相同的材料。例如，可以通过使用石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂的石英基底、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底等形成上基底410。
143.相应地，可以制造图1至图5、图7和图10中示出的显示装置100和700。
144.图23是示出根据实施例的显示装置800的平面图。图24至图26是分别示出图23的下布线470、上布线510和连接电极(或连接图案)590的布局图。除了第二接触孔610之外，图24至图26中示出的显示装置800可以具有与参考图2至图5描述的显示装置100的配置基本上相同或相似的配置。在图24至图26中，将省略对与参考图2至图5描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
145.参考图23、图24、图25和图26，显示装置800可以包括下布线470、上布线510和连接
图案590等。在这种情况下，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473，并且上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。
146.下布线470、上布线510和连接图案590可以设置在显示装置800的外围区域20中。例如，如图1中所描述，在外围区域20中，配置为将焊盘电极480连接到包括在抗静电结构630中的二极管的布线、配置为将二极管连接到发光结构的布线、配置为将二极管连接到包括在电路结构620中的栅极信号线和时钟信号线的布线、配置为将栅极信号施加到包括在电路结构620中的晶体管的栅极信号线以及配置为将时钟信号施加到晶体管的时钟信号线可以包括下布线470和上布线510，并且连接图案590可以通过第一接触孔600和第二接触孔610将下布线470电连接到上布线510。
147.如图23和图24中示出，当在显示装置800的平面图中观察时，下布线470的第三部分473可以具有矩形形状，并且第三部分473的一个部分可以在第二方向d2上延伸。例如，第三部分473的一个部分可以在第二方向d2上延伸，从而连接到焊盘电极480。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510不重叠的一部分可以限定为第一部分471。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510重叠的一部分可以限定为第二部分472。因此，下布线470的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分471和第二部分472)之外的其余部分可以限定为第三部分473。
148.如图23和图25中示出，上布线510可以布置在下布线470上。当在显示装置800的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以具有矩形形状，并且第二部分512的一个部分可以在第四方向d4上延伸。例如，第二部分512的一个部分可以在第四方向d4上延伸，使得第二部分512的一个部分可以连接到电路结构620的晶体管、时钟信号线和栅极信号线或者抗静电结构630的二极管。位于第一接触孔600中的上布线510可以限定为第一部分511。第一部分511可以对应于与下布线470重叠的一部分(或者由第一接触孔600暴露的一部分)。因此，上布线510的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分511)之外的其余部分可以限定为第二部分512。
149.如图23和图26中示出，连接图案590可以设置在上布线510上。连接图案590可以通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510，并且可以通过第二接触孔610电连接到下布线470。在实施例中，连接图案590可以具有在第一接触孔600中在上布线510的第一部分511与下布线470的第一部分471之间的边界处的开口153。由于开口153的原因，在第一接触孔600之内电流不会在第一方向d1上流过连接图案590，但是电流可以流过第一路径a1和第二路径a2，如图5中示出。相应地，即使当开口153形成在连接图案590中时，下布线470和上布线510也可以由连接图案590彼此电连接。
150.在根据实施例的显示装置800中，下布线470和上布线510中的每一个的至少一部分彼此重叠，使得下布线470和上布线510可以在形成第一接触孔600的一部分中彼此部分地重叠。连接图案590可以通过一个接触孔(例如，第一接触孔600)电连接到下布线470和上布线510中的每一个。另外，连接图案590可以通过第二接触孔610电连接到下布线470，第二接触孔610形成在下布线470的第三部分473中。换句话说，尽管设置了具有与相关技术中相同宽度的连接图案590，但是接触孔的数量可以相对增加。相应地，可以相对减小连接图案590与下布线470和上布线510之间的接触电阻。
151.图27是沿着图23的线iv
‑
iv'截取的截面图。图28是示出根据实施例的显示装置
900的截面图。除了第二接触孔610和有源图案430之外，图27和图28中示出的显示装置800和900可以具有与参考图6至图8描述的显示装置100的配置基本上相同或相似的配置。在图27和图28中，将省略对与参考图6至图8描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
152.参考图8和图27，显示装置800可以包括下基底110、半导体元件250、绝缘层结构300、下布线470、上布线510、连接图案590、发光结构200、下配向层310、上配向层315、涂层390、黑矩阵370、滤色器350和上基底410等。在这种情况下，绝缘层结构300可以包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190。另外，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。在图27的显示装置800的截面图中，下布线470的第一部分471可以具有在第三方向d3上从第三部分473突出的形状。下布线470的第二部分472可以具有在第三方向d3上从第一部分471突出的形状。换句话说，第一部分471可以位于第二部分472与第三部分473之间。另外，在图27的显示装置800的截面图中，上布线510的第一部分511可以具有在第一方向d1上从第二部分512突出的形状。
153.栅极绝缘层150可以设置在下基底110、栅极电极170和下布线470上。栅极绝缘层150可以延伸到外围区域20以覆盖在显示区域10中在下基底110上的栅极电极170，并且可以覆盖在外围区域20中的下布线470的第二部分472和第三部分473的一部分。换句话说，下布线470的第二部分472和第三部分473的一部分可以被栅极绝缘层150覆盖。在实施例中，栅极绝缘层150可以包括暴露下布线470的第一部分471的第一开口151和暴露下布线470的第三部分473的一部分的第三开口152。另外，栅极绝缘层150的第一开口151可以在第三方向d3上从上布线510的第一部分511的侧表面延伸。即，上布线510的一部分可以在第一开口151的向内方向上突出。换句话说，栅极绝缘层150可以在上布线510的第一部分511下方具有底切形状。
154.例如，除了下布线470的第一部分471(例如，第一开口151)和下布线470的第三部分473的一部分(例如，第三开口152)之外，栅极绝缘层150可以充分地覆盖在下基底110上的栅极电极170和下布线470，并且可以具有基本上平坦的顶表面，不在栅极电极170和下布线470周围产生台阶。在一些实施例中，栅极绝缘层150可以沿着栅极电极170和下布线470的轮廓以均匀厚度设置，以覆盖在下基底110上的除了下布线470的第一部分471(例如，第一开口151)和下布线470的第三部分473的一部分(例如，第三开口152)之外的栅极电极170和下布线470。栅极绝缘层150可以包括硅化合物和金属氧化物等。
155.层间绝缘层190可以设置在栅极绝缘层150、源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510的一部分上。层间绝缘层190可以延伸到外围区域20以覆盖在显示区域10中在栅极绝缘层150上的源极电极210、漏极电极230和有源层130。层间绝缘层190可以覆盖在外围区域20中的上布线510的第二部分512以及设置在下布线470的第三部分473的一部分上的栅极绝缘层150。换句话说，设置在下布线470的第三部分473的一部分上的栅极绝缘层150可以被层间绝缘层190覆盖。在实施例中，层间绝缘层190可以包括第二开口191和第四开口192，第二开口191暴露上布线510的第一部分511和下布线470的第一部分471，第四开口192暴露下布线470的第三部分473的一部分。另外，第二开口191可以与第一开口151完全重叠，并且第四开口192可以与第三开口152完全重叠。换句话说，第二开口191的尺寸可以大于第一开口151的尺寸，并且第四开口192的尺寸可以大于第三开口152的尺寸。
156.例如，除了第一开口151、第三开口152、第二开口191和第四开口192之外，层间绝
缘层190可以充分地覆盖在栅极绝缘层150上的源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510。层间绝缘层190可以具有基本上平坦的顶表面，不在源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510周围产生台阶。在一些实施例中，层间绝缘层190可以沿着源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510的轮廓以均匀厚度设置，以覆盖在栅极绝缘层150上的除了第一开口151、第三开口152、第二开口191和第四开口192之外的源极电极210、漏极电极230、有源层130和上布线510。绝缘层190可以包括硅化合物和金属氧化物等。
157.相应地，可以提供包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190的绝缘层结构300，栅极绝缘层150具有第一开口151和第三开口152，层间绝缘层190具有第二开口191和第四开口192。在这种情况下，第一开口151和第二开口191可以限定为绝缘层结构300的第一接触孔600。第三开口152和第四开口192可以限定为绝缘层结构300的第二接触孔610。
158.参考图8和图28，显示装置900可以包括下基底110、半导体元件250、绝缘层结构300、下布线470、有源图案430、上布线510、连接图案590、发光结构200、下配向层310、上配向层315、涂层390、黑矩阵370、滤色器350和上基底410等。在这种情况下，绝缘层结构300可以包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190。另外，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。在图28的显示装置900的截面图中，下布线470的第一部分471可以具有在第三方向d3上从第三部分473突出的形状。下布线470的第二部分472可以具有在第三方向d3上从第一部分471突出的形状。换句话说，第一部分471可以位于第二部分472与第三部分473之间。另外，在图28的显示装置900的截面图中，上布线510的第一部分511可以具有在第一方向d1上从第二部分512突出的形状。
159.有源图案430可以在外围区域20中设置在栅极绝缘层150上。有源图案430可以设置在上布线510与下布线470之间，并且可以接触上布线510的底表面。换句话说，有源图案430的第一部分可以与下布线470的第二部分472重叠，并且有源图案430的第一部分的侧表面可以与由第一开口151限定的栅极绝缘层150的侧表面对准。有源图案430的与第一部分相对的第二部分可以与上布线510的第二部分512重叠。在实施例中，有源图案430可以暴露上布线510的第一部分511的底表面的一部分。另外，有源图案430可以与有源层130位于相同的层上，并且有源图案430和有源层130可以包括相同的材料。
160.图29是示出根据实施例的显示装置1000的平面图。图30至图32是分别示出图29的下布线470、上布线510和连接电极(或连接图案)590的布局图。图33是示出根据实施例的显示装置1000的截面图。除了上布线510的形状之外，图29至图33中示出的显示装置1000可以具有与参考图2至图8描述的显示装置100的配置基本上相同或相似的配置。在图29至图33中，将省略对与参考图2至图8描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
161.参考图8、图29、图30、图31、图32和图33，显示装置1000可以包括下基底110、半导体元件250、绝缘层结构300、下布线470、上布线510、连接图案590、发光结构200、下配向层310、上配向层315、涂层390、黑矩阵370、滤色器350和上基底410等。在这种情况下，半导体元件250可以包括栅极电极170、有源层130、源极电极210和漏极电极230。绝缘层结构300可以包括栅极绝缘层150和层间绝缘层190。另外，发光结构200可以包括像素电极290、液晶层330和公共电极340。此外，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。在图33的显示装置1000的截面图中，下布
线470的第一部分471可以具有在第二方向d2上从第三部分473突出的形状，并且下布线470的第二部分472可以具有在第二方向d2上从第一部分471突出的形状。换句话说，第一部分471可以位于第二部分472与第三部分473之间。另外，在图29、图31的显示装置1000的截面图中，上布线510的第一部分511可以具有在第一方向d1上从第二部分512突出的形状。
162.参考图29、图30和图33，当在显示装置1000的平面图中观看时，下布线470的第三部分473可以具有矩形形状，并且第三部分473的一个部分可以在第四方向d4上延伸。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510不重叠的一部分可以限定为第一部分471。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510重叠的一部分可以限定为第二部分472。因此，下布线470的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分471和第二部分472)之外的其余部分可以限定为第三部分473。
163.例如，由于第二部分472与第一部分511重叠，因此第二部分472可以对应于不由第一接触孔600暴露的一部分，并且当未设置连接图案590时第一部分471可以对应于由第一接触孔600暴露的一部分。
164.如图29、图31和图33中示出，上布线510可以设置在下布线470上。当在显示装置1000的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以具有矩形形状，并且第二部分512的一个部分可以在第二方向d2和/或第四方向d4上延伸。位于第一接触孔600中的上布线510可以限定为第一部分511，并且第一部分511可以对应于与下布线470重叠的一部分(或者由第一接触孔600暴露的一部分)。因此，上布线510的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分511)之外的其余部分可以限定为第二部分512。
165.如图29、图32和图33中示出，连接图案590可以设置在上布线510上。连接图案590可以通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510。在实施例中，连接图案590可以具有在第一接触孔600中在上布线510的第一部分511与下布线470的第一部分471之间的边界处的开口153。由于开口153的原因，在第一接触孔600之内电流不会在第四方向d4上流过连接图案590，但是电流可以流过第一路径a1和第二路径a2，如图5中示出。相应地，即使当开口153形成在连接图案590中时，下布线470和上布线510也可以由连接图案590彼此电连接。
166.图34是示出根据实施例的显示装置1100的平面图。除了上布线510的形状以外，图34中示出的显示装置1000可以具有与参考图29至图33描述的显示装置1000的配置基本上相同或相似的配置。在图34中，将省略对与参考图29至图33描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
167.参考图34，上布线510可以设置在下布线470上。当在显示装置1100的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以具有矩形形状，并且第二部分512的一个部分可以在第二方向d2和/或第四方向d4上延伸。位于第一接触孔600中的上布线510可以限定为第一部分511，并且第一部分511可以对应于与下布线470重叠的一部分(或者由第一接触孔600暴露的一部分)。因此，上布线510的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分511)之外的其余部分可以限定为第二部分512。
168.当与图31的上布线510相比时，图34的上布线510也可以设置在位于在第二方向d2(或第四方向d4)上彼此相邻的第一接触孔600之间的空间中，使得可以相对地降低布线电阻。
169.图35是示出根据实施例的显示装置1200的平面图。图36至图38是分别示出图35的下布线470、上布线510和连接电极(或连接图案)590的布局图。除了上布线510和第二接触孔610的形状之外，图35至图38中示出的显示装置1200可以具有与参考图29至图33描述的显示装置1000的配置基本上相同或相似的配置。在图35至图38中，将省略对与参考图29至图33描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
170.参考图35、图36、图37和图38，显示装置1200可以包括下布线470、上布线510和连接图案590等。在这种情况下，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。
171.下布线470、上布线510和连接图案590可以设置在显示装置1200的外围区域20中。例如，如图1中所描述，在外围区域20中，配置为将焊盘电极480连接到包括在抗静电结构630中的二极管的布线、配置为将二极管连接到发光结构的布线、配置为将二极管连接到包括在电路结构620中的栅极信号线和时钟信号线的布线、配置为将栅极信号施加到包括在电路结构620中的晶体管的栅极信号线以及配置为将时钟信号施加到晶体管的时钟信号线可以包括下布线470和上布线510。连接图案590可以通过第一接触孔600和第二接触孔610将下布线470电连接到上布线510。
172.如图35和图36中示出，当在显示装置1200的平面图中观察时，下布线470的第三部分473可以具有矩形形状，并且第三部分473的一个部分可以在第四方向d4上延伸。例如，第三部分473的一个部分可以在第四方向d4上延伸，使得第三部分473的一个部分可以连接到电路结构620的晶体管、时钟信号线和栅极信号线或抗静电结构630的二极管。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510不重叠的一部分可以限定为第一部分471。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510重叠的一部分可以限定为第二部分472。因此，下布线470的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分471和第二部分472)之外的其余部分可以限定为第三部分473。
173.如图35和图37中示出，上布线510可以设置在下布线470上。当在显示装置1200的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以具有矩形形状，并且可以在第二方向d2上延伸。例如，在第二方向d2上延伸的上布线510可以连接到焊盘电极480。位于第一接触孔600中的上布线510可以限定为第一部分511，并且第一部分511可以对应于与下布线470重叠的一部分(或者由第一接触孔600暴露的一部分)。因此，上布线510的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分511)之外的其余部分可以限定为第二部分512。
174.如图35和图38中示出，连接图案590可以设置在上布线510上。连接图案590可以通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510，并且可以通过第二接触孔610电连接到下布线470。在实施例中，连接图案590可以具有在第一接触孔600中在上布线510的第一部分511与下布线470的第一部分471之间的边界处的开口153。由于开口153的原因，在第一接触孔600之内电流不会在第一方向d1上流过连接图案590，但是电流可以流过第一路径a1和第二路径a2，如图5中示出。相应地，即使当开口153形成在连接图案590中时，下布线470和上布线510也可以由连接图案590彼此电连接。
175.在根据实施例的显示装置1200中，上布线510可以在形成第一接触孔600的部分中与下布线470重叠，并且连接图案590可以通过一个接触孔(例如，第一接触孔600)电连接到下布线470和上布线510中的每一个。另外，连接图案590可以通过形成在下布线470的第三
部分473中的第二接触孔610电连接到下布线470。另外，由于显示装置1200包括多个第一接触孔600和多个第二接触孔610，因此可以进一步减小连接图案590与下布线470和上布线510之间的接触电阻。
176.图39是示出根据实施例的显示装置1300的平面图。图40至图42是分别示出图39的下布线470、上布线510和连接电极(或连接图案)590的布局图。除了第一接触孔600和第二接触孔610之外，图39至图42中示出的显示装置1300可以具有与参考图35至图38描述的显示装置1200的配置基本上相同或相似的配置。将省略对与参考图35至图38描述的组件基本上相同或相似的组件的冗余描述。
177.参考图39、图40、图41和图42，显示装置1300可以包括下布线470、上布线510和连接图案590等。在这种情况下，下布线470可以包括第一部分471、第二部分472和第三部分473。上布线510可以包括第一部分511和第二部分512。
178.如图39和图40中示出，当在显示装置1300的平面图中观察时，下布线470的第三部分473可以具有矩形形状，并且第三部分473的一个部分可以在第四方向d4上延伸。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510不重叠的一部分可以限定为第一部分471。下布线470的位于第一接触孔600中并且与上布线510重叠的一部分可以限定为第二部分472。因此，下布线470的除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分471和第二部分472)之外的其余部分可以限定为第三部分473。
179.如图39和图41中示出，上布线510可以设置在下布线470上。当在显示装置1300的平面图中观察时，上布线510的第二部分512可以具有矩形形状，可以在第二方向d2上延伸，并且可以具有在第三方向d3上突出的突出部。位于第一接触孔600中的上布线510可以限定为第一部分511，并且第一部分511可以对应于与下布线470重叠的一部分(或者由第一接触孔600暴露的一部分)。因此，上布线510除了第一接触孔600所位于的一部分(例如，第一部分511)之外的其余部分可以限定为第二部分512。
180.如图39和图42中示出，连接图案590可以设置在上布线510上。连接图案590可以通过第一接触孔600将下布线470电连接到上布线510，并且可以通过第二接触孔610电连接到下布线470。在实施例中，连接图案590可以具有在第一接触孔600中在上布线510的第一部分511与下布线470的第一部分471之间的边界处的开口153。由于开口153的原因，在第一接触孔600之内电流不会在第一方向d1上流过连接图案590，但是333电流可以流过第一路径a1和第二路径a2，如图5中示出。相应地，即使当开口153形成在连接图案590中时，下布线470和上布线510也可以由连接图案590彼此电连接。
181.当与图38的连接图案590相比时，第一接触孔600和第二接触孔610可以在图42的连接图案590中交替地布置。相应地，由于图41的上布线510包括突出部，因此图41的上布线510可以与交替地布置的第一接触孔600重叠。
182.本发明构思可以应用于包括显示装置的各种电子装置。例如，本发明构思可以应用于多种电子装置，诸如车辆显示装置、轮船显示装置、飞机显示装置、便携式通信装置、用于显示或用于信息传递的显示装置、医疗显示装置等。
183.前述内容是实施例的说明并且将不被解释为限制性的。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖教导和特征的情况下，可以对实施例进行许多修改。相应地，所有这些修改旨在包括在如权利要求中所限定
的本发明构思的范围之内。因此将理解的是，前述内容是各种实施例的说明并且将不被解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其它实施例旨在包括在所附权利要求的范围之内。