一种发光二极管及半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底、在衬底上依次外延生长的缓冲层、n型氮化镓层、发光区缓冲层、第一发光层、第二发光层、电子阻挡层以及p型氮化镓层，其中，第二发光层包括一个或多个发光阱
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势垒对子层；发光区缓冲层的厚度为发光阱
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势垒对子层厚度的预设第一倍数；第一发光层的厚度为发光阱
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势垒对子层厚度的预设第二倍数，所述第二倍数小于第一倍数；电子阻挡层的厚度为发光阱
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势垒对子层厚度的预设第三倍数，所述第三倍数小于第一倍数。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光阱
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势垒对子层的厚度为所述第一倍数为20～40，所述第二倍数为2.5～8，所述第三倍数为1～6。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光阱
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势垒对子层的厚度为所述第一倍数为25～40，所述第二倍数为3～8，所述第三倍数为2～6。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述发光区缓冲层的厚度为所述第一发光层的厚度为所述电子阻挡层的厚度为5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述发光区缓冲层的厚度为所述第一发光层的厚度为所述电子阻挡层的厚度为6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光区缓冲层、所述第一发光层、所述第二发光层均为含al、in的n型掺杂氮化物半导体，其中第二发光层中al原子平均浓度＞第一发光层中al原子平均浓度＞发光区缓冲层中al原子平均浓度。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第二发光层中in原子平均浓度＞第一发光层中in原子平均浓度＞发光区缓冲层中in原子平均浓度。8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述发光区缓冲层中n型杂质原子平均浓度＞第二发光层中n型杂质原子平均浓度≥第一发光层中n型杂质原子平均浓度。9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述发光区缓冲层包括一个或多个依次外延生长的子层对，所述发光区缓冲层中的前一子层对的in含量小于后一子层对的in含量。10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二发光层包括：第一发光阱
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势垒对子层以及第二发光阱
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势垒对子层，所述第一发光阱
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势垒对子层包括：第一发光阱子层以及第一发光势垒子层，所述第二发光阱
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势垒对子层包括：第二发光阱子层以及第二发光势垒子层，其中，所述第一发光阱子层外延生长在所述第一发光层上，所述第一发光势垒子层外延生长在所述第一发光阱子层上，所述第二发光阱子层外延生长在所述第一发光势垒子层上，所述第二发光势垒子层外延生长在所述第二发光阱子层上。11.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求10中任意一项所述的
发光二极管。

技术总结
本实用新型提供了一种发光二极管及半导体器件，发光二极管包括：衬底、在衬底上依次外延生长的缓冲层、N型氮化镓层、发光区缓冲层、第一发光层、第二发光层、电子阻挡层以及P型氮化镓层，其中，第二发光层包括一个或多个发光阱


技术研发人员：宋长伟 黄理承 郭园 展望 程志青 芦玲
受保护的技术使用者：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
技术研发日：2021.06.18
技术公布日：2021/11/30