一种相对电源的高压稳压电路的制作方法

技术特征：
1.一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,所述电路包括mos管p1，mos管p1的漏端连接偏置电流，mos管p1的栅端连接mos管p2的栅端，mos管p2、mos管p3与mos管p4的栅端相连接，mos管p5、mos管p6与mos管p7的栅端相连接，所述mos管p5的漏端连接hvpmos管p8的源端,所述mos管p2的漏端连接hvpmos管p9的源端。2.根据权利要求1所述的一种相对电源的高压稳压电路，其特征在于，所述hvpmos管p8的栅端接hvpmos管p9的栅端，mos管p3的漏端连接电阻r1和电阻r2，所述电阻r2接mos管n1的源端，mos管n1的漏端连接mos管p6的漏端，mos管p7的漏端连接mos管n4的漏端，mos管n4的栅端连接mos管n3的栅端，mos管n1的栅端连接mos管n2的栅端，mos管n2的漏端连接mos管p10的漏端，mos管p10的源端接电阻r1和电阻r2，mos管p10的源端连接mos管p11的源端，mos管p11的漏端连接mos管n3的漏端，所述mos管p4的漏端连接mos管p10和mos管p11的源端，所述mos管n2和mos管n3的源端相连且连接hvnmos管n7的漏端。3.根据权利要求2所述的一种相对电源的高压稳压电路，其特征在于，所述hvpmos管p8的漏端连接mos管n5的漏端，所述hvpmos管p9的的漏端连接mos管n6的漏端，所述mos管n5的栅端连接mos管n6的栅端，所述hvnmos管n7的栅端连接mos管n6的漏端，所述mos管n5、mos管n6及hvnmos管n7的源端相连。4.根据权利要求3所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,所述mos管p11的源端连接电阻r3和电阻r4，电阻r4接mos管n4的源端。5.根据权利要求4所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,所述mos管p1、mos管n2、mos管n3及mos管n5的栅端与漏端相连。6.根据权利要求5所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,基准电流流经电阻r1和电阻r2产生基准电压作为运算放大器的正输入端，输出电压经过电阻r3和电阻r4进行采样反馈回运算放大器的负向输入端。7.根据权利要求6所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于,当负载突然增加，输出电压vout减小，采样电压减小，运算输出电压变大，hvmos下拉能力增强，gnd_folating电压减小，从而是vout增加。8.根据权利要求7所述的一种相对电源的高压稳压电路,其特征在于, 随着vdd供电电压升高，gnd_floating电压升高，hvmos漏极承担高压。

技术总结
本发明提供了一种相对电源的高压稳压电路,所电路中运算放大器的正向输入端为相对GND_Floating的参考电压VREF，负向输入端为输出电压VOUT按比例采样电压，运算放大器的输出端连接调整管HVMOS的栅极。当负载突然增加，输出电压VOUT减小，采样电压减小，运算输出电压变大，HVMOS下拉能力增强，GND_Folating电压减小，从而是VOUT增加，同时随着VDD供电电压升高，GND_Floating电压升高，HVMOS漏极承担高压，可以根据耐压需求选择相应的HVMOS管。该电路仅需要一个HVNMOS和两个HVPMOS即可实现在VDD很宽范围内产生一个电源电压，本发明相对电源的电压产生电路与传统对地的电压不同，可以应用在地线不稳定的情况，并且仅使用极少高压器件即可实现。压器件即可实现。压器件即可实现。


技术研发人员：罗寅 张胜 谭在超 丁国华
受保护的技术使用者：苏州锴威特半导体股份有限公司
技术研发日：2021.09.22
技术公布日：2021/11/30