一种电平转换电路及芯片的制作方法

技术特征：
1.一种电平转化电路，其特征在于，所述电平转化电路包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管和反相器；所述第一pmos管的源极连接i/o电源，漏极连接第一输出节点，栅极连接第二输出节点；所述第一nmos管的漏极连接所述第一输出节点，源极接地，栅极连接输入信号；所述第二pmos管的源极连接所述i/o电源，漏极连接所述第二输出节点，栅极连接所述第一输出节点；所述第二nmos管的漏极连接所述第二输出节点，源极接地，栅极连接所述反相器的输出端，所述反相器的输入端连接所述输入信号；所述第三pmos管的源极连接外接电源，漏极连接第三节点，栅极连接所述输入信号；所述第三nmos管的漏极连接所述第三节点，源极连接所述第一输出节点，栅极连接所述第二输出节点；所述第四pmos管的源极连接所述外接电源，漏极连接第四节点，栅极连接所述反相器的输出端；所述第四nmos管的漏极连接所述第四节点，源极连接所述第二输出节点，栅极连接所述第一输出节点。2.如权利要求1所述的一种电平转化电路，其特征在于，所述i/o电源的电压为vddio，vddio的范围为1.6v～3.6v。3.如权利要求1所述的一种电平转化电路，其特征在于，所述外接电源为内核电路的内核电源。4.如权利要求1所述的一种电平转化电路，其特征在于，所述外接电源的电压为vddc1，并且v额定≥vddc1≥|vthp|，其中，v额定是指所述第三pmos管和所述第四pmos管的额定工作电压，vthp是指所述第三pmos管和所述第四pmos管的阈值电压。5.如权利要求1所述的一种电平转化电路，其特征在于，所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第三pmos管、所述第四pmos管、所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第三nmos管和所述第四nmos管均为厚栅氧mos管。6.如权利要求1所述的一种电平转化电路，其特征在于，所述第三pmos管和所述第四pmos管均为薄栅氧mos管。7.如权利要求1所述的一种电平转化电路，其特征在于，所述第一输出节点或所述第二输出节点为所述电平转化电路的输出端。8.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括内核电路和权利要求1～7任一项所述的电平转化电路，所述内核电路的输出端与所述电平转化电路的输入端连接。

技术总结
本发明提供了一种电平转化电路及芯片，电平转化电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和反相器；第一PMOS管的源极连接I/O电源，漏极连接第一输出节点，栅极连接第二输出节点；第一NMOS管的漏极连接第一输出节点，源极接地，栅极连接输入信号；第二PMOS管的源极连接I/O电源，漏极连接第二输出节点，栅极连接第一输出节点；第二NMOS管的漏极连接第二输出节点，源极接地，栅极连接反相器的输出端，反相器的输入端连接所述输入信号。电平转化电路适用于宽VDDIO范围的输出要求，并且输出速度快、功耗小。功耗小。功耗小。


技术研发人员：严慧婕 温建新 蒋宇 沈灵 曾夕
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2021.09.07
技术公布日：2021/11/30