一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器的制作方法

1.本实用新型涉及敏感元器件技术领域，尤其涉及一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器。


背景技术：

2.敏感元器件是敏感元件和传感器件的简称，国外通常称传感器，实际上敏感元件与传感器是有差别的，敏感元件仅能敏感某个物理量，并能完成一定的功能，如压电射流陀螺、盲人导航仪和机器人视觉、听觉、触觉、力觉、味觉等传感器，传感器由敏感元件、电路、微处理机和机械结构等构成。
3.目前，现有的单晶硅差压传感器仍存在不足之处，现有单晶硅差压传感器，通常包括芯片、传感器正压腔、传感器负压腔、正压腔油路、负压腔油路、中心膜片、壳体接口等，首先，现有的单晶硅差压传感器内部结构不对称，正负压油路油量不相等，对芯片产生正负压；其次，正负压油路设计复杂，加工成本高，进而影响传感器的温漂性能，从而降低了单晶硅差压传感器的使用效果。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种密封性能好、压力传感性能好以及部件便于拆卸更换的对称结构的高精度单晶硅差压传感器。
5.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座主体、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室、螺纹接头、定位管和充油管；所述基座主体的上端内侧壁套接安装有烧结底座；所述烧结底座的下端面对接安装有芯体座；所述芯体座的上端面开设的凹槽内部安装有单晶硅芯片；所述烧结底座和芯体座的外侧壁安装有芯体管路；所述基座主体的内部间隔嵌入安装有基座管路；所述基座主体的内部正中心竖直开设加工有中心腔室；所述中心腔室的内部竖直安装有中心膜片；所述基座主体的外侧壁套接安装有隔离膜片；所述基座主体与所述隔离膜片之间形成有隔离腔室；所述芯体管路、基座管路、中心腔室、隔离腔室内腔均设置填充液；所述芯体座的下端面与所述基座主体之间竖直嵌入安装有定位管，且定位管套接于所述基座管路的上端；所述基座主体的上端通过开设的外螺纹连接安装有螺纹接头；所述烧结底座的上端面间隔竖直嵌入安装有充油管。
6.作为本实用新型的进一步改进，所述烧结底座中设置有注油孔，且所述注油孔上端口与所述充油管对接在一起。
7.作为本实用新型的进一步改进，所述中心膜片与隔离膜片均采用的是金属膜片。
8.作为本实用新型的进一步改进，所述填充液中含有硅油。
9.作为本实用新型的进一步改进，所述中心腔室、隔离腔室相对于中心膜片呈轴对称分布。
10.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型芯体管路、基座管路、中
心腔室、隔离腔室内腔均设置填充液，填充液中含有硅油，这样不但可以提高设备的整体密封性，而且通过硅油填充液也可以对外部压力进行传递；本实用新型基座主体和螺纹接头通过采用螺纹对接安装在一起，当设备内部零部件出现损坏时，可以便于零部件的更换或者维修；本实用新型基座主体的外部套接安装有隔离膜片，通过隔离膜片可以对设备起到密封作用，避免内部填充的填充液泄露出来；本实用新型中，通过将基座管路、中心腔室与隔离腔室相对于中心膜片呈轴对称分布，且中心腔室与隔离腔室腔室中填充液相等，提高传感器温漂性能，降低了生产成本，从而提高了单晶硅差压传感器的使用效果。
附图说明
11.图1为本实用新型整体结构示意图。
12.图例说明：1、烧结底座；2、单晶硅芯片；3、芯体座；4、芯体管路；5、基座主体；6、基座管路；7、中心膜片；8、中心腔室；9、隔离膜片；10、隔离腔室；11、填充液；12、定位管；13、螺纹接头；14、充油管。
具体实施方式
13.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
14.请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，包括烧结底座1、单晶硅芯片2、芯体座3、芯体管路4、基座主体5、基座管路6、中心膜片7、中心腔室8、隔离膜片9、隔离腔室10、螺纹接头13、定位管12和充油管14；基座主体5的上端内侧壁套接安装有烧结底座1；烧结底座1的下端面对接安装有芯体座3；芯体座3的上端面开设的凹槽内部安装有单晶硅芯片2；；烧结底座1和芯体座3的外侧壁安装有芯体管路4；基座主体5的内部间隔嵌入安装有基座管路6；基座主体5的内部正中心竖直开设加工有中心腔室8；中心腔室8的内部竖直安装有中心膜片7；基座主体5的外侧壁套接安装有隔离膜片9；基座主体5与隔离膜片9之间形成有隔离腔室10；芯体管路4、基座管路6、中心腔室8、隔离腔室10内腔均设置填充液11；芯体座3的下端面与基座主体5之间竖直嵌入安装有定位管12，且定位管12套接于基座管路6的上端；基座主体5的上端通过开设的外螺纹连接安装有螺纹接头13；烧结底座1的上端面间隔竖直嵌入安装有充油管14；烧结底座1中设置有注油孔，且注油孔上端口与充油管14对接在一起；中心膜片7与隔离膜片9均采用的是金属膜片；填充液11中含有硅油；基座管路6、中心腔室8、隔离腔室10相对于中心膜片7呈轴对称分布；中心腔室8与隔离腔室10内腔中填充的填充液11等量。
15.使用时，通过将中心腔室8与隔离腔室10相对于中心膜片7呈轴对称分布，且中心腔室8与隔离腔室10腔室中填充液11相等，提高传感器温漂性能，降低了生产成本，从而提高了单晶硅差压传感器的使用效果。
16.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范
围之内。


技术特征：
1.一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，其特征在于：包括烧结底座（1）、单晶硅芯片（2）、芯体座（3）、芯体管路（4）、基座主体（5）、基座管路（6）、中心膜片（7）、中心腔室（8）、隔离膜片（9）、隔离腔室（10）、螺纹接头（13）、定位管（12）和充油管（14）；所述基座主体（5）的上端内侧壁套接安装有烧结底座（1）；所述烧结底座（1）的下端面对接安装有芯体座（3）；所述芯体座（3）的上端面开设的凹槽内部安装有单晶硅芯片（2）；所述烧结底座（1）和芯体座（3）的外侧壁安装有芯体管路（4）；所述基座主体（5）的内部间隔嵌入安装有基座管路（6）；所述基座主体（5）的内部正中心竖直开设加工有中心腔室（8）；所述中心腔室（8）的内部竖直安装有中心膜片（7）；所述基座主体（5）的外侧壁套接安装有隔离膜片（9）；所述基座主体（5）与所述隔离膜片（9）之间形成有隔离腔室（10）；所述芯体管路（4）、基座管路（6）、中心腔室（8）、隔离腔室（10）内腔均设置填充液（11）；所述芯体座（3）的下端面与所述基座主体（5）之间竖直嵌入安装有定位管（12），且定位管（12）套接于所述基座管路（6）的上端；所述基座主体（5）的上端通过开设的外螺纹连接安装有螺纹接头（13）；所述烧结底座（1）的上端面间隔竖直嵌入安装有充油管（14）。2.根据权利要求1所述的一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，其特征在于：所述烧结底座（1）中设置有注油孔，且所述注油孔上端口与所述充油管（14）对接在一起。3.根据权利要求1所述的一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，其特征在于：所述中心膜片（7）与隔离膜片（9）均采用的是金属膜片。4.根据权利要求1所述的一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，其特征在于：所述填充液（11）中含有硅油。5.根据权利要求1所述的一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，其特征在于：所述中心腔室（8）、隔离腔室（10）相对于中心膜片（7）呈轴对称分布。

技术总结
本实用新型公开了一种对称结构的高精度单晶硅差压传感器，包括烧结底座、单晶硅芯片、芯体座、芯体管路、基座主体、基座管路、中心膜片、中心腔室、隔离膜片、隔离腔室、螺纹接头、定位管和充油管；基座主体的上端内侧壁套接安装有烧结底座；烧结底座的下端面对接安装有芯体座；芯体座的上端面开设的凹槽内部安装有单晶硅芯片；烧结底座和芯体座的外侧壁安装有芯体管路；基座主体的内部间隔嵌入安装有基座管路；基座主体的内部正中心竖直开设加工有中心腔室；中心腔室的内部竖直安装有中心膜片；本实用新型能够提供一种密封性能好、压力传感性能好以及部件便于拆卸更换的对称结构的高精度单晶硅差压传感器。度单晶硅差压传感器。度单晶硅差压传感器。


技术研发人员：赵建立 马志强
受保护的技术使用者：南京沃天科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.25
技术公布日：2021/11/28