一种电磁噪声抑制器的制作方法

1.本发明涉及电子技术的技术领域，特别是涉及一种电磁噪声抑制器。


背景技术：

2.近年来，使用无线电波的信息通信设备，例如移动电话和蓝牙，已经变得广泛，包括互联网的使用。随着这些信息设备的广泛使用，从这些信息设备辐射的电磁波引起的其他电子设备的故障和对人体的影响已经成为问题。因此，要求电子设备发射尽可能少的电磁波，即使接收到来自外界的电磁波也不会发生故障，以免引起故障或影响其他电子设备或人体。
3.在高密度安装的电子元件之间或基板之间可能发生由电磁噪声引起的电磁干扰。由于过度拥挤的电子元件和印制线路的信号处理速度也提高了，由于静电和电磁耦合引起的线路耦合增加和由于辐射噪声引起的干扰发生，导致电子设备出现了所谓的电磁干扰。


技术实现要素：

4.为解决上述技术问题，本发明提供一种有效地阻滞抑制电磁噪声谐波，抑制电子设备不必要的噪声和电磁波的干扰，提高实用性的电磁噪声抑制器。
5.本发明的一种电磁噪声抑制器，包括：
6.基板，所述基板包括复合层和有机聚合物，电介质粉末分散在有机聚合物内，所述复合层位于有机聚合物的表面；
7.导体层，所述导体层由支撑膜和由通过在支撑膜上物理沉积金属而形成的金属层构成的导电膜构成；
8.其中，所述导体层压在基板的表面上，所述复合层与有机聚合物之间设置有过渡层，所述支撑膜与金属层之间设置有绝缘层。
9.本发明的一种电磁噪声抑制器，电磁噪声抑制器制备方法，包括以下步骤：
10.s1、绝缘层通过物理沉积法涂覆在支撑膜的表面；
11.s2、通过反靶磁控溅射法将金属层均匀且稳定的涂覆在绝缘层上；
12.s3、导体层上涂覆有机聚合物的基材材料；
13.s4、过渡层涂覆在有机聚合物上；
14.s5、复合层通过物理气相沉积涂覆在过渡层上。
15.本发明的一种电磁噪声抑制器，所述金属层的厚度为5
‑
500nm。
16.本发明的一种电磁噪声抑制器，所述金属层可使用镍、锡、铜、磷青铜、镍银、黄铜等金属。
17.本发明的一种电磁噪声抑制器，所述支撑膜的材料包括聚烯烃基、聚酯基、聚醚基、聚酮基和聚氨酯基的树脂。
18.本发明的一种电磁噪声抑制器，所述绝缘层可采用有机绝缘层或无机绝缘层，有机绝缘层的材料为聚苯酰胺，无机绝缘层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮化铝或氧化镁。
19.本发明的一种电磁噪声抑制器，所述过渡层采用高附着性金属材料，可采用ti、ta或cr。
20.本发明的一种电磁噪声抑制器，所述复合层采用磁性薄膜材料，可采用conbzr磁性薄膜。
21.与现有技术相比本发明的有益效果为：通过复合层采用磁性薄膜材料，有效地阻滞抑制电磁噪声谐波，通过设置过渡层，增加复合层与有机聚合物层的接触，充分抑制传导噪声，绝缘层的设置，保证电子元件的正常使用，屏蔽电子设备中电磁波的作用，抑制电磁波反射引起的障碍，降低电磁波的干扰，抑制电子设备不必要的噪声和电磁波的干扰，提高实用性。
附图说明
22.图1是本发明的结构示意图；
23.附图中标记：1、基板；2、导体层；3、复合层；4、有机聚合物；5、电介质粉末；6、金属层；7、支撑膜；8、过渡层；9、绝缘层。
具体实施方式
24.下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
25.如图1所示，本发明的一种电磁噪声抑制器，包括：
26.基板1，所述基板1包括复合层3和有机聚合物4，电介质粉末5分散在有机聚合物4内，所述复合层3位于有机聚合物4的表面；
27.导体层2，所述导体层2由支撑膜7和由通过在支撑膜7上物理沉积金属而形成的金属层6构成的导电膜构成；
28.其中，所述导体层2压在基板1的表面上，所述复合层3与有机聚合物4之间设置有过渡层8，所述支撑膜7与金属层8之间设置有绝缘层9；通过复合层采用磁性薄膜材料，有效地阻滞抑制电磁噪声谐波，通过设置过渡层，增加复合层与有机聚合物层的接触，充分抑制传导噪声，绝缘层的设置，保证电子元件的正常使用，屏蔽电子设备中电磁波的作用，抑制电磁波反射引起的障碍，降低电磁波的干扰，抑制电子设备不必要的噪声和电磁波的干扰，提高实用性。
29.作为上述实施例的优选，电磁噪声抑制器制备方法，包括以下步骤：
30.s1、绝缘层9通过物理沉积法涂覆在支撑膜7的表面；
31.s2、通过反靶磁控溅射法将金属层6均匀且稳定的涂覆在绝缘层9上；
32.s3、导体层2上涂覆有机聚合物4的基材材料；
33.s4、过渡层8涂覆在有机聚合物4上；
34.s5、复合层3通过物理气相沉积涂覆在过渡层8上。
35.作为上述实施例的优选，所述金属层6的厚度为5
‑
500nm；如果小于5nm，则金属层的导电性不稳定，难以发挥电磁波屏蔽效果，如果超过500nm，则在经济上不利。当厚度为5至150nm时，有助于电磁波噪声抑制体10的轻量化、薄型化和柔韧性。
36.作为上述实施例的优选，所述金属层6可使用镍、锡、铜、磷青铜、镍银、黄铜等金
属。
37.作为上述实施例的优选，所述支撑膜7的材料包括聚烯烃基、聚酯基、聚醚基、聚酮基和聚氨酯基的树脂。
38.作为上述实施例的优选，所述绝缘层9可采用有机绝缘层或无机绝缘层，有机绝缘层的材料为聚苯酰胺，无机绝缘层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮化铝或氧化镁。
39.作为上述实施例的优选，所述过渡层8采用高附着性金属材料，可采用ti、ta或cr。
40.作为上述实施例的优选，所述复合层3采用磁性薄膜材料，可采用conbzr磁性薄膜。
41.以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种电磁噪声抑制器，其特征在于，包括：基板(1)，所述基板(1)包括复合层(3)和有机聚合物(4)，电介质粉末(5)分散在有机聚合物(4)内，所述复合层(3)位于有机聚合物(4)的表面；导体层(2)，所述导体层(2)由支撑膜(7)和由通过在支撑膜(7)上物理沉积金属而形成的金属层(6)构成的导电膜构成；其中，所述导体层(2)压在基板(1)的表面上，所述复合层(3)与有机聚合物(4)之间设置有过渡层(8)，所述支撑膜(7)与金属层(8)之间设置有绝缘层(9)。2.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，电磁噪声抑制器制备方法，包括以下步骤：s1、绝缘层(9)通过物理沉积法涂覆在支撑膜(7)的表面；s2、通过反靶磁控溅射法将金属层(6)均匀且稳定的涂覆在绝缘层(9)上；s3、导体层(2)上涂覆有机聚合物(4)的基材材料；s4、过渡层(8)涂覆在有机聚合物(4)上；s5、复合层(3)通过物理气相沉积涂覆在过渡层(8)上。3.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，所述金属层(6)的厚度为5
‑
500nm。4.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，所述金属层(6)可使用镍、锡、铜、磷青铜、镍银、黄铜等金属。5.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，所述支撑膜(7)的材料包括聚烯烃基、聚酯基、聚醚基、聚酮基和聚氨酯基的树脂。6.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，所述绝缘层(9)可采用有机绝缘层或无机绝缘层，有机绝缘层的材料为聚苯酰胺，无机绝缘层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮化铝或氧化镁。7.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，所述过渡层(8)采用高附着性金属材料，可采用ti、ta或cr。8.如权利要求1所述的一种电磁噪声抑制器，其特征在于，所述复合层(3)采用磁性薄膜材料，可采用conbzr磁性薄膜。

技术总结
本发明涉及电子技术的技术领域，特别是涉及一种电磁噪声抑制器，其有效地阻滞抑制电磁噪声谐波，抑制电子设备不必要的噪声和电磁波的干扰，提高实用性；包括基板，所述基板包括复合层和有机聚合物，电介质粉末分散在有机聚合物内，所述复合层位于有机聚合物的表面；导体层，所述导体层由支撑膜和由通过在支撑膜上物理沉积金属而形成的金属层构成的导电膜构成；其中，所述导体层压在基板的表面上，所述复合层与有机聚合物之间设置有过渡层，所述支撑膜与金属层之间设置有绝缘层。与金属层之间设置有绝缘层。与金属层之间设置有绝缘层。


技术研发人员：向小玲 熊泽宣喜
受保护的技术使用者：江苏穗实科技有限公司
技术研发日：2021.08.05
技术公布日：2021/11/28