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一种动圈唱头放大电路的制作方法

2021-11-29 13:13:00 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及到放大电路技术设备领域,尤其涉及到一种动圈唱头放大电路。


背景技术:

2.现有的mc唱头放大器电路,为了取得更好的输出效果,如:低噪声、低失真、高信噪比等。一般会集成多种模块或电路在一起,去提高输出效果,导致整体电路架构过于复杂,调试起来繁琐耗时。
3.同时,现有的mc唱头放大器电路,在其输入端往往会存在直流电压,致使电路的直流偏移增大、电路失真增大,进而无法取得更好的输出效果。对外部模块、电路的适配兼容效果较差,往往需要重新进行调整、设计。
4.因此,亟需一种能够解决以上一种或多种问题的动圈唱头放大电路。


技术实现要素:

5.为解决现有技术中存在的一种或多种问题,本发明提供了一种动圈唱头放大电路。本发明为解决上述问题采用的技术方案是:一种动圈唱头放大电路,其包括:匹配网络,所述匹配网络用于配对互补的晶体管对,所述匹配网络与信号输入端电连接;低频响应滤波电路,所述低频响应滤波电路用于决定电路的低频响应和滤波,所述低频响应滤波电路对称设置并分别电连接正、负电源,所述低频响应滤波电路与所述匹配网络电连接;静态工作点电路,所述静态工作点电路用于决定电路的静态工作点,所述静态工作点电路与所述低频响应滤波电路、所述匹配网络电连接,所述静态工作点电路对称设置并分别电连接正、负电源;放大单元,所述放大单元包括:第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管用于输入信号的正半周期放大,所述第二晶体管用于输入信号的负半周期放大,所述第一晶体管和所述第二晶体管组成互补放大电路,所述放大单元与所述匹配网络、所述低频响应滤波电路、所述静态工作点电路、信号输入端、信号输出端电连接;输出端负载,所述输出端负载与所述放大单元、信号输出端电连接。
6.进一步地,所述输出端负载为第十电阻,所述第十电阻与信号输出端、所述第一、二晶体管的集电极电连接并接地。
7.进一步地,所述匹配网络包括:第一电阻、第一电容、第二电容,所述第一电阻为匹配电阻,所述第一电阻的输入端与信号输入端、所述第一电容的输入端、所述第二电容的输入端、所述第一晶体管的基极、所述第二晶体管的基极电连接;
8.所述第一电容、所述第二电容对称设置并为高频补偿电容、匹配电容,所述第一电容的输出端与所述第一晶体管的发射极电连接,所述第二电容的输出端与所述第二晶体管的发射极电连接。
9.进一步地,所述低频响应滤波电路包括:正半周单元和负半周单元;所述正半周单元包括:第三电容、第八电阻,所述第三电容的负极接地,所述第三电容的正极与所述匹配网络、所述第八电阻的第一端、所述第一晶体管的发射极电连接,所述第八电阻的第二端与
正电源电连接;所述负半周单元包括:第四电容、第九电阻,所述第四电容的正极接地,所述第四电容的负极与所述匹配网络、所述第九电阻的第一端、所述第二晶体管的发射极电连接,所述第九电阻的第二端与负电源电连接。
10.进一步地,所述静态工作点电路包括:正半周静态工作点单元和负半周静态工作点单元;所述正半周静态工作点单元包括:第六电阻和所述第八电阻,所述第六电阻的输入端与所述匹配网络电连接,所述第六电阻的输出端与所述第八电阻的第一端电连接;所述负半周静态工作点单元包括:第七电阻和所述第九电阻,所述第七电阻的输入端与所述匹配网络电连接,所述第七电阻的输出端与所述第九电阻的第一端电连接。
11.进一步地,所述第一晶体管为pnp型,所述第二晶体管为npn型,所述第一晶体管和所述第二晶体管的集电极连接在一起。
12.进一步地,所述匹配网络设置有匹配电阻,所述第一晶体管和所述第二晶体管的配对检测方法:检测所述匹配电阻两端的电压,若所述匹配电阻两端的电压是浮动的,则所述第一晶体管和所述第二晶体管没有配对好,反之所述第一晶体管和所述第二晶体管配对好。
13.进一步地,所述第一晶体管和所述第二晶体管互为对方的集电极负载。
14.进一步地,电路的输出直流偏移调整步骤包括:
15.s010,将第一晶体管和第二晶体管匹配好,确定第八电阻和第九电阻的阻值;
16.s020,通过调整第六电阻和第七电阻的阻值来调整电路的输出直流偏移。
17.本发明取得的有益价值是:本发明通过将所述匹配网络、所述低频响应滤波电路、所述静态工作点电路、所述放大单元以及其他电路通过巧妙的设计连接在一起,在保障电路的功能正常的前提下,使得各部分电路共用部分元器件,以降低电路整体的体积和降低功耗;实现了低噪声、低失真、高信噪比、高动态范围、宽频率响应等特点,同时由于电路的简化,使得电路的调试更为容易;电路在调试过程中,能够方便地对晶体管进行配对,并提高晶体管的配对准确度,以及通过微调第六电阻、第七电阻来使得电路的输出直流偏移减小。以上极大地提高了本发明的实用价值。
附图说明
18.图1为本发明一种动圈唱头放大电路的原理图;
19.图2为本发明一种动圈唱头放大电路的示意框图;
20.图3为本发明一种动圈唱头放大电路的实施时的小信号输出波形图;
21.图4为本发明一种动圈唱头放大电路的实施时的大信号输出波形图;
22.图5为本发明一种动圈唱头放大电路的频率响应曲线;
23.图6为本发明一种动圈唱头放大电路的基波零到九次谐波失真率表。
24.【附图标记】
25.101
···
匹配网络
26.201
···
低频响应滤波电路的正半周单元
27.301
···
放大单元的第一晶体管电路
28.401
···
放大单元的第二晶体管电路
29.501
···
低频响应滤波电路的负半周单元
30.601
···
输出端负载。
具体实施方式
31.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加浅显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于此描述的其他方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施例限制。
32.如图1

图2所示,本发明公开了一种动圈唱头放大电路,其包括:匹配网络,所述匹配网络用于配对互补的晶体管对、mc唱头的输出阻抗进行匹配,所述匹配网络与信号输入端电连接;
33.低频响应滤波电路,所述低频响应滤波电路用于决定电路的低频响应和滤波,所述低频响应滤波电路对称设置并分别电连接正、负电源(vcc、vee),所述低频响应滤波电路与所述匹配网络电连接;
34.静态工作点电路,所述静态工作点电路用于决定电路的静态工作点,所述静态工作点电路与所述低频响应滤波电路、所述匹配网络电连接,所述静态工作点电路对称设置并分别电连接正、负电源(vcc、vee);
35.放大单元,所述放大单元包括:第一晶体管q01和第二晶体管q02,所述第一晶体管q01用于输入信号的正半周期放大,所述第二晶体管q02用于输入信号的负半周期放大,所述第一晶体管q01和所述第二晶体管q02组成互补放大电路,所述放大单元与所述匹配网络、所述低频响应滤波电路、所述静态工作点电路、信号输入端、信号输出端电连接;
36.输出端负载,所述输出端负载与所述放大单元、信号输出端电连接。
37.具体地,如图1所示,所述输出端负载为第十电阻r10(负载电阻),所述第十电阻r10的第一端与信号输出端、所述第一、二晶体管(q01、q02)的集电极电连接,所述第十电阻r10的第二端接地。
38.具体地,如图1所示,所述匹配网络包括:第一电阻r01、第一电容c01、第二电容c02,所述第一电阻r01为匹配电阻,所述第一电阻r01的输入端与信号输入端、所述第一电容c01的输入端、所述第二电容c02的输入端、所述第一晶体管q01的基极、所述第二晶体管q02的基极电连接;所述第一电容c01、所述第二电容c02对称设置并为高频补偿电容、匹配电容,所述第一电容c01的输出端与所述第一晶体管q01的发射极电连接,所述第二电容c02的输出端与所述第二晶体管q02的发射极电连接。
39.所述低频响应滤波电路包括:正半周单元和负半周单元;
40.所述正半周单元包括:第三电容c03、第八电阻r08,所述第三电容c03的负极接地,所述第三电容c03的正极与所述匹配网络、所述第八电阻r08的第一端、所述第一晶体管q01的发射极电连接,所述第八电阻r08的第二端与正电源vcc电连接;
41.所述负半周单元包括:第四电容c04、第九电阻r09,所述第四电容c04的正极接地,所述第四电容c04的负极与所述匹配网络、所述第九电阻r09的第一端、所述第二晶体管q02的发射极电连接,所述第九电阻r09的第二端与负电源vee电连接;
42.所述低频响应滤波电路通过所述第三电容c03、所述第八电阻r08和所述第四电容c04、所述第九电阻r09组成正、负电源的滤波电路,同时决定着电路的低频响应。
43.所述静态工作点电路包括:正半周静态工作点单元和负半周静态工作点单元;
44.所述正半周静态工作点单元包括:第六电阻r06和所述第八电阻r08,所述第六电阻r06的输入端与所述匹配网络电连接,所述第六电阻r06的输出端与所述第八电阻r08的第一端电连接;
45.所述负半周静态工作点单元包括:第七电阻r07和所述第九电阻r09,所述第七电阻r07的输入端与所述匹配网络电连接,所述第七电阻r07的输出端与所述第九电阻r09的第一端电连接。
46.具体地,电路的高频响应主要是由所述第一晶体管q01、所述第二晶体管q02的cob(基极集电极电容)和所述第一电容c01、所述第二电容c02来决定的。电路的增益主要是由所述第八电阻r08、所述第九电阻r09、所述第十电阻r10来确定的,其中主要是由所述第十电阻r10决定的。
47.需要说明的是,所述第三电容c03的正极与所述第一电容c01的输出端、所述第六电阻r06的输出端电连接;所述第四电容c04的负极与所述第二电容c02的输出端、所述第七电阻r07的输出端电连接;所述第六电阻r06的输入端与所述第一电容c01的输入端、信号输入端电连接;所述第七电阻r07的输入端与所述第二电容c02的输入端、信号输入端电连接。
48.需要指出的是,如图1所示,所述第一晶体管q01为pnp型,所述第二晶体管q02为npn型,所述第一晶体管q01和所述第二晶体管q02的集电极连接在一起。本发明属于纯甲类的共集电极互补推挽电路,推挽臂的上下两管互为对方的集电极负载。
49.具体地,所述第一晶体管q01和所述第二晶体管q02的配对检测方法:检测所述匹配电阻r01两端的电压,若所述匹配电阻r01两端的电压是浮动的,则所述第一晶体管q01和所述第二晶体管q02没有配对好,反之所述第一晶体管q01和所述第二晶体管q02配对好;既是在v
ro1
=0时,所述第一晶体管q01和所述第二晶体管q02配对好。
50.具体地,电路的输出直流偏移调整步骤包括:
51.s010,将第一晶体管q01和第二晶体管q02匹配好,确定第八电阻r08和第九电阻r09的阻值;
52.s020,通过调整第六电阻r06和第七电阻r07的阻值来调整电路的输出直流偏移。
53.图5为本发明的频率响应曲线,观察曲线可知本发明在约10hz到约1mhz的范围内能够取得很好的频率响应效果(响应曲线段平坦),可见本发明正常工作的频率响应范围在10hz到1mhz。图5结合图6所示的谐波对比表格,可见在本发明的频率响应范围内,本发明输出的放大信号的失真率非常之低。
54.图3为本发明输出的小信号波形图,图4为本发明输出的大信号波形图,图6为本发明的失真率表(谐波的标准输出和本发明输出的谐波的对比表格),其中图6中得出thd(总谐波失真)为0.00207441%;可见图3和图4中的本发明输出的大、小信号的偏移量极小,能够取得很好的低失真效果和放大效果,进而提高用户使用体验。
55.图3和图4结合图1来看,这个电路的小信号波形到大信号波形来看,也就是从小信号的500nv到大信号的100mv,这个电路的动态范围可达106db。从谐波失真率只有0.00207441%来看,失真率也是较小的。从频率响应曲线上来看,有效频响可达10hz到1mhz,而且频响平坦,没有大的起伏(起伏都在正负0.1db以内)。
56.结合对图3

图6的描述,可见本发明在10hz到1mhz的频率范围内能够取得很好的
低噪声、低失真、高信噪比、高动态范围、宽频率响应的效果。
57.如图2所示,输入信号在信号输入端进入到匹配网络101(包括:输入阻抗、输入电容)后,正半周的输入信号进入到低频响应滤波电路的正半周单元201(输入信号正半周期放大电路),再进入到放大单元的第一晶体管电路301(输入信号正半周期放大电路有源负载),然后在输出端负载601(合成电路)处输出;而负半周的输入信号进入到低频响应滤波电路的负半周单元501(输入信号负半周期放大电路),再进入到放大单元的第二晶体管电路401(输入信号负半周期放大电路有源负载),然后在输出端负载601(合成电路)处输出。
58.综上所述,本发明通过将所述匹配网络、所述低频响应滤波电路、所述静态工作点电路、所述放大单元以及其他电路通过巧妙的设计连接在一起,在保障电路的功能正常的前提下,使得各部分电路共用部分元器件,以降低电路整体的体积和降低功耗;实现了低噪声、低失真、高信噪比、高动态范围、宽频率响应等特点,同时由于电路的简化,使得电路的调试更为容易;电路在调试过程中,能够方便地对晶体管进行配对,并提高晶体管的配对准确度,以及通过微调第六电阻、第七电阻来使得电路的输出直流偏移减小。以上极大地提高了本发明的实用价值。
59.以上所述的实施例仅表达了本发明的一种或多种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此理解为对本发明专利的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明的构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明的保护范围应以所附权利要求为准。
再多了解一些

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