包括具有提高的抗劣化性的负极的锂二次电池及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种锂二次电池，其包括：负极，所述负极包括负极集流体部分和从所述负极集流体部分的一个表面的一部分突出的负极极耳部分，其中所述负极集流体部分包括涂覆有负极活性物质的涂覆部分和未涂覆负极活性物质的未涂覆部分，并且当从上方观察所述负极时，所述未涂覆部分位于与所述负极集流体部分和所述负极极耳部分之间的边界线的延长线相邻的位置处。2.如权利要求1所述的锂二次电池，其中所述未涂覆部分具有选自一条或多条具有宽度的纵向线、一条或多条具有宽度的横向线及它们的组合中的任意一种形状。3.如权利要求1所述的锂二次电池，其中所述未涂覆部分位于与所述负极集流体部分和所述负极极耳部分之间的边界线的至少一个端点相邻的位置处。4.如权利要求3所述的锂二次电池，其中所述未涂覆部分包括从所述负极集流体部分和所述负极极耳部分之间的边界线的至少一个端点处开始并具有宽度的一条或多条纵向线。5.如权利要求4所述的锂二次电池，其中所述未涂覆部分进一步包括从所述负极集流体部分的不具有突出的所述负极极耳部分的一侧开始并具有宽度的一条或多条横向线。6.如权利要求5所述的锂二次电池，其中，所述横向线从所述负极集流体部分的不具有突出的所述负极极耳部分的所述侧的总长度的30％以上且70％以下的位置处开始。7.如权利要求2所述的锂二次电池，其中所述纵向线的宽度是所述负极集流体部分的总水平长度的0.1％至10％，并且所述横向线的宽度是所述负极集流体部分的总垂直长度的0.1％至10％。8.如权利要求2所述的锂二次电池，其中所述纵向线的宽度为0.2mm以上并且是所述负极集流体部分的总水平长度的10％以下，所述横向线的宽度为0.2mm以上并且是所述负极集流体部分的总垂直长度的10％以下。9.如权利要求1所述的锂二次电池，其中所述负极极耳部分从所述负极集流体部分的一个表面的最左侧或最右侧突出。10.如权利要求1所述的锂二次电池，其中相对于总负极活性物质的100重量％，所述负极活性物质中硅的含量为5重量％以上。11.一种制造锂二次电池的方法，其包括：制备负极，所述负极包括部分涂覆有负极活性物质的负极集流体部分和从所述负极集流体部分的一个表面的一部分突出的负极极耳部分，其中所述负极的制备包括：掩蔽从上方观察所述负极时与所述负极集流体部分和所述负极极耳部分之间的边界线的延长线相邻的位置；在所述负极集流体部分上涂覆负极活性物质浆料并干燥；以及去除所述掩蔽。12.如权利要求11所述的制造锂二次电池的方法，其中所述负极极耳部分从所述负极集流体部分的一个表面的最左侧或最右侧突出。13.如权利要求11所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽过程中，以选自一条
或多条具有宽度的纵向线、一条或多条具有宽度的横向线及它们的组合中的任意一种形状对所述位置进行掩蔽。14.如权利要求11所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽过程中，与所述负极集流体部分和所述负极极耳部分之间的边界线的至少一个端点相邻的位置被掩蔽。15.如权利要求14所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽过程中，以从所述负极集流体部分和所述负极极耳部分之间的边界线的至少一个端点处开始并具有宽度的一条或多条纵向线的形状对所述位置进行掩蔽。16.如权利要求15所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽过程中，以从所述负极集流体部分的不具有突出的所述负极极耳部分的一侧开始并具有宽度的一条或多条横向线的形状对所述位置进行进一步掩蔽。17.如权利要求16所述的制造锂二次电池的方法，其中，进行掩蔽以使所述横向线定位在所述负极集流体部分的不具有突出的所述负极极耳部分的所述侧的总长度的30％以上且70％以下的位置处。18.如权利要求13所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽过程中，所述纵向线的宽度是所述负极集流体部分的总水平长度的0.1％至10％，并且所述横向线的宽度是所述负极集流体部分的总垂直长度的0.1％至10％。19.如权利要求13所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽过程中，所述纵向线的宽度为0.2mm以上并且是所述负极集流体部分的总水平长度的10％以下，所述横向线的宽度为0.2mm以上并且是所述负极集流体部分的总垂直长度的10％以下。20.如权利要求11所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述掩蔽中，使用热收缩带对所述位置进行掩蔽。21.如权利要求11所述的制造锂二次电池的方法，其中在所述负极活性物质浆料的涂覆和干燥中，相对于总负极活性物质的100重量％，所述负极活性物质浆料中硅的含量为5重量％。

技术总结
本发明涉及一种锂二次电池及制造该锂二次电池的方法。该锂二次电池包括负极，该负极的特定区域包括未涂覆负极活性物质的未涂覆部分。该锂二次电池包括对在充电和放电期间负极活性物质的体积膨胀引起的劣化具有提高的抵抗性的负极，因此能够表现出高容量和优异的寿命特性。寿命特性。寿命特性。


技术研发人员：朴恩俊 金俊燮 朴贵玉 李智喜
受保护的技术使用者：SK新技术株式会社
技术研发日：2020.04.01
技术公布日：2021/11/26