包括多个碳层的结构及其形成和使用的方法与流程

技术特征：
1.一种形成结构的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底，所述衬底包括在所述衬底的表面上形成的一个或更多个凹槽；形成覆盖所述表面的第一碳层；以及形成覆盖所述第一碳层的第二碳层；其中，所述第一碳层的密度大于所述第二碳层的密度。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述一个或更多个凹槽中的至少一个凹槽形成在两个特征之间。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一碳层相对于所述表面的高度大于所述特征相对于所述表面的高度。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的方法，其中，所述第一碳层的密度比所述第二碳层的密度大约10％至约50％。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的方法，还包括化学机械抛光所述第二碳层的步骤。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的方法，还包括化学机械抛光所述第一碳层的至少一部分的步骤。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的方法，其中，所述第一碳层的化学机械抛光速率小于所述第二碳层的化学机械抛光速率。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的方法，其中，形成所述第一碳层的所述步骤包括等离子体工艺。9.根据权利要求1
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8中任一项所述的方法，其中，形成所述第二碳层的所述步骤包括等离子体工艺。10.根据权利要求1
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9中任一项所述的方法，还包括用于处理所述第一碳层的等离子体处理步骤。11.根据权利要求1
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10中任一项所述的方法，还包括用于处理所述第二碳层的等离子体处理步骤。12.根据权利要求1
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11中任一项所述的方法，其中，在形成所述第一碳层的所述步骤中的所述反应室内的温度小于100℃。13.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其中，在形成所述第二碳层的所述步骤中的所述反应室内的温度小于100℃。14.根据权利要求1
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12中任一项所述的方法，其中，形成所述第一碳层的所述步骤包括向所述反应室提供碳前驱体，其中，所述碳前驱体的化学式由c
x
h
y
n
z
表示，其中，x是2或更大的自然数、y是自然数、且z是0或自然数。15.根据权利要求1
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14中任一项所述的方法，其中，形成所述第二碳层的所述步骤包括向所述反应室提供碳前驱体，其中，所述碳前驱体的化学式由c
x
h
y
n
z
表示，其中，x是2或更大的自然数、y是自然数、且z是0或自然数。16.根据权利要求14和15中任一项所述的方法，其中，所述碳前驱体包括环状结构。17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述环状结构包括双键。18.根据权利要求1
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17中任一项所述的方法，还包括刻蚀所述第二碳层的步骤。19.根据权利要求1
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18中任一项所述的方法，还包括刻蚀所述第一碳层的步骤。20.根据权利要求19所述的方法，其中，刻蚀所述第一碳层和所述第二碳层的所述步骤
包括非选择性地刻蚀所述第二碳层和所述第一碳层。21.根据权利要求18
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20中任一项所述的方法，其中，刻蚀所述第一碳层和所述第二碳层的所述步骤包括离子刻蚀。22.根据权利要求1
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21中任一项所述的方法，其中，所述第一碳层的硬度大于所述第二碳层的硬度。23.根据权利要求1
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22中任一项所述的方法，还包括形成覆盖所述第二碳层的第三层的步骤。24.一种根据权利要求1
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23中任一项所述的方法形成的结构。25.一种系统，包括：一个或更多个反应室；碳前驱体源；惰性气体源；等离子体功率源；排气源；和控制器；其中，所述控制器被配置为控制进入所述一个或更多个反应室中的至少一个的所述碳前驱体的气流以形成第一碳层和覆盖所述第一碳层的第二碳层；以及其中，所述第一碳层的密度大于所述第二碳层的密度。

技术总结
公开了用于形成包括多个碳层的结构的方法和系统，以及使用该方法或系统形成的结构。示例性方法包括形成第一碳层和第二碳层，其中第一碳层的密度和/或其它性能不同于第二碳层相应的性能。相应的性能。相应的性能。


技术研发人员：须佐圭雄 美山辽 菊地良幸
受保护的技术使用者：ASMIP私人控股有限公司
技术研发日：2021.05.21
技术公布日：2021/11/26