半导体封装的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装，包括：封装基板；在所述封装基板上的半导体芯片；以及在所述封装基板和所述半导体芯片之间的多个底部填充物，其中所述封装基板包括：形成在所述封装基板中的沟槽；以及分别在所述沟槽的两侧的多个坝，以及其中在所述半导体封装的其中所述封装基板提供基础参考水平的剖视图中，所述多个坝的顶表面位于比所述半导体芯片的底表面低的水平处。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个坝和所述沟槽中的每个具有条形状。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，在所述半导体封装的俯视图中，所述多个坝的各个长度均小于所述封装基板的芯片区域的宽度，所述半导体芯片在所述芯片区域上。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，在所述半导体封装的俯视图中，所述沟槽的长度大于所述封装基板的芯片区域的宽度，所述半导体芯片在所述芯片区域上。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述沟槽具有十字形状，以及其中所述多个坝中的每个具有肘形形状。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，在所述半导体封装的俯视图中，所述多个坝位于所述封装基板的芯片区域内，所述半导体芯片在所述芯片区域上。7.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，在所述半导体封装的俯视图中，所述沟槽延伸到所述封装基板的芯片区域的外部，所述半导体芯片在所述芯片区域上。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述封装基板进一步包括：在所述封装基板的芯片区域的边缘处的边缘沟槽，所述半导体芯片在所述芯片区域上。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述封装基板进一步包括：在所述边缘沟槽的两侧的边缘坝。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述沟槽具有20μm或更大的宽度。11.根据权利要求1所述的半导体封装，进一步包括：在所述封装基板上和所述半导体芯片上的散热块；以及设置在所述散热块和所述半导体芯片之间的热界面材料。12.一种半导体封装，包括：封装基板；在所述封装基板上的半导体芯片；以及在所述封装基板和所述半导体芯片之间的多个底部填充物，其中所述封装基板在其上包括坝，以及其中在所述半导体封装的其中所述封装基板提供基础参考水平的剖视图中，所述坝的顶表面位于比所述半导体芯片的底表面低的水平处。13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述坝包括一对坝单元，所述一对坝单元
彼此平行地定位同时彼此间隔开且在其间具有间隔，以及其中所述一对坝单元中的每个具有条形状。14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述坝包括四个坝单元，以及其中每个所述坝单元具有肘形形状。15.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述封装基板进一步包括：在所述封装基板的芯片区域的边缘处的边缘沟槽，所述半导体芯片在所述芯片区域上。16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述封装基板进一步包括：分别在所述边缘沟槽的两侧的边缘坝。17.一种半导体封装，包括：封装基板；在所述封装基板上的半导体芯片；以及在所述封装基板和所述半导体芯片之间的多个底部填充物，其中所述封装基板包括形成在所述封装基板中的沟槽。18.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述沟槽具有条形状。19.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述沟槽具有十字形状。20.根据权利要求17所述的半导体封装，其中所述封装基板进一步包括：在所述封装基板的芯片区域的边缘处的边缘沟槽，所述半导体芯片在所述芯片区域上。

技术总结
本发明提供一种半导体封装，该半导体封装包括封装基板、在封装基板上的半导体芯片以及在封装基板和半导体芯片之间的多个底部填充物。封装基板包括形成在封装基板中的沟槽和分别在沟槽的两侧的多个坝。在半导体封装的其中封装基板提供基础参考水平的剖视图中，所述多个坝的顶表面可以位于比半导体芯片的底表面低的水平处。低的水平处。低的水平处。


技术研发人员：金喆禹
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2021.03.12
技术公布日：2021/11/25