一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜
技术领域
1.本发明涉及一种mini
‑
led背光模组的反射膜。
背景技术：
2.mini
‑
led 背光模组是将 mini
‑
led 作为背光源，把直下式 led 背光模块缩小化，把背光源几十颗的 led 灯珠，变成了数千颗数万颗，甚至更多的灯珠。相比于传统背光源，mini
‑
led 拥有更多优势，适合高端液晶显示器解决方案。
3.目前的市场上mini
‑
led 背光模组主要蓝光 mini
‑
led、反射膜、扩散膜、量子点膜及匀光透镜组成，由于发光led的尺寸很小，显示器在制备、组装过程中容易产生静电击穿，造成灯珠失活，影响产品品质。所以对反射膜的抗静电性能提出了更高的要求。
技术实现要素：
4.为解决现有mini
‑
led背光模组的反射膜的抗静电性能有待提高的缺点，本发明提供一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜。
5.本发明解决其技术问题的技术方案是：一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5
‑
15质量份；光扩散粒子：5
‑
15质量份；抗静电剂：0.1~5质量份；pet粒子：65
‑
80质量份。
6.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5
‑
15质量份；抗静电剂：5~15质量份；pet粒子：60
‑
90质量份。
7.其中，光扩散上层中经偶联剂改性的无机填料及抗静电剂，与抗静电下层中的经偶联剂改性的无机填料及抗静电剂保持一致。
8.优选的，所述的无机填料为碳酸钙晶须，或硫酸镁晶须，或硫酸钙晶须，或氮化硼晶须，或硼酸铝晶须，或硼酸镁晶须；所述无机填料的粒径为3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比为10~50。
9.优选的，所述的抗静电剂为氧化锌粒子，或银粉，或炭黑、或碳纳米管、或石墨烯、或表面活性剂型抗静电剂（如硬脂酞胺，丙基二甲基召一轻乙基硝酸盐，烷基磺酸钠、乙氧基月桂酷胺、甘油一硬脂酸酯），或亲水性高分子型抗静电剂（如甲氧基聚乙醇甲基丙烯酸酯共聚物、超高分子量聚乙醇、环氧氯丙烷、含季铵盐的甲基丙烯酸酯聚合物、聚乙二醇共聚类聚酰胺以及聚乙二醇共聚物）。
10.优选的，所述芯层占反射膜总厚度的60
‑
90%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
11.优选的，所述无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇或者丁酮中混合，再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的1%
‑
10%。
12.优选的，所述的偶联剂为硅烷偶联剂，或铝酸酯偶联剂，或锆酸酯偶联剂。
13.本发明的有益效果在于：含有经偶联剂改性的无机填料的光扩散上层、静电下层与芯层配合，可形成抗静电性能提升的反射膜。
具体实施方式
14.以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
15.实施例一一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：10质量份；光扩散粒子：10质量份；抗静电剂：0.5质量份；pet粒子：70质量份。
16.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：10质量份；抗静电剂：10质量份；pet粒子：80质量份。
17.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为碳酸钙晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的5%，本实施例中所述的偶联剂为硅烷偶联剂。
18.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为氧化锌粒子。
19.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的60%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
20.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
21.实施例二一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：15质量份；
光扩散粒子：8质量份；抗静电剂：0.1质量份；pet粒子：75质量份。
22.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：15质量份；抗静电剂：6质量份；pet粒子：90质量份。
23.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硫酸镁晶须，所述无机填料的粒径控制在3
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15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在丁酮中混合（丁酮作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的10%，本实施例中所述的偶联剂为铝酸酯偶联剂。
24.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为银粉。
25.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的90%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
26.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
27.实施例三一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5质量份；光扩散粒子：15质量份；抗静电剂：1质量份；pet粒子：65质量份。
28.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：8质量份；抗静电剂：12质量份；pet粒子：70质量份。
29.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硫酸钙晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的1%，本实施例中所述的偶联剂为锆酸酯偶联剂。
30.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为炭黑。
31.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的80%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
32.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
33.实施例四一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：13质量份；光扩散粒子：5质量份；抗静电剂：5质量份；pet粒子：68质量份。
34.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5质量份；抗静电剂：15质量份；pet粒子：75质量份。
35.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为氮化硼晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在丁酮中混合（丁酮作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的3%，本实施例中所述的偶联剂为硅烷偶联剂。
36.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为碳纳米管。
37.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的70%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
38.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
39.实施例五一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：12质量份；光扩散粒子：6质量份；抗静电剂：0.3质量份；pet粒子：80质量份。
40.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：14质量份；抗静电剂：5质量份；pet粒子：65质量份。
41.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硼酸铝晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性
方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的8%，本实施例中所述的偶联剂为铝酸酯偶联剂。
42.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为石墨烯。
43.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的85%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
44.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
45.实施例六一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：6质量份；光扩散粒子：13质量份；抗静电剂：3质量份；pet粒子：72质量份。
46.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：12质量份；抗静电剂：8质量份；pet粒子：60质量份。
47.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硼酸镁晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在丁酮中混合（丁酮作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的7%，本实施例中所述的偶联剂为锆酸酯偶联剂。
48.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为表面活性剂型抗静电剂。
49.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的75%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
50.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
51.实施例七一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：8质量份；光扩散粒子：9质量份；
抗静电剂：1.2质量份；pet粒子：78质量份。
52.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：7质量份；抗静电剂：14质量份；pet粒子：85质量份。
53.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为碳酸钙晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的6.5%，本实施例中所述的偶联剂为硅烷偶联剂。
54.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为亲水性高分子型抗静电剂。
55.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的65%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
56.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
57.光扩散粒子是反射膜、扩散膜中常用的粒子，故在上述实施例中并未对光扩散粒子进行具体选择，本领域技术人员可根据选用各种类型的光扩散粒子，例如选用tio2粒子、sio2粒子、zns粒子等。
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led背光模组的抗静电反射膜
技术领域
1.本发明涉及一种mini
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led背光模组的反射膜。
背景技术：
2.mini
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led 背光模组是将 mini
‑
led 作为背光源，把直下式 led 背光模块缩小化，把背光源几十颗的 led 灯珠，变成了数千颗数万颗，甚至更多的灯珠。相比于传统背光源，mini
‑
led 拥有更多优势，适合高端液晶显示器解决方案。
3.目前的市场上mini
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led 背光模组主要蓝光 mini
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led、反射膜、扩散膜、量子点膜及匀光透镜组成，由于发光led的尺寸很小，显示器在制备、组装过程中容易产生静电击穿，造成灯珠失活，影响产品品质。所以对反射膜的抗静电性能提出了更高的要求。
技术实现要素：
4.为解决现有mini
‑
led背光模组的反射膜的抗静电性能有待提高的缺点，本发明提供一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜。
5.本发明解决其技术问题的技术方案是：一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5
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15质量份；光扩散粒子：5
‑
15质量份；抗静电剂：0.1~5质量份；pet粒子：65
‑
80质量份。
6.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5
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15质量份；抗静电剂：5~15质量份；pet粒子：60
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90质量份。
7.其中，光扩散上层中经偶联剂改性的无机填料及抗静电剂，与抗静电下层中的经偶联剂改性的无机填料及抗静电剂保持一致。
8.优选的，所述的无机填料为碳酸钙晶须，或硫酸镁晶须，或硫酸钙晶须，或氮化硼晶须，或硼酸铝晶须，或硼酸镁晶须；所述无机填料的粒径为3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比为10~50。
9.优选的，所述的抗静电剂为氧化锌粒子，或银粉，或炭黑、或碳纳米管、或石墨烯、或表面活性剂型抗静电剂（如硬脂酞胺，丙基二甲基召一轻乙基硝酸盐，烷基磺酸钠、乙氧基月桂酷胺、甘油一硬脂酸酯），或亲水性高分子型抗静电剂（如甲氧基聚乙醇甲基丙烯酸酯共聚物、超高分子量聚乙醇、环氧氯丙烷、含季铵盐的甲基丙烯酸酯聚合物、聚乙二醇共聚类聚酰胺以及聚乙二醇共聚物）。
10.优选的，所述芯层占反射膜总厚度的60
‑
90%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
11.优选的，所述无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇或者丁酮中混合，再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的1%
‑
10%。
12.优选的，所述的偶联剂为硅烷偶联剂，或铝酸酯偶联剂，或锆酸酯偶联剂。
13.本发明的有益效果在于：含有经偶联剂改性的无机填料的光扩散上层、静电下层与芯层配合，可形成抗静电性能提升的反射膜。
具体实施方式
14.以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
15.实施例一一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：10质量份；光扩散粒子：10质量份；抗静电剂：0.5质量份；pet粒子：70质量份。
16.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：10质量份；抗静电剂：10质量份；pet粒子：80质量份。
17.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为碳酸钙晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的5%，本实施例中所述的偶联剂为硅烷偶联剂。
18.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为氧化锌粒子。
19.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的60%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
20.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
21.实施例二一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：15质量份；
光扩散粒子：8质量份；抗静电剂：0.1质量份；pet粒子：75质量份。
22.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：15质量份；抗静电剂：6质量份；pet粒子：90质量份。
23.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硫酸镁晶须，所述无机填料的粒径控制在3
‑
15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在丁酮中混合（丁酮作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的10%，本实施例中所述的偶联剂为铝酸酯偶联剂。
24.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为银粉。
25.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的90%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
26.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
27.实施例三一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5质量份；光扩散粒子：15质量份；抗静电剂：1质量份；pet粒子：65质量份。
28.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：8质量份；抗静电剂：12质量份；pet粒子：70质量份。
29.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硫酸钙晶须，所述无机填料的粒径控制在3
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15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的1%，本实施例中所述的偶联剂为锆酸酯偶联剂。
30.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为炭黑。
31.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的80%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
32.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
33.实施例四一种mini
‑
led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：13质量份；光扩散粒子：5质量份；抗静电剂：5质量份；pet粒子：68质量份。
34.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：5质量份；抗静电剂：15质量份；pet粒子：75质量份。
35.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为氮化硼晶须，所述无机填料的粒径控制在3
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15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在丁酮中混合（丁酮作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的3%，本实施例中所述的偶联剂为硅烷偶联剂。
36.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为碳纳米管。
37.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的70%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
38.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
39.实施例五一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：12质量份；光扩散粒子：6质量份；抗静电剂：0.3质量份；pet粒子：80质量份。
40.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：14质量份；抗静电剂：5质量份；pet粒子：65质量份。
41.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硼酸铝晶须，所述无机填料的粒径控制在3
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15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性
方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的8%，本实施例中所述的偶联剂为铝酸酯偶联剂。
42.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为石墨烯。
43.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的85%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
44.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
45.实施例六一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：6质量份；光扩散粒子：13质量份；抗静电剂：3质量份；pet粒子：72质量份。
46.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：12质量份；抗静电剂：8质量份；pet粒子：60质量份。
47.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为硼酸镁晶须，所述无机填料的粒径控制在3
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15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在丁酮中混合（丁酮作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的7%，本实施例中所述的偶联剂为锆酸酯偶联剂。
48.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为表面活性剂型抗静电剂。
49.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的75%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
50.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
51.实施例七一种mini
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led背光模组的抗静电反射膜，包括具有微泡的芯层，所述芯层的一面复合有光扩散上层，所述芯层的另一面复合有抗静电下层；所述的光扩散上层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：8质量份；光扩散粒子：9质量份；
抗静电剂：1.2质量份；pet粒子：78质量份。
52.所述的抗静电下层由下列组分组成：经偶联剂改性的无机填料：7质量份；抗静电剂：14质量份；pet粒子：85质量份。
53.本实施例中，光扩散上层和抗静电下层中所述的无机填料均为碳酸钙晶须，所述无机填料的粒径控制在3
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15μm，所述无机填料晶须的长径比控制在10~50。无机填料的改性方法为：所述无机填料和偶联剂在无水乙醇中混合（无水乙醇作为溶剂使用，其用量只要能将无机填料和偶联剂充分混合即可），再采用超声波振荡使偶联剂与无机填料充分混合发生偶联反应，干燥后得经偶联剂改性的无机填料，其中偶联剂的用量为无机填料质量的6.5%，本实施例中所述的偶联剂为硅烷偶联剂。
54.本实施例中，所述的光扩散上层和抗静电下层中的抗静电剂均为亲水性高分子型抗静电剂。
55.本实施例中，所述芯层占反射膜总厚度的65%，所述光扩散上层和所述抗静电下层厚度相等。
56.制备本实施例的反射膜时，按照配比将光扩散上层、芯层、抗静电下层按照上中下顺序在三层挤出夹头挤出流延，再双向拉伸，冷却后形成上述反射膜。
57.光扩散粒子是反射膜、扩散膜中常用的粒子，故在上述实施例中并未对光扩散粒子进行具体选择，本领域技术人员可根据选用各种类型的光扩散粒子，例如选用tio2粒子、sio2粒子、zns粒子等。
再多了解一些
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