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锂硫二次电池的制作方法

2021-11-24 21:10:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种锂硫二次电池,所述锂硫二次电池包含正极、负极、隔膜和电解液,其中所述电解液含有锂盐和溶剂,所述溶剂包含腈类溶剂、氟化醚类溶剂和二硫化物类溶剂,以及基于所述溶剂的总体积,所述二硫化物类溶剂的含量为20体积%至35体积%。2.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述锂盐为选自如下中的至少一种:licl、libr、lii、liclo4、libf4、lib
10
cl
10
、lib(ph)4、lic4bo8、lipf6、licf3so3、licf3co2、liasf6、lisbf6、lialcl4、liso3ch3、liso3cf3、liscn、lic(cf3so2)3、lin(cf3so2)2、lin(c2f5so2)2、lin(so2f)2、氯硼烷锂、低级脂族羧酸锂、四苯基硼酸锂和酰亚胺锂。3.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述锂盐的浓度为1.5m(mol/l)至2.5m(mol/l)。4.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述腈类溶剂为选自如下中的至少一种:乙腈、丙腈、丁腈、戊腈、辛腈、庚腈、环戊腈、环己腈、2

氟苯甲腈、4

氟苯甲腈、二氟苯甲腈、三氟苯甲腈、苯乙腈、2

氟苯乙腈和4

氟苯乙腈。5.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中基于所述溶剂的总体积,所述腈类溶剂的含量为25体积%至35体积%。6.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述氟化醚类溶剂为选自如下中的至少一种:2,2,2

三氟乙基甲基醚(cf3ch2och3);2,2,2

三氟乙基二氟甲基醚(cf3ch2ochf2);2,2,3,3,3

五氟丙基甲基醚(cf3cf2ch2och3);2,2,3,3,3

五氟丙基二氟甲基醚(cf3cf2ch2ochf2);2,2,3,3,3

五氟丙基

1,1,2,2

四氟乙基醚(cf3cf2ch2ocf2cf2h);1,1,2,2

四氟乙基甲基醚(hcf2cf2och3);1,1,2,2

四氟乙基乙基醚(hcf2cf2och2ch3);1,1,2,2

四氟乙基丙基醚(hcf2cf2oc3h7);1,1,2,2

四氟乙基丁基醚(hcf2cf2oc4h9);2,2,3,3

四氟乙基二氟甲基醚(h(cf2)2ch2o(cf2)h);1,1,2,2

四氟乙基异丁基醚(hcf2cf2och2ch(ch3)2);1,1,2,2

四氟乙基异戊基醚(hcf2cf2och2c(ch3)3);1,1,2,2

四氟乙基

2,2,2

三氟乙基醚(hcf2cf2och2cf3);1,1,2,2

四氟乙基

2,2,3,3

四氟丙基醚(hcf2cf2och2cf2cf2h);六氟异丙基甲基醚((cf3)2choch3);1,1,3,3,3

五氟
‑2‑
三氟甲基丙基甲基醚((cf3)2chcf2och3);1,1,2,3,3,3

六氟丙基甲基醚(cf3chfcf2och3);1,1,2,3,3,3

六氟丙基乙基醚(cf3chfcf2och2ch3);和2,2,3,4,4,4

六氟丁基二氟甲基醚(cf3chfcf2ch2ochf2)。7.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述二硫化物类溶剂为二甲基二硫化物。8.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述腈类溶剂的含量为所述溶剂的总体积的25体积%至35体积%,并且所述氟化醚类溶剂的含量为所述溶剂的总体积的30体积%
至50体积%。9.根据权利要求8所述的锂硫二次电池,其中所述氟化醚类溶剂与所述二硫化物类溶剂的体积比为1:0.75至1:1。10.根据权利要求1所述的锂硫二次电池,其中所述正极具有0.45以上的由如下式1表示的sc因子值,[式1]其中p为所述正极中的正极活性材料层的孔隙率(%),l为所述正极中的所述正极活性材料层的每单位面积的硫的质量(mg/cm2),α为10(常数)。11.根据权利要求10所述的锂硫二次电池,其中所述正极中的所述正极活性材料层的每单位面积的硫的质量(mg/cm2)为2.5mg/cm2至5.0mg/cm2。12.根据权利要求10所述的锂硫二次电池,其中所述正极中的所述正极活性材料层的孔隙率(%)为50%至70%。

技术总结
本发明涉及一种锂硫二次电池,所述锂硫二次电池包含正极、负极、隔膜和电解液,其中所述电解液含有锂盐和溶剂,所述溶剂以特定的体积比包含腈类溶剂、氟化醚类溶剂和二硫化物类溶剂,从而对于满足高负载和低孔隙率的特定条件的正极,可以提高含有所述电解液的锂硫二次电池的初始放电容量和平均放电电压。池的初始放电容量和平均放电电压。池的初始放电容量和平均放电电压。


技术研发人员:郑夏彬 孙权男 朴昶勋 金潣守
受保护的技术使用者:株式会社LG新能源
技术研发日:2020.10.08
技术公布日:2021/11/23
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