一种基于金属基底的嵌入式压电传感器的制作方法

技术特征：
1.一种基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：在金属基底层上设置粘接层，在粘接层上设置第一绝缘层，在第一绝缘层上依次设置第二绝缘层、第三绝缘层，在第三绝缘层上设置面积小于第三绝缘层的下电极粘接层，下电极层设置在下电极粘接层上，在下电极层上设置压电层，压电层底部与第三绝缘层连接，并覆盖除下电极层焊盘之外的部分，在压电层上设置上电极粘接层，上电极粘接层上设置上电极层，在上电极层上设置上电极绝缘层，上电极层的焊盘和下电极层的焊盘均位于第三绝缘层上，上电极绝缘层底部与第三绝缘层连接，覆盖上电极层、压电层和下电极层，上电极层和下电极层焊盘除外，在上电极绝缘层上依次设置第四绝缘层、第五绝缘层、上粘接层、种子层、封装金属层。2.根据权利要求1所述的基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：所述粘接层为一层厚5～100nm的金属钛或铬层；所述下电极粘接层为一层厚5～100 nm的金属钛或铬层，下电极层为一层厚50～500nm的金层；所述上粘接层为一层厚5～100nm的金属钛或铬层，上电极层为一层厚50～500nm的金层，上电极层的面积小于压电层的面积。3.根据权利要求1所述的基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：所述第一绝缘层为一层厚0.2～5um的氧化铝层；所述第二绝缘层为一层厚10～500 nm的氧化铝层，或一层厚0.5～5 um的氮化硅层；所述第三绝缘层为一层厚0.2～5 um的氧化铝层。4.根据权利要求1所述的基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：所述压电层为一层厚500～1000纳米的氮化铝层，压电层面积大于下电极层，覆盖住除下电极层焊盘之外的部分。5.根据权利要求1所述的基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：所述上电极绝缘层为一层厚0.5～5 um的氧化铝层。6.根据权利要求1所述的基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：所述第四绝缘层为一层厚1～5 um的氮化硅绝缘层或一层厚10～500 nm的氧化铝层；所述第五绝缘层为一层厚0.5～5 um的氧化铝层。7.根据权利要求1所述的基于金属基底的嵌入式压电传感器，其特征在于：所述上粘接层为一层厚5～100 nm的金属钛或铬层，所述种子层为一层厚10～500 nm的镍层，种子层为电镀工艺的种子层，在种子层上，通过电镀沉积厚度5～5000 um封装金属层，完成传感器的嵌入式封装。

技术总结
本实用新型公开了一种基于金属基底的嵌入式压电传感器，在金属基底层上依次设置粘接层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层，在第三绝缘层上设置下电极粘接层，下电极层设置在下电极粘接层上，在下电极层上设置压电层，在压电层上设置上电极粘接层，上电极粘接层上设置上电极层，在上电极层上设置上电极绝缘层，上电极层的焊盘和下电极层的焊盘均位于第三绝缘层上，在上电极绝缘层上依次设置第四绝缘层、第五绝缘层、上粘接层、种子层、封装金属层。本实用新型将金属基底的传感器封装到金属里面形成的嵌入式结构，防护层更厚，强度更高，使传感器得到完全的保护，能用于恶劣的环境中，嵌入式封装工艺简单，时间短、成本低。成本低。成本低。


技术研发人员：曹建峰
受保护的技术使用者：曹建峰
技术研发日：2021.03.24
技术公布日：2021/11/21