一种空穴传输层及其制备方法和在量子点发光二极管中的应用与流程

技术特征：
1.一种空穴传输层，采用聚合物空穴传输材料与交联剂通过光交联制得，所述聚合物空穴传输材料的分子结构中至少具有基团，其特征在于：所述交联剂的结构式为：式中，r为或其中，m、p独立地选自大于等于1的自然数。2.根据权利要求1所述的空穴传输层，其特征在于：所述交联剂的结构式为其中，2≤m≤20。3.根据权利要求2所述的空穴传输层，其特征在于：所述m大于等于2小于等于10。4.根据权利要求3所述的空穴传输层，其特征在于：所述m选自4、5、6、7、8。5.根据权利要求1所述的空穴传输层，其特征在于：所述交联剂的结构式为其中，1≤p≤10。6.根据权利要求5所述的空穴传输层，其特征在于：所述p选自1、2、3、4、5。7.根据权利要求1所述的空穴传输层，其特征在于：所述聚合物空穴传输材料为聚合物tfb和/或poly
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tpd其中，n、x独立地选自大于等于1的自然数。8.一种权利要求1～7中任一项权利要求所述的空穴传输层的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括将所述聚合物空穴传输材料和交联剂溶解在有机溶剂中，通过旋涂或喷
墨打印方式制成薄膜，然后通过光交联得到所述空穴传输层。9.一种权利要求1～7中任一项权利要求所述的空穴传输层在量子点发光二极管中的应用。10.一种量子点发光二极管，其特征在于：包含权利要求1～7中任一项权利要求所述的空穴传输层。

技术总结
本发明涉及一种空穴传输层及其制备方法和在量子点发光二极管中的应用，该空穴传输层采用聚合物空穴传输材料与交联剂通过光交联制得，聚合物空穴传输材料的分子结构中至少具有基团，交联剂的结构式为：式中，R为其中，m、p独立地选自大于等于1的自然数。本发明空穴传输层采用含双二苯甲酮基、烷(氧)基链的交联剂与具有基团的聚合物空穴传输材料通过光交联制得，交联剂含有富电子烷氧基团，具有更高的光敏活性，得到的空穴传输层性能更高，其不仅具有优异的抗溶剂性，且可以有效提升薄膜的界面稳定性，改善空穴注入效果与电子阻挡能力，有效提升器件性能，获得更优异的器件性能，相比现有的采用BP


技术研发人员：易袁秋强 苏文明 刘扬 谢黎明
受保护的技术使用者：苏州欧谱科显示科技有限公司
技术研发日：2021.06.21
技术公布日：2021/11/19