用于磷石膏制备ａ-β复合石膏的沤化设备的制作方法

用于磷石膏制备ａ
‑
β
复合石膏的沤化设备
技术领域
1.本实用新型属于磷石膏利用技术领域，涉及一种用于磷石膏制备ａ
‑
β复合石膏的沤化设备。


背景技术：

2.半水石膏具有α和β两种形态，都呈菱形结晶，但物理性能不同， α型半水石膏结晶良好、坚实；β型半水石膏是片状并有裂纹的晶体，结晶很细，比表面积比α型半水石膏大得多。生产石膏制品时，α型半水石膏比β型需水量少，制品有较高的密实度和强度。在α和β两种形态中添加磷石膏制备的复合石膏中，其沤化的时间和温度相对于单一的α石膏或β石膏不尽相同，其沤化时间相对较长，不适用于在常温环境中沤化，采用原有的沤化设备无法满足工艺需求。


技术实现要素：

3.本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于磷石膏制备ａ
‑
β复合石膏的沤化设备, 结构简单，采用在沤化池的环形腔内设置微波磁控管，微波磁控管位于环形腔两侧相互对称，波长控制器位于沤化池与微波磁控管连接，微波磁控管发射不同波长的微波作用于沤化池内的复合石膏，波长控制器间歇性控制微波磁控管的波长，使沤化池内的复合石膏在设定时间内达到设定温度，有利于加速沤化，缩短沤化时间，趋于接近完全沤化，获取优质晶形，操作简单方便。
4.为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种用于磷石膏制备ａ
‑
β复合石膏的沤化设备，它包括沤化池、微波磁控管和波长控制器；所述微波磁控管位于沤化池的环形腔内，波长控制器安装于沤化池外部与微波磁控管连接；微波磁控管做功作用于沤化池内，波长控制器控制微波磁控管发射的波长。
5.所述沤化池为上侧开口的中空箱型结构，位于四周的槽壁设置环形腔，封盖与环形腔配合密封。
6.所述微波磁控管位于环形腔两侧的腔体内相互对称布设。
7.所述微波磁控管包括与多个环形管连接的联通管。
8.所述波长控制器间歇性控制微波磁控管的波长。
9.一种用于磷石膏制备ａ
‑
β复合石膏的沤化设备，它包括沤化池、微波磁控管和波长控制器；微波磁控管位于沤化池的环形腔内，波长控制器安装于沤化池外部与微波磁控管连接；微波磁控管做功作用于沤化池内，波长控制器控制微波磁控管发射的波长。结构简单，通过在沤化池的环形腔内设置微波磁控管，微波磁控管位于环形腔两侧相互对称，波长控制器位于沤化池与微波磁控管连接，通过微波磁控管发射不同波长的微波作用于沤化池内的复合石膏，波长控制器间歇性控制微波磁控管的波长，使沤化池内的复合石膏在设定时间内达到设定温度，有利于加速沤化，缩短沤化时间，趋于接近完全沤化，获取优质晶形，操作简单方便。
10.在优选的方案中，沤化池为上侧开口的中空箱型结构，位于四周的槽壁设置环形腔，封盖与环形腔配合密封。结构简单，安装时，微波磁控管侧向布设于沤化池的环形腔内，微波磁控管工作时发射微波穿透环形腔作用于沤化池内的复合石膏沉淀物及母液。
11.在优选的方案中，微波磁控管位于环形腔两侧的腔体内相互对称布设。结构简单，在环形腔两侧布设微波磁控管，有利于增大有效的微波作用范围，使微波作用于沉淀物及母液的频率震荡更稳定。
12.在优选的方案中，微波磁控管包括与多个环形管连接的联通管。结构简单，使用时，微波磁控管内的线路布设于环形管和联通管内，引出线从联通管引出穿过沤化池与波长控制器连接。
13.在优选的方案中，波长控制器间歇性控制微波磁控管的波长。结构简单，使用时，通过波长控制器的显示屏设置微波磁控管的波长及时间，使微波作用在单位时间内达到设定温度。
14.一种用于磷石膏制备ａ
‑
β复合石膏的沤化设备，它包括沤化池、微波磁控管和波长控制器，通过在沤化池的环形腔内设置微波磁控管，微波磁控管位于环形腔两侧相互对称，波长控制器位于沤化池与微波磁控管连接，通过微波磁控管发射不同波长的微波作用于沤化池内的复合石膏，波长控制器间歇性控制微波磁控管的波长，使沤化池内的复合石膏在设定时间内达到设定温度。本实用新型克服了原沤化设备不能控制沤化时间和温度无法满足工艺要求的问题，具有结构简单，有利于加速沤化，缩短沤化时间，趋于接近完全沤化，获取优质晶形，操作简单方便的特点。
附图说明
15.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明：
16.图1为本实用新型的结构示意图。
17.图2为图1的主视示意图。
18.图3为图2的a
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a处剖视示意图。
19.图4为本实用新型封盖的结构示意图。
20.图5为本实用新型微波磁控管的结构示意图。
21.图中：沤化池1，环形腔11，封盖12，微波磁控管2，环形管21，联通管22，波长控制器3。
具体实施方式
22.如图1~图5中，一种用于磷石膏制备ａ
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β复合石膏的沤化设备，它包括沤化池1、微波磁控管2和波长控制器3；所述微波磁控管2位于沤化池1的环形腔11内，波长控制器3安装于沤化池1外部与微波磁控管2连接；微波磁控管2做功作用于沤化池1内，波长控制器3控制微波磁控管2发射的波长。结构简单，通过在沤化池1的环形腔11内设置微波磁控管2，微波磁控管2位于环形腔11两侧相互对称，波长控制器3位于沤化池1与微波磁控管2连接，通过微波磁控管2发射不同波长的微波作用于沤化池1内的复合石膏，波长控制器3间歇性控制微波磁控管2的波长，使沤化池1内的复合石膏在设定时间内达到设定温度，有利于加速沤化，缩短沤化时间，趋于接近完全沤化，获取优质晶形，操作简单方便。
23.优选的方案中，所述沤化池1为上侧开口的中空箱型结构，位于四周的槽壁设置环形腔11，封盖12与环形腔11配合密封。结构简单，安装时，微波磁控管2侧向布设于沤化池1的环形腔11内，微波磁控管2工作时发射微波穿透环形腔11作用于沤化池1内的复合石膏沉淀物及母液。
24.优选地，沤化池1为防辐射的玻璃或金属材质，避免对人体造成伤害。
25.优选的方案中，所述微波磁控管2位于环形腔11两侧的腔体内相互对称布设。结构简单，在环形腔11两侧布设微波磁控管2，有利于增大有效的微波作用范围，使微波作用于沉淀物及母液的频率震荡更稳定。
26.优选的方案中，所述微波磁控管2包括与多个环形管21连接的联通管22。结构简单，使用时，微波磁控管2内的线路布设于环形管21和联通管22内，引出线从联通管22引出穿过沤化池1与波长控制器3连接。
27.优选的方案中，所述波长控制器3间歇性控制微波磁控管2的波长。结构简单，使用时，通过波长控制器3的显示屏设置微波磁控管2的波长及时间，使微波作用在单位时间内达到设定温度。
28.优选地，位于沤化池1内的母液表层设置温度传感器与波长控制器3连接，当温度达到设定值时波长控制器3控制微波磁控管2停止，之后再间隔一定时间再开启微波磁控管2。
29.如上用于磷石膏制备ａ
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β复合石膏的沤化设备，安装使用时，在沤化池1的环形腔11内设置微波磁控管2，微波磁控管2位于环形腔11两侧相互对称，波长控制器3位于沤化池1与微波磁控管2连接，微波磁控管2发射不同波长的微波作用于沤化池1内的复合石膏，波长控制器3间歇性控制微波磁控管2的波长，使沤化池1内的复合石膏在设定时间内达到设定温度，有利于加速沤化，缩短沤化时间，趋于接近完全沤化，获取优质晶形，操作简单方便。
30.安装时，微波磁控管2侧向布设于沤化池1的环形腔11内，微波磁控管2工作时发射微波穿透环形腔11作用于沤化池1内的复合石膏沉淀物及母液。
31.在环形腔11两侧布设微波磁控管2，有利于增大有效的微波作用范围，使微波作用于沉淀物及母液的频率震荡更稳定。
32.使用时，微波磁控管2内的线路布设于环形管21和联通管22内，引出线从联通管22引出穿过沤化池1与波长控制器3连接。
33.使用时，通过波长控制器3的显示屏设置微波磁控管2的波长及时间，使微波作用在单位时间内达到设定温度。
34.上述的实施例仅为本实用新型的优选技术方案，而不应视为对于本实用新型的限制，本技术中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下，可以相互任意组合。本实用新型的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本实用新型的保护范围之内。