电容打开孔的形成方法和存储器电容的形成方法与流程

技术特征：
1.一种电容打开孔的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有层叠设置的牺牲层和支撑层；在所述支撑层的表面形成多个间隔设置的中空的第一侧墙结构；在所述第一侧墙结构的表面形成第二材料层以构成第二侧墙结构；以所述第一侧墙结构和所述第二侧墙结构为掩膜蚀刻所述牺牲层和所述支撑层以形成所述电容打开孔。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述支撑层的表面形成多个间隔设置的中空的第一侧墙结构，包括：在所述支撑层的表面形成多个间隔设置的初始侧墙结构，所述初始侧墙结构为柱形；在所述初始侧墙结构的侧壁上形成第一材料层；去除所述初始侧墙结构，剩余的所述第一材料层作为所述第一侧墙结构。3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在所述支撑层的表面形成多个间隔设置的初始侧墙结构，包括：在所述支撑层的表面形成多个第一初始侧墙；在所述支撑层的表面形成多个第二初始侧墙；其中，所述第一初始侧墙和所述第二初始侧墙的形状相同且互相间隔设置，多个所述第一初始侧墙和多个所述第二初始侧墙共同构成多个所述初始侧墙结构。4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述在所述初始侧墙结构的侧壁上形成第一材料层，包括：在所述初始侧墙结构的侧壁上形成氮化物层。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在所述第一侧墙结构的表面形成第二材料层以构成第二侧墙结构，包括：采用生长工艺在所述第一侧墙结构的表面形成氧化物层以构成所述第二侧墙结构。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层和所述支撑层中形成有多个电容孔，所述电容孔沿竖直方向贯穿所述牺牲层和所述支撑层至所述衬底的表面，相邻的六个所述电容孔在水平面内呈正六边形排列，所述正六边形的每个顶角均设有一个所述电容孔，且所述正六边形的中心设有一个所述电容孔。7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙结构的内轮廓构成第一蚀刻图形，相邻设置的三个所述第二侧墙结构的外轮廓共同构成第二蚀刻图形，所述第一蚀刻图形和所述第二蚀刻图形均与所述电容打开孔一一对应；每个所述电容打开孔用于连通相邻设置的三个所述电容孔，且每个所述电容孔只连通至一个所述电容打开孔。8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述以所述第一侧墙结构和所述第二侧墙结构为掩膜蚀刻所述牺牲层和所述支撑层以形成所述电容打开孔后，还包括：去除所述第一侧墙结构和所述第二侧墙结构。9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，相邻设置的两个所述第二侧墙结构的外轮廓相切。10.一种存储器电容的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的表面形成层叠设置的牺牲层和支撑层；
根据电容孔版图蚀刻所述牺牲层和支撑层至所述衬底的表面以形成电容孔；在所述电容孔中形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述电容孔的内壁以及暴露的所述衬底；采用权利要求1至9任一项所述的形成方法形成电容打开孔，所述电容打开孔用于连通相邻设置的多个所述电容孔；通过所述电容打开孔蚀刻剩余的所述牺牲层；在所述电容打开孔的内壁和所述第一电极层的表面依次形成电容介质层和第二电极层，所述第一电极层、所述电容介质层和所述第二电极层共同构成所述存储器电容。

技术总结
本发明涉及一种电容打开孔的形成方法和存储器电容的形成方法，电容打开孔的形成方法包括提供衬底，所述衬底的表面形成有层叠设置的牺牲层和支撑层在所述支撑层的表面形成多个间隔设置的中空的第一侧墙结构；在所述第一侧墙结构的表面形成第二材料层以构成第二侧墙结构；以所述第一侧墙结构和所述第二侧墙结构为掩膜蚀刻所述牺牲层和所述支撑层以形成所述电容打开孔。通过以上步骤可以形成紧密排列的第一侧墙结构和第二侧墙结构，并进一步形成电容打开孔，基于上述紧密排列的双重侧墙结构的形成方法，既可以实现电容打开孔的连通作用，又可以制备更小体积的电容打开孔，从而提高了电容打开孔的制备精度。高了电容打开孔的制备精度。高了电容打开孔的制备精度。


技术研发人员：刘志拯
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2020.05.12
技术公布日：2021/11/16