IGBT驱动电路、IGBT系统及电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种igbt驱动电路，其特征在于，用于驱动三相igbt模块；所述igbt驱动电路包括：变压器模块、u相上桥驱动模块、v相上桥驱动模块、w相上桥驱动模块、u相下桥驱动模块、v相下桥驱动模块和w相下桥驱动模块；所述变压器模块，第一输入端用于连接外部电源，第二输入端用于接地，第一输出高端与所述u相上桥驱动模块的第一电源端连接，第一输出低端与所述u相上桥驱动模块的第二电源端连接，第二输出高端与所述v相上桥驱动模块的第一电源端连接，第二输出低端与所述v相上桥驱动模块的第二电源端连接，第三输出高端与所述w相上桥驱动模块的第一电源端连接，第三输出低端与所述w相上桥驱动模块的第二电源端连接，第四输出高端分别与所述u相下桥驱动模块的第一电源端、所述v相下桥驱动模块的第一电源端和所述w相下桥驱动模块的第一电源端连接，第四输出低端分别与所述u相下桥驱动模块的第二电源端、所述v相下桥驱动模块的第二电源端和所述w相下桥驱动模块的第二电源端连接；所述u相上桥驱动模块，第一输出端用于与所述三相igbt模块的u相上桥控制端连接，第二输出端用于与所述三相igbt模块的u相桥臂中点连接；所述v相上桥驱动模块，第一输出端用于与所述三相igbt模块的v相上桥控制端连接，第二输出端用于与所述三相igbt模块的v相桥臂中点连接；所述w相上桥驱动模块，第一输出端用于与所述三相igbt模块的w相上桥控制端连接，第二输出端用于与所述三相igbt模块的w相桥臂中点连接；所述u相下桥驱动模块，输出端用于与所述三相igbt模块的u相下桥控制端连接，地端分别与所述v相下桥驱动模块的地端和所述w相下桥驱动模块的地端连接，地端还用于与所述三相igbt模块的接地端连接；所述v相下桥驱动模块，第一输出端用于与所述三相igbt模块的v相下桥控制端连接；所述w相下桥驱动模块，第一输出端用于与所述三相igbt模块的w相下桥控制端连接。2.如权利要求1所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述变压器模块包括变压器和mos管、u相上桥驱动模块供电单元、v相上桥驱动模块供电单元、w相上桥驱动模块供电单元和下桥驱动模块供电单元；所述mos管，源极与所述变压器模块的第二输入端连接，漏极与所述变压器的原边输入地端连接，栅极用于接收外部控制信号；所述变压器，原边输入正端与所述变压器模块的第一输入端连接，u相输出高端与所述u相上桥驱动模块供电单元的输入高端连接，u相输出低端与所述u相上桥驱动模块供电单元的输入低端连接，v相输出高端与所述v相上桥驱动模块供电单元的输入高端连接，v相输出低端与所述v相上桥驱动模块供电单元的输入低端连接，w相输出高端与所述w相上桥驱动模块供电单元的输入高端连接，w相输出低端与所述w相上桥驱动模块供电单元的输入低端连接，下桥输出高端与所述下桥驱动模块供电单元的输入高端连接，下桥输出低端与所述下桥驱动模块供电单元的输入低端连接；所述u相上桥驱动模块供电单元，输出高端与所述变压器模块的第一输出高端连接，输出低端与所述变压器模块的第一输出低端连接；所述v相上桥驱动模块供电单元，输出高端与所述变压器模块的第二输出高端连接，输出低端与所述变压器模块的第二输出低端连接；所述w相上桥驱动模块供电单元，输出高端与所述变压器模块的第三输出高端连接，输
出低端与所述变压器模块的第三输出低端连接；所述下桥驱动模块供电单元，输出高端与所述变压器模块的第四输出高端连接，输出低端与所述变压器模块的第四输出低端连接。3.如权利要求2所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述u相上桥驱动模块供电单元包括第一磁珠、第一电阻、第一二极管、第一电容、第二电容和第三电容；所述第一磁珠，第一端与所述u相上桥驱动模块供电单元的输入高端连接，第二端分别与所述第一电阻的第一端和所述第一二极管的阳极连接；所述第一电容，第一端与所述第一电阻的第二端连接，第二端分别与所述第一二极管的阴极、所述第二电容的第一端、所述第三电容的第一端连接和所述u相上桥驱动模块供电单元输出高端连接；所述第二电容，第二端分别与所述u相上桥驱动模块供电单元的输入低端、所述第三电容的第二端和所述u相上桥驱动模块供电单元输出低端连接；所述v相上桥驱动模块供电单元、所述w相上桥驱动模块供电单元和所述下桥驱动模块供电单元均与所述u相上桥驱动模块供电单元的电路结构相同。4.如权利要求1至3任一项所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述u相上桥驱动模块，第一输入端用于接收外部第一驱动信号，第二输入端用于接收外部第二驱动信号；所述v相上桥驱动模块，第一输入端用于接收外部第三驱动信号，第二输入端用于接收外部第四驱动信号；所述w相上桥驱动模块，第一输入端用于接收外部第五驱动信号，第二输入端用于接收外部第六驱动信号；所述u相下桥驱动模块，第一输入端用于接收所述外部第二驱动信号，第二输入端用于接收所述外部第一驱动信号；所述v相下桥驱动模块，第一输入端用于接收所述外部第四驱动信号，第二输入端用于接收所述外部第三驱动信号；所述w相下桥驱动模块，第一输入端用于接收所述外部第六驱动信号，第二输入端用于接收所述外部第五驱动信号。5.如权利要求4所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述u相上桥驱动模块包括隔离单元和供电单元；所述隔离单元，第一信号端与所述u相上桥驱动模块的第一输入端连接，第二信号端与所述u相上桥驱动模块的第二输入端连接，第一输出端分别与所述供电单元的输入高端和所述u相上桥驱动模块的第一电源端连接，第二输出端与所述供电单元的输入中端连接，第三输出端分别与所述供电单元的输入低端和所述u相上桥驱动模块的第二电源端连接；所述供电单元，第一输出端与所述u相上桥驱动模块的第一输出端连接，第二输出端与所述u相上桥驱动模块的第二输出端连接；所述v相上桥驱动模块和所述w相上桥驱动模块均与所述u相上桥驱动模块的电路结构相同。6.如权利要求5所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述隔离单元包括第二电阻、第三
电阻、第四电容和第一隔离光耦；所述第一隔离光耦，输入正端分别与所述第二电阻的第二端、所述第四电容的第一端和所述第三电阻的第一端连接，输入负端分别与所述第四电容的第二端、所述第三电阻的第二端连接和所述隔离单元的第二信号端连接，第一输出端与所述隔离单元的第一输出端连接，第二输出端与所述隔离单元的第二输出端连接，第三输出端与所述隔离单元的第三输出端连接；所述第二电阻，第一端与所述隔离单元的第一信号端连接。7.如权利要求5所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述供电单元包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第五电容、第六电容、第七电容、第一稳压二极管、第一续流二极管和第一tvs管；所述第五电容，第一端分别与所述第一稳压二极管的阴极和所述供电单元的输入高端连接，第二端分别与所述第一稳压二极管的阳极、所述第六电容的第一端、所述第四电阻的第一端、所述第六电阻的第二端、所述第七电容的第二端、所述第一tvs管的第二极和所述供电单元的第二输出端连接；所述第五电阻，第一端分别与所述第一续流二极管的阴极和所述供电单元的输入中端连接，第二端分别与所述第七电阻的第二端、所述第六电阻的第一端、所述第七电容的第一端、所述第一tvs管的第一极和所述供电单元的第一输出端连接；所述第七电阻，第一端与所述第一续流二极管的阳极连接。8.如权利要求4所述的igbt驱动电路，其特征在于，所述u相下桥驱动模块包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第二稳压二极管、第二续流二极管、第二tvs管和第二隔离光耦；所述第二隔离光耦，输入正端分别与所述第八电阻的第二端、所述第八电容的第一端和所述第九电阻的第一端连接，输入负端分别与所述第八电容的第二端、所述第九电阻的第二端和所述u相下桥驱动模块的第二输入端连接，第一输出端分别与所述第九电容的第一端、第二稳压二极管的阴极和所述u相下桥驱动模块的第一电源端连接，第二输出端分别与所述第十一电阻的第一端和所述第二续流二极管的阴极连接，第三输出端分别与所述第十电容的第二端、第十电阻的第二端和所述u相下桥驱动模块的第二电源端连接；所述第八电阻，第一端与所述u相下桥驱动模块的第一输入端连接；所述第九电容的第二端、所述第二稳压二极管的阳极、所述第十电容的第一端、所述第十电阻的第一端、所述第十二电阻的第二端、所述第十一电容的第二端和所述第二tvs管的第二极均与所述u相下桥驱动模块的地端连接；所述第十三电阻，第一端与所述第二续流二极管的阳极连接，第二端分别与所述第十一电阻的第二端、所述第十二电阻的第一端、所述第十一电容的第一端、所述第二tvs管的第一极和所述u相下桥驱动模块的输出端连接；所述v相下桥驱动模块和所述w相下桥驱动模块均与所述u相下桥驱动模块的电路结构相同。9.一种igbt系统，其特征在于，包括三相igbt模块和如权利要求1至8任一项的igbt驱动电路。10.一种电子设备，其特征在于，包括如上权利要求1至8任一项所述的igbt驱动电路或
如权利要求9所述的igbt系统。

技术总结
本实用新型涉及半导体驱动技术领域，公开了一种IGBT驱动电路、IGBT系统及电子设备；其中，IGBT驱动电路，用于驱动三相IGBT模块；IGBT驱动电路包括：变压器模块、U相上桥驱动模块、V相上桥驱动模块、W相上桥驱动模块、U相下桥驱动模块、V相下桥驱动模块和W相下桥驱动模块；变压器模块分别与U相上桥驱动模块、V相上桥驱动模块、W相上桥驱动模块、U相下桥驱动模块、V相下桥驱动模块和W相下桥驱动模块连接，并且与各模块均通过两抽头供电。本实用新型减少了IGBT驱动电路中变压器抽头的数量，不仅易于布线，并且节省空间，可以降低成本。可以降低成本。可以降低成本。


技术研发人员：孟然永
受保护的技术使用者：石家庄通合电子科技股份有限公司
技术研发日：2021.03.22
技术公布日：2021/11/15