一种带充电输入高压保护的电路的制作方法

1.本实用新型涉及电路，具体的说是涉及一种带充电输入高压保护的电路。


背景技术：

2.市面上有着各种的电子产品，但是不同的电子产品的供电(充电)电压不一致而供电(充电)接口却是一样的，在使用电子产品的过程中容易混淆而使用了错误的充电器或者适配器，当低压的电子产品使用了高电压的充电器或者适配器可能导致产品的损坏。


技术实现要素：

3.针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种带充电输入高压保护的电路，设计该电路的目的是高压输入保护，避免电子产品烧坏。
4.为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：本实用新型的一种带充电输入高压保护的电路，包括：
5.一个n沟道mos管q1，所述n沟道mos管q1的源极接入电源输入端in，其漏极接电源输出端out；
6.一个pnp型三极管q2，所述pnp型三极管q2的集电极连接所述n沟道mos管q1的源极s，其发射极连接至所述n沟道mos管q1的栅极g；
7.电阻r1、电阻r2和电阻r3，所述电阻r1和电阻r2连接，其之间的电路节点上连接至所述pnp型三极管q2基极，所述电阻r2的另一端接至所述n沟道mos管q1的源极，所述电阻r3的一端连接所述n沟道mos管q1的栅极g，其另一端连接所述电阻r1的另一端并接地；
8.有极性电容c1，该有极性电容的正极连接至所述n沟道mos管q1的栅极g，其负极端连接至所述电阻r3的接地端；
9.电容c2，一端接至所述n沟道mos管q1的漏极d，其另一端连接至所述电阻r3的接地端。
10.进一步的，所述n沟道mos管q1的型号为cj3401。
11.进一步的，所述pnp型三极管q2的型号为8550。
12.进一步的，所述电阻r1和电阻r2的阻值满足：pnp型三极管q2的基极电压等于r1/(r1 r2)倍的输入电压。
13.相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：本实用新型的电路带充电输入高压保护，在电路中设置n沟道mos管q1、pnp型三极管q2、三个电阻和两个电容，当输入电压在正常范围内时，pnp型三极管q2处于截止状态n沟道mos管q1处于导通状态，输出电压等于输入电压。当输入电压超过正常范围时，pnp型三极管q2处于导通状态，n沟道mos管q1处于截止状态，输出电压为零从而保护后面的电路不受到损伤。
附图说明
14.图1为本实用新型带充电输入高压保护的电路图。
具体实施方式
15.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。显然，本实用新型所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
16.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
17.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
18.此外，下面所描述的本实用新型不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
19.实施例1：本实用新型的具体结构如下：
20.请参照附图1，本实用新型的一种带充电输入高压保护的电路，包括：
21.一个n沟道mos管q1，所述n沟道mos管q1的源极接入电源输入端in，其漏极接电源输出端out；
22.一个pnp型三极管q2，所述pnp型三极管q2的集电极连接所述n沟道mos管q1的源极s，其发射极连接至所述n沟道mos管q1的栅极g；
23.电阻r1、电阻r2和电阻r3，所述电阻r1和电阻r2连接，其之间的电路节点上连接至所述pnp型三极管q2基极，所述电阻r2的另一端接至所述n沟道mos管q1的源极，所述电阻r3的一端连接所述n沟道mos管q1的栅极g，其另一端连接所述电阻r1的另一端并接地；
24.有极性电容c1，该有极性电容的正极连接至所述n沟道mos管q1的栅极g，其负极端连接至所述电阻r3的接地端；
25.电容c2，一端接至所述n沟道mos管q1的漏极d，其另一端连接至所述电阻r3的接地端。
26.本实施例的一种优选技术方案：所述n沟道mos管q1的型号为cj3401。
27.本实施例的一种优选技术方案：所述pnp型三极管q2的型号为8550。
28.本实施例的一种优选技术方案：所述电阻r1和电阻r2的阻值满足：pnp型三极管q2的基极电压等于r1/(r1 r2)倍的输入电压。
29.实施例2：
30.pnp型三极管q2的基极电压等于r1/(r1 r2)倍的输入电压，当pnp型三极管q2的集电极与pnp型三极管q2的基极的压差大于pnp型三极管q2的p结开启电压时，pnp型三极管q2
处于导通状态；pnp型三极管q2的发射极与n沟道mos管q1的栅极相连，从而此时pnp型三极管q2处于导通时，而n沟道mos管q1处于截止状态，从而切断输入电压与后面电路的联系。通过调整电阻r1与电阻r2的阻值比，本实用新型可以调整需要保护的电压起始点，使输入电压高于电压范围时，进而使输出电压为零，保护电子产品不会因为高压而烧坏。
31.综上所述，本实用新型的电路带充电输入高压保护，在电路中设置n沟道mos管q1、pnp型三极管q2、三个电阻和两个电容，当输入电压在正常范围内时，pnp型三极管q2处于截止状态n沟道mos管q1处于导通状态，输出电压等于输入电压。当输入电压超过正常范围时，pnp型三极管q2处于导通状态，n沟道mos管q1处于截止状态，输出电压为零从而保护后面的电路不受到损伤。
32.以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。


技术特征：
1.一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，包括：一个n沟道mos管q1，所述n沟道mos管q1的源极接入电源输入端in，其漏极接电源输出端out；一个pnp型三极管q2，所述pnp型三极管q2的集电极连接所述n沟道mos管q1的源极s，其发射极连接至所述n沟道mos管q1的栅极g；电阻r1、电阻r2和电阻r3，所述电阻r1和电阻r2连接，其之间的电路节点上连接至所述pnp型三极管q2基极，所述电阻r2的另一端接至所述n沟道mos管q1的源极，所述电阻r3的一端连接所述n沟道mos管q1的栅极g，其另一端连接所述电阻r1的另一端并接地；有极性电容c1，该有极性电容的正极连接至所述n沟道mos管q1的栅极g，其负极端连接至所述电阻r3的接地端；电容c2，一端接至所述n沟道mos管q1的漏极d，其另一端连接至所述电阻r3的接地端。2.根据权利要求1所述的一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，所述n沟道mos管q1的型号为cj3401。3.根据权利要求1所述的一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，所述pnp型三极管q2的型号为8550。4.根据权利要求1所述的一种带充电输入高压保护的电路，其特征在于，所述电阻r1和电阻r2的阻值满足：pnp型三极管q2的基极电压等于r1/(r1 r2)倍的输入电压。

技术总结
本实用新型公开了一种带充电输入高压保护的电路，本实用新型的电路带充电输入高压保护，在电路中设置N沟道MOS管Q1、PNP型三极管Q2、三个电阻和两个电容，当输入电压在正常范围内时，PNP型三极管Q2处于截止状态N沟道MOS管Q1处于导通状态，输出电压等于输入电压。当输入电压超过正常范围时，PNP型三极管Q2处于导通状态，N沟道MOS管Q1处于截止状态，输出电压为零从而保护后面的电路不受到损伤。压为零从而保护后面的电路不受到损伤。压为零从而保护后面的电路不受到损伤。


技术研发人员：霍新明
受保护的技术使用者：深圳派特科技有限公司
技术研发日：2021.06.09
技术公布日：2021/11/15