一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构的制作方法

技术特征：
1.一种nand闪存芯片的边缘封装结构，其特征在于，包括存储区和围绕所述存储区的边缘区；所述封装结构还包括：衬底基板；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层位于所述衬底基板上的一侧表面上，且所述缓冲绝缘层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；电路布线层，所述电路布线层位于所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，所述电路布线层包括第一介电层，金属层，第二介电层；所述第一介电层位于所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，且所述第一介电层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；所述第二介电层位于所述第一介电层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上，且所述第二介电层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；所述金属层位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，且所述金属层仅位于所述存储区内未延伸至所述边缘区；边缘区功能层包括覆盖所述边缘区的所述缓冲绝缘层、所述第一介电层以及所述第二介电层，其中所述边缘区功能层中的至少一层，沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大；nand闪存芯片，所述nand闪存芯片位于所述电路布线层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上，且所述nand闪存芯片仅位于所述存储区内未延伸至所述边缘区；薄膜封装层，所述薄膜封装层包括层叠设置的有机层和无机层，所述薄膜封装层为位于所述nand闪存芯片与所述电路布线层上方，且所述薄膜封装层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层以及所述第一介电层的厚度配置为均匀的，所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层的厚度配置为均匀的，所述第一介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大，所述第二介电层配置为共形的设置在所述第一介电层的表面。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大，所述第一介电层配置为共形的设置在所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，所述第二介电层配置为共形的设置在所述第一介电层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上。5.根据权利要求1
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4任意一项所述的封装结构，其特征在于，还包括位于所述边缘区内且围绕所述存储区设置的一挡墙结构，所述挡墙结构的截面形状配置为正梯形；所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐减小的表面与水平方向形成第一夹角，所述第一夹角的大小配置为13
°
至24
°
；所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐增大的表面与水平方向形成第二夹角，所述第二夹角的大小配置为13
°
至24
°
；且所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐增大的表面与所述挡墙面向于
所述存储区方向的侧壁表面形成第三夹角，所述第三夹角的大小配置为133
°
至148
°
。6.一种nand闪存芯片的边缘封装工艺，其特征在于，提供一封装结构，所述封装结构包括存储区和围绕所述存储区的边缘区；所述封装结构还包括衬底基板；提供一缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层形成于所述衬底基板上的一侧表面上，且所述缓冲绝缘层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；提供一电路布线层，所述电路布线层形成于所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，所述电路布线层包括第一介电层，金属层，第二介电层；所述第一介电层位于所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，且所述第一介电层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；所述第二介电层位于所述第一介电层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上，且所述第二介电层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区；所述金属层位于所述第一介电层与所述第二介电层之间，且所述金属层仅位于所述存储区内未延伸至所述边缘区；提供一边缘区功能层，所述边缘区功能层包括覆盖所述边缘区的所述缓冲绝缘层、所述第一介电层以及所述第二介电层，其中所述边缘区功能层中的至少一层，沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大；提供一nand闪存芯片，所述nand闪存芯片形成于所述电路布线层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上，且所述nand闪存芯片仅位于所述存储区内未延伸至所述边缘区；提供一薄膜封装层，所述薄膜封装层包括层叠设置的有机层和无机层，所述薄膜封装层为形成于所述nand闪存芯片与所述电路布线层上方，且所述薄膜封装层覆盖所述存储区且延伸覆盖至所述边缘区。7.根据权利要求6所述的封装工艺，其特征在于，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层以及所述第一介电层的厚度配置为均匀的，所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大。8.根据权利要求6所述的封装工艺，其特征在于，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层的厚度配置为均匀的，所述第一介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大，所述第二介电层配置为共形的设置在所述第一介电层的表面。9.根据权利要求6所述的封装工艺，其特征在于，所述边缘区功能层中的所述缓冲绝缘层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大，所述第一介电层配置为共形的设置在所述缓冲绝缘层背离于所述衬底基板的一侧表面上，所述第二介电层配置为共形的设置在所述第一介电层背离于所述缓冲绝缘层的一侧表面上。10.根据权利要求6
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9任意一项所述的封装工艺，其特征在于，还包括位于所述边缘区内且围绕所述存储区设置的一挡墙结构，所述挡墙结构的截面形状配置为正梯形；所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐减小的表面与水平方向形成第一夹角，所述第一夹角的大小配置为13
°
至24
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；所述第二介电层沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐增大的表面与水平方向形成第二夹角，所述第二夹角的大小配置为13
°
至24
°
；且所述第二介电层沿着背离于
所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度逐渐增大的表面与所述挡墙面向于所述存储区方向的侧壁表面形成第三夹角，所述第三夹角的大小配置为133
°
至148
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。

技术总结
本发明公开了一种NAND闪存芯片的边缘封装工艺及其结构，包括存储区和围绕所述存储区的边缘区；边缘区功能层包括覆盖所述边缘区的所述缓冲绝缘层、所述第一介电层以及所述第二介电层，其中所述边缘区功能层中的至少一层，沿着背离于所述存储区的方向，其垂直于所述衬底基板方向上的厚度先逐渐减小再逐渐增大；增加了容纳有机层的体积，可有效的防止有机层材料向外扩散溢出。同时将边缘区功能层的上表面与挡墙的夹角配置成较大的角度，有利于在采用喷墨打印的方式形成有机层时，有机层材料能够完全浸润其夹角，防止产生空气隙，大大提高了封装信赖性。封装信赖性。封装信赖性。


技术研发人员：张光明 王延 华毅 陈登兵 蒋达 朱云康
受保护的技术使用者：太极半导体（苏州）有限公司
技术研发日：2021.07.19
技术公布日：2021/11/14