包含羟基芳基末端的聚合物的药液耐性保护膜形成用组合物的制作方法

技术特征：
1.一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(b)与2官能以上的产质子化合物(c)的反应生成物(p)包含下述式(1)所示的结构，所述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(s)，＊
‑
y
‑
ar
‑
(oh)
n
ꢀꢀꢀ
式(1)在式(1)中，ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，
‑
y
‑
表示
‑
oco
‑
、
‑
o
‑
或
‑
s
‑
，*表示与所述反应生成物(p)分子末端的结合部分。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述2官能以上的产质子化合物(c)具有选自羟基、羧基、硫醇基、氨基和酰亚胺基中的官能团。3.根据权利要求1所述的保护膜形成用组合物，所述2官能以上的产质子化合物(c)为酸二酐。4.根据权利要求1～3中任一项所述的保护膜形成用组合物，所述反应生成物(p)包含下述式(2)所示的结构单元，在式(2)中，q1和q2表示2价有机基，a1～a6表示氢原子、甲基或乙基。5.根据权利要求4所述的保护膜形成用组合物，所述式(2)的q1由下述式(3)表示，
‑
z1‑
r2‑
z1‑ꢀꢀ
式(3)在式(3)中，r2表示直接键合、可以被
‑
o
‑
、
‑
s
‑
或
‑
s
‑
s
‑
中断的碳原子数1～10的亚烷基、碳原子数2～6的亚烯基、或具有至少1个碳原子数3～10的脂环式烃环或碳原子数6～14的芳香族烃环的二价有机基，所述二价有机基可以被选自碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基、碳原子数2～6的炔基、卤原子、羟基、硝基、氰基、亚甲基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～6的烷氧基羰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个基团取代；z1和z1各自表示
‑
coo
‑
、
‑
oco
‑
、
‑
o
‑
、
‑
s
‑
中的任一者。6.根据权利要求4或5所述的保护膜形成用组合物，所述式(2)的q2由下述式(4)表示，在所述式(4)中，r1表示直接键合或碳原子数1～5的亚烷基，n1和m表示0或1的整数，z2由下述式(5)、式(6)或式(7)表示，在所述式(6)中，x由下述式(8)、式(9)或式(10)表示，
在式(8)、式(9)和式(10)中，r
11
、r
12
、r
13
、r
14
和r
15
各自独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，所述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、硝基、氰基、碳原子数1～6的烷氧基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少1个取代，r
13
与r
14
可以彼此结合而形成碳原子数3～6的环。7.根据权利要求1～6中任一项所述的保护膜形成用组合物，所述ar包含苯、萘和蒽结构。8.根据权利要求1～7中任一项所述的保护膜形成用组合物，所述n为2～4的整数。9.根据权利要求1～8中任一项所述的保护膜形成用组合物，其还包含交联剂(k)。10.根据权利要求9所述的保护膜形成用组合物，所述交联剂(k)为选自下述式(11)或式(12)所示的化合物、三聚氰胺化合物、胍胺化合物、甘脲化合物和脲化合物中的化合物，在式(11)和式(12)中，q2表示单键或m2价有机基；r8、r9、r
11
和r
12
各自表示氢原子或甲基，r7和r
10
各自表示碳原子数1～10的烷基、或碳原子数6～40的芳基；n9表示1≤n9≤3的整数，n10表示2≤n10≤5的整数，n11表示0≤n11≤3的整数，n12表示0≤n12≤3的整数，且3≤(n9 n10 n11 n12)≤6；n13表示1≤n13≤3的整数，n14表示1≤n14≤4的整数，n15表示0≤n15≤3的整数，n16表示0≤n16≤3的整数，且2≤(n13 n14 n15 n16)≤5；m2表示2～10的整数。11.根据权利要求1～10中任一项所述的保护膜形成用组合物，其还包含交联催化剂。12.根据权利要求1～11中任一项所述的保护膜形成用组合物，其还包含表面活性剂。13.一种保护膜，其特征在于，是由权利要求1～12中任一项所述的保护膜形成用组合物形成的涂布膜的烧成物。14.一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其特征在于，在半导体的制造中使用，所述带有抗蚀剂图案的基板的制造方法包含下述工序：将权利要求1～13中任一项所述的保护膜形成用组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成作为抗蚀剂下层膜的保护膜的工序；在该保护膜上形成抗蚀剂膜，接着进行曝光、显影而形成抗蚀剂图案的工序。15.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在表面可以形成有无机膜的半导体基板上，使用权利要求1～13中任一项所述的保护膜形成用组合物而形成保护膜，在所述保
护膜之上形成抗蚀剂图案，以所述抗蚀剂图案作为掩模对所述保护膜进行干蚀刻而使所述无机膜或所述半导体基板的表面露出，以干蚀刻后的所述保护膜作为掩模，使用半导体用湿蚀刻液对所述无机膜或所述半导体基板进行湿蚀刻并进行清洗的工序。

技术总结
本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，


技术研发人员：小田切薰敬 西田登喜雄 远藤贵文 远藤勇树 岸冈高广
受保护的技术使用者：日产化学株式会社
技术研发日：2020.04.09
技术公布日：2021/11/14