一种二维纳米片的制备方法与流程

技术特征：
1.一种二维纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在惰性气体中煅烧二维材料，煅烧条件为：850～900℃，1.5～2.5h；(2)取煅烧后的二维材料进行等离子溅射处理得到羟基化的二维材料；(3)将羟基化的二维材料加入溶剂中，然后以细胞超声粉碎仪进行处理；(4)离心、取上清液进行抽滤，干燥，得到所述二维纳米片。2.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，惰性气体的气流量为80～150sccm。3.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，以空气等离子体溅射至少30min。4.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，溶剂包含n,n
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二甲基甲酰胺、n
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甲基吡咯烷酮、异丙醇、乙醇、水中的至少一种。5.如权利要求4所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述溶剂为n,n
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二甲基甲酰胺。6.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，羟基化的二维材料的质量与溶剂的体积之比为：1～3mg/ml。7.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，超声时间与间隙时间的比值为：1:1～1.5，总工作时间为7～9h。8.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在1300～1700rpm的转速下离心8～15min。9.如权利要求1所述的二维纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在真空干燥箱中进行干燥。

技术总结
本发明公开了一种二维纳米片的制备方法，涉及纳米材料技术领域。本发明所述二维纳米片的制备方法包括如下步骤：(1)在惰性气体中煅烧二维纳米材料，煅烧条件为：850～900℃，1.5～2.5h；(2)取煅烧后的二维纳米材料进行等离子溅射处理得到羟基化的二维纳米材料；(3)将羟基化的二维纳米材料加入溶剂中，然后以细胞超声粉碎仪进行处理；(4)取上清液进行抽滤，干燥，得到所述二维纳米片。本发明所述二维纳米片的制备方法简单高效，并且制备的纳米片的结构不会受到破坏。构不会受到破坏。构不会受到破坏。


技术研发人员：顾林 孙九龙
受保护的技术使用者：中山大学
技术研发日：2021.08.10
技术公布日：2021/11/9