JFET器件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种jfet器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的外延层；位于所述外延层中的隔离结构、第一类阱、第二类阱、第一类掺杂区域、第二类掺杂区域，所述第二类阱被所述第一类阱包围，所述第一类掺杂区域位于所述第二类阱中且所述第一类掺杂区域靠近所述第二类阱的边缘，所述第二类掺杂区域位于所述第一类阱中且所述第二类掺杂区域靠近所述第二类阱的边缘；场板结构，所述场板结构覆盖所述第一类掺杂区域和所述第一类掺杂区域内的隔离结构；所述第二类阱和所述外延层中形成有第二类重掺杂区，所述第二类掺杂区域中形成有第一类重掺杂区；位于所述第一类重掺杂区、所述第二类重掺杂区和所述场板结构顶部的金属电极。2.根据权利要求1所述的jfet器件，其特征在于，还包括第二类辅助阱，所述第二类辅助阱位于所述第二类阱中，所述第二类辅助阱的掺杂浓度大于所述第二类阱的掺杂浓度。3.根据权利要求1或2所述的jfet器件，其特征在于，所述场板结构由氧化层、多晶硅层构成。4.根据权利要求3所述的jfet器件，其特征在于，所述场板结构中的所述多晶硅层为掺杂多晶硅层。5.根据权利要求1至4任一所述的jfet器件，其特征在于，所述衬底上形成有第二类区域，所述外延层位于所述第二类区域的上方。6.根据权利要求1至5任一所述的jfet器件，其特征在于，所述第一类阱、所述第一类掺杂区域、所述第一类重掺杂区的导电类型为第一导电类型；所述外延层、所述第二类阱、所述第二类掺杂区域、所述第二类重掺杂区的导电类型为第二导电类型；所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。7.一种jfet器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成外延层；在所述衬底上形成隔离结构；通过光刻和离子注入工艺，在所述衬底上形成第一类阱、第二类阱、第一类掺杂区域、第二类掺杂区域，所述第一类阱位于所述外延层中，所述第二类阱被所述第一类阱包围，所述第一类掺杂区域位于所述第二类阱中且所述第一类掺杂区域靠近所述第二类阱的边缘，所述第二类掺杂区域位于所述第一类阱中且所述第二类掺杂区域靠近所述第二类阱的边缘；形成场板结构，所述场板结构覆盖所述第一类掺杂区域和所述第一类掺杂区域内的隔离结构；通过光刻和离子注入工艺，在所述第二类阱和所述外延层中形成第二类重掺杂区，在所述第二类掺杂区域中形成第一类重掺杂区；在所述第一类重掺杂区、所述第二类重掺杂区和所述场板结构的顶部形成金属电极。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第一类掺杂区域和所述第二类
掺杂区域之前，所述方法还包括：通过光刻和离子注入工艺，在所述第二类阱中形成第二类辅助阱，所述第二类辅助阱的掺杂浓度大于所述第二类阱的掺杂浓度。9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，用于形成所述第一类掺杂区域的注入能量小于用于形成所述第二类阱的注入能量，用于形成所述第一类掺杂区域的注入剂量小于用于形成所述第二类阱的注入剂量；用于形成所述第二类掺杂区域的注入能量小于用于形成所述第一类阱的注入能量，用于形成所述第二类掺杂区域的注入剂量小于用于形成所述第一类阱的注入剂量。10.根据权利要求7至9任一所述的方法，其特征在于，所述形成场板结构，包括：在所述衬底上形成氧化层；在所述氧化层表面形成多晶硅层；通过光刻工艺定义场板结构图案；根据所述场板结构图案刻蚀所述多晶硅层和所述氧化层，形成所述场板结构。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述通过光刻工艺定义场板结构图案之前，所述方法还包括：通过离子注入工艺，对所述多晶硅层进行掺杂。12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成外延层，包括：在所述衬底上形成第二类区域；在所述第二类区域上形成所述外延层。13.根据权利要求7至12任一所述的方法，其特征在于，所述第一类阱、所述第一类掺杂区域、所述第一类重掺杂区的导电类型为第一导电类型；所述第二类阱、所述第二类掺杂区域、所述第二类重掺杂区的导电类型为第二导电类型；所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。

技术总结
本申请公开了一种JFET器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。该JFET器件包括衬底；位于衬底上的外延层；位于外延层中的隔离结构、第一类阱、第二类阱、第一类掺杂区域、第二类掺杂区域，第一类掺杂区域位于第二类阱中且第一类掺杂区域靠近第二类阱的边缘，第二类掺杂区域位于第一类阱中且第二类掺杂区域靠近第二类阱的边缘；场板结构及第二类重掺杂区、第一类重掺杂区；位于第一类重掺杂区、第二类重掺杂区和场板结构顶部的金属电极；解决了目前BCD工艺平台中制作的JFET器件的电学参数不满足器件需求的问题；达到了优化BCD工艺平台制作的JFET器件的击穿电压和阈值电压，优化JFET器件性能的效果。器件性能的效果。器件性能的效果。


技术研发人员：韩天宇 许昭昭
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/11/9