基于电解质调控强关联氧化物的突触三端器件的制作方法

技术特征：
1.一种基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，包括：第一电极；固态电解质层，置于所述第一电极下方，所述固态电解质层由具有离子传导性并且电绝缘的化合物或者复合物材料构成；沟道层，置于所述固态电解质层下方，所述沟道层的电阻能够根据进入所述沟道层的离子浓度而变化；第二电极、第三电极，置于所述沟道层侧边，所述第二电极、所述第三电极紧贴所述沟道层。2.根据权利要求1所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述化合物是金属盐。3.根据权利要求2所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述金属盐是锂离子固态电解质，其优选地为lisio
x
、li
12
si3p2o
20
、li2s
–
sis2和li
1 x
al
x
ge
2-x
(po4)3中的至少一种。4.根据权利要求1所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述复合物是氢元素化合物和金属盐中的一种与高分子聚合物形成的复合物。5.根据权利要求4所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述复合物是以聚乙烯醇为主体填充硫酸或高氯酸钠的复合物。6.根据权利要求4所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述复合物是高氯酸钠和聚环氧乙烯形成的复合物。7.根据权利要求1所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述沟道层由强关联氧化物材料制成。8.根据权利要求7所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述强关联氧化物材料为镍酸盐、锰酸盐、氧化铌、氧化镍和二氧化钒中的至少一种。9.根据权利要求8所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述镍酸盐是镍酸钐，所述锰酸盐是锰酸镧。10.根据权利要求1所述的基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，其中所述沟道层的厚度在1纳米到500纳米的范围。

技术总结
本发明提供一种基于固态电解质调控强关联氧化物的突触三端器件，包括：第一电极；固态电解质层，置于第一电极下方，固态电解质层由具有离子传导性并且电绝缘的化合物或者复合物材料构成；沟道层，置于固态电解质层下方，沟道层的电阻能够根据进入沟道层的离子浓度而变化；第二电极、第三电极，置于沟道层侧边，第二电极、第三电极紧贴沟道层。第三电极紧贴沟道层。第三电极紧贴沟道层。


技术研发人员：葛琛 李果 金奎娟
受保护的技术使用者：中国科学院物理研究所
技术研发日：2020.05.06
技术公布日：2021/11/8