一种真空封装LED器件的制作方法

技术特征：
1.一种真空封装led器件，其特征在于，包括：凹形支架、led芯片、光学元件；所述led芯片固定在所述凹形支架的内侧底部，所述led芯片的电极通过金线与所述凹形支架的电极连接；所述凹形支架的两凸起端部的内侧设有台阶结构，所述台阶结构上预制有金属层，所述光学元件贴合设置在所述台阶结构上，所述光学元件的两端部与所述台阶结构贴合处设有焊料层；所述凹形支架与所述光学元件封装形成真空密闭空间，所述金属层与所述焊料层结合形成共晶层。2.如权利要求1所述的真空封装led器件，其特征在于，所述凹形支架包括：陶瓷支架、smc支架、emc支架、pct支架、ppa支架中的任意一种。3.如权利要求1所述的真空封装led器件，其特征在于，所述led芯片通过银胶或硅树脂胶固定在所述凹形支架底部的中心位置。4.如权利要求1所述的真空封装led器件，其特征在于，所述金属层的厚度为10
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100um。5.如权利要求4所述的真空封装led器件，其特征在于，所述金属层为镀金层或镀银层。6.如权利要求1所述的真空封装led器件，其特征在于，所述光学元件包括：doe、diffuser、玻璃板中的任意一种。7.如权利要求6所述的真空封装led器件，其特征在于，所述光学元件为平板型或半球形的光学元件。8.如权利要求1所述的真空封装led器件，其特征在于，所述焊料层至少部分覆盖所述台阶结构的表面。9.如权利要求8所述的真空封装led器件，其特征在于，所述焊料层的厚度为2
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5um。10.如权利要求9所述的真空封装led器件，其特征在于，所述焊料层为ausn合金。

技术总结
本实用新型公开了一种真空封装LED器件，包括：凹形支架、LED芯片、光学元件；LED芯片固定在凹形支架的内侧底部，LED芯片的电极与凹形支架的电极连接；凹形支架的两凸起端部的内侧设有台阶结构，台阶结构上预制有金属层，光学元件贴合设置在台阶结构上，光学元件的两端部与台阶结构贴合处设有焊料层；凹形支架与光学元件封装形成真空密闭空间，金属层与焊料层结合形成共晶层。通过在真空环境中进行封装，使得器件内部为真空环境，避免使用过程中因器件内部空气膨胀导致器件炸裂，同时形成共晶层的均匀性、形状、厚度可以通过预制的焊料层进行控制，使器件出光效果更好。使器件出光效果更好。使器件出光效果更好。


技术研发人员：魏冬寒 孙平如
受保护的技术使用者：深圳市聚飞光电股份有限公司
技术研发日：2020.10.28
技术公布日：2021/11/5