基板处理装置、处理容器、反射体和半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种基板处理装置，具有：构成处理室的处理容器，处理气体供给部，其向所述处理容器内供给处理气体，电磁场产生电极，其与所述处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使所述处理容器内产生电磁场，加热机构，其构成为发射红外线来对所述处理室内容纳的基板进行加热，以及反射体，其配置在所述处理容器和所述电磁场产生电极之间，构成为对从所述加热机构发射的红外线进行反射。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热机构由基座加热器构成，所述基座加热器设置于在所述处理室内支撑所述基板的基座。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述加热机构由加热灯构成。4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，所述处理容器和所述反射体由透过电磁波的材料构成。5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述透过电磁波的材料为非金属材料。6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述反射体作为反射膜而构成，所述反射膜与所述处理容器的所述外周面相接而形成，并且反射所述红外线。7.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述反射体由支撑筒和反射膜构成，所述支撑筒围绕所述处理容器的所述外周面且与该外周面分离开而配置，所述反射膜与所述支撑筒的表面相接而形成，并且反射红外线。8.如权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述反射膜与所述支撑筒的内侧面相接而形成。9.如权利要求6～8中任一项所述的基板处理装置，其中，所述反射膜由al2o3和y2o3中的任一者或两者构成。10.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，所述反射体由反射筒构成，所述反射筒围绕所述处理容器的所述外周面且与该外周面分离开而配置，并由反射所述红外线的材料形成。11.如权利要求1～10中任一项所述的基板处理装置，其中，所述反射体设置为完全包围所述处理容器的所述外周面。12.如权利要求1～11中任一项所述的基板处理装置，其中，所述电磁场产生电极构成为：通过使所述处理容器内产生的电磁场，在所述处理容器内对所述处理气体进行等离子体激发。13.如权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述电磁场产生电极由线圈状电极构成，所述线圈状电极沿着所述处理容器的外周面卷绕而形成。14.一种处理容器，是构成基板处理装置的处理室的处理容器，
所述基板处理装置具有：处理气体供给部，其向所述处理容器的内部供给处理气体，电磁场产生电极，其与所述处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使所述内部产生电磁场，以及加热机构，其构成为发射红外线来对所述处理室内容纳的基板进行加热；对从所述加热机构发射的红外线进行反射的反射体与所述外周面相接而形成。15.一种反射体，用于基板处理装置，所述基板处理装置具有：构成处理室的处理容器，处理气体供给部，其向所述处理容器内供给处理气体，电磁场产生电极，其与所述处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使所述处理容器内产生电磁场，以及加热机构，其构成为发射红外线来对所述处理室内容纳的基板进行加热；所述反射体配置在所述处理容器和所述电磁场产生电极之间，构成为对从所述加热机构发射的红外线进行反射。16.一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：向基板处理装置的处理室内搬入基板的工序，所述基板处理装置具有：构成所述处理室的处理容器，处理气体供给部，其向所述处理容器内供给处理气体，电磁场产生电极，其与所述处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使所述处理容器内产生电磁场，和加热机构，其构成为发射红外线来对所述处理室内容纳的所述基板进行加热；向所述处理容器内供给所述处理气体的工序；通过向所述电磁场产生电极供给高频电力而使所述处理容器内产生电磁场，从而对所述处理气体进行等离子体激发的工序；和由所述等离子体激发后的所述处理气体对所述基板进行处理的工序。

技术总结
本发明提供一种技术，具有：构成处理室的处理容器；处理气体供给部，其向处理容器内供给处理气体；电磁场产生电极，其与处理容器的外周面分离开并沿着该外周面配置，构成为通过供给高频电力而使处理容器内产生电磁场；加热机构，其构成为发射红外线来对处理室内容纳的基板进行加热；以及反射体，其配置在所述处理容器和所述电磁场产生电极之间，构成为对从加热机构发射的红外线进行反射。根据本技术，能够提高基板处理装置的加热器对基板的加热效率。率。率。


技术研发人员：稻田哲明 保井毅
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：2019.03.20
技术公布日：2021/11/5