多束检查装置的制作方法

技术特征：
1.一种微结构偏转器阵列，所述微结构偏转器阵列包括多个多极结构，每个多极结构包括多个极电极，所述阵列包括：所述多个多极结构中的多极结构的第一组，多极结构的所述第一组具有距所述阵列的中心轴线的径向偏移的第一集合，其中所述第一组中的每个多极结构包括相同数量的对应极电极；以及所述多个多极结构中的多极结构的第二组，多极结构的所述第二组具有距所述阵列的中心轴线的径向偏移的第二集合，其中所述第二组中的每个多极结构包括相同数量的对应极电极，其中所述第一组中的多极结构包括比所述第二组中的多极结构更多数量的极电极，并且其中所述第一组和所述第二组中的每一者包括一个或多个多极结构。2.根据权利要求1所述的阵列，其中径向偏移的所述第一集合中的径向偏移的最小值高于径向偏移的所述第二集合中的径向偏移的最大值。3.根据权利要求1所述的阵列，其中所述多个多极结构被配置为基本上同时偏转多个带电粒子束。4.根据权利要求3所述的阵列，其中多极结构的所述第一组包括：多极结构的第一子组，被电连接到第一驱动器并由所述第一驱动器驱动，其中多极结构的所述第一子组的径向偏移和取向角度基本相等。5.根据权利要求4所述的阵列，其中多极结构的所述第二组包括：多极结构的第二子组，被电连接到第二驱动器并由所述第二驱动器驱动，其中多极结构的所述第二子组的径向偏移和取向角度基本相等。6.根据权利要求5所述的阵列，其中所述第一驱动器和所述第二驱动器中的驱动器被配置为使得对应的多极结构能够偏转多束装置中的所述多个带电粒子束，并且其中所述多个多极结构还被配置作为所述多束装置中的成像元件或预弯曲微偏转器。7.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一组中的多极结构具有的内径大于所述第二组中的多极结构的内径。8.根据权利要求3所述的阵列，其中所述第一组和所述第二组被布置在所述阵列的第一层中，并且其中所述阵列还包括第二层，所述第二层包括多极结构的第三组，多极结构的所述第三组具有距所述阵列的所述中心轴线的第三径向偏移。9.根据权利要求8所述的阵列，其中所述第三径向偏移不同于径向偏移的所述第一集合或径向偏移的所述第二集合。10.根据权利要求8所述的阵列，其中所述第三多极结构的极电极的数量不同于或等于多极结构的所述第一组中的多极结构的极电极的数量。11.根据权利要求8所述的阵列，其中所述多个带电粒子束中的一个带电粒子束被所述第一层中的多极结构偏转，并且所述多个带电粒子束中的另一个带电粒子束被所述第二层中的多极结构偏转。12.根据权利要求8所述的阵列，其中所述多个带电粒子束中的一个带电粒子束被串联的所述第一层中的多极结构和所述第二层中的多极结构偏转，并且所述第一层中的所述多极结构和所述第二层中的所述多极结构彼此对准。13.根据权利要求8所述的阵列，其中：
所述多个带电粒子束中的第一射束被所述第一层中的多极结构偏转并且不被所述第二层中的任何多极结构偏转，所述多个带电粒子束中的第二射束被所述第二层中的多极结构偏转并且不被所述第二层中的任何多极结构偏转，以及所述多个带电粒子束中的第三射束被串联的所述第一层中的多极结构和所述第二层中的多极结构偏转。14.一种源转换单元，所述源转换单元在带电粒子束系统中，其中所述源转换单元包括微结构偏转器阵列，所述微结构偏转器阵列包括多个多极结构，所述多极结构中的每个多极结构包括多个极电极，所述阵列包括：所述多个多极结构中的多极结构的第一组，多极结构的所述第一组具有距所述阵列的中心轴线的径向偏移的第一集合，其中所述第一组中的每个多极结构包括相同数量的极电极；以及所述多个多极结构中的多极结构的第二组，多极结构的所述第二组具有距所述阵列的所述中心轴线的径向偏移的第二集合，其中所述第二组的每个多极结构包括相同数量的极电极，其中径向偏移的所述第一集合不同于径向偏移的所述第二集合，其中所述第一组中的多极结构包括比所述第二组中的多极结构更多数量的极电极，并且其中所述第一组和所述第二组中的每一者包括一个或多个多极结构。15.根据权利要求14所述的源转换单元，其中所述第一组和所述第二组被布置在所述阵列的第一层中，所述阵列还包括第二层，所述第二层包括多极结构的第三组，多极结构的所述第三组具有距所述阵列的所述中心轴线的第三径向偏移。

技术总结
公开了微结构偏转器阵列(622)，微结构偏转器阵列(622)包括多个多极结构(622


技术研发人员：任伟明 张乾 胡学让 刘学东
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2019.11.26
技术公布日：2021/11/4