半导体存储器元件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体存储器元件，包括：一绝缘层，界定一第一主动区在一基底中；一第一掺杂区，位在该第一主动区中；一第一字元线，埋入在一第一沟槽中，该第一沟槽邻近该第一掺杂区设置；一高位面字元线接触点，位在该第一掺杂区上；以及一第一气隙，围绕该高位面位元线接触点设置；其中该第一字元线包括一下电极结构以及一上电极结构，该上电极结构位在该下电极结构上；以及其中该上电极结构包括一源极层、一导电层以及一功函数调整层，该源极层大致覆盖该第一沟槽的一侧壁，该导电层位在该源极层上，该功函数调整层设置在该源极层与该导电层之间。2.如权利要求1所述的半导体存储器元件，还包括：一第二字元线，埋入在一第二沟槽中，该第二沟槽位在该基底的一第二主动区中，该第二主动区与该第一主动区通过该绝缘层而相互分开设置；一第二掺杂区，位在邻近该第二字元线处；一低位面位元线，位在该第二掺杂区上；以及一第二气隙，位在邻近该低位面位元线处。3.如权利要求2所述的半导体存储器元件，还包括：一高位面位元线，位在该高位面位元线接触点上；以及一低位面位元线接触点，位在该低位面位元线与该第二主动区之间；其中该低位面位元线接触点的一高度是低于该高位面位元线接触点的一高度。4.如权利要求3所述的半导体存储器元件，其中，该低位面位元线的一宽度是大于该低位面位元线接触点的一宽度。5.如权利要求3所述的半导体存储器元件，其中，该高位面位元线的一宽度是大于该高位面位元线接触点的一宽度。6.如权利要求3所述的半导体存储器元件，其中，该高位面位元线接触点的一高度是大致相同于该低位面位元线接触点与该低位面位元线的一结合高度。7.如权利要求3所述的半导体存储器元件，其中，该高位面位元线接触点的一上表面以及该低位面位元线的一上表面大致在相同的一位面。8.如权利要求3所述的半导体存储器元件，其中，该高位面位元线非对称地位在该高位面位元线接触点上。9.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中，该下电极结构的一功函数是高于该上电极结构的一功函数。10.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中，该功函数调整层保形地覆盖该源极层的一内侧壁。11.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中，该源极层延伸在该下电极结构与该导电层之间，以覆盖该下电极结构的一上表面。12.如权利要求1所述的半导体存储器元件，其中，该功函数调整层包含一金属或一金属氮化物，且其中该功函数调整元素包含镧。
13.一种半导体存储器元件的制备方法，包括：形成一绝缘层以界定一第一主动区在一基底中；形成一第一掺杂区在该第一主动区中；形成一第一字元线以埋入在一第一沟槽中，该第一沟槽邻近该第一掺杂区设置；形成一高位面位元线接触点以位在该第一掺杂区上；以及形成一第一气隙以围绕该高位面位元线接触点；其中形成该第一字元线包括：形成一下电极结构以及一上电极结构，该上电极结构位在该下电极结构上；其中形成该上电极结构包括：形成一源极层以大致覆盖该第一沟槽的一侧壁；形成一导电层在该源极层上；以及形成一功函数调整层以位在该源极层与该导电层之间。14.如权利要求13所述的半导体存储器元件的制备方法，还包括：形成一第二掺杂区在该基底的一第二主动区中，该第二主动区与该第一主动区通过该绝缘层而分开设置；形成一第二字元线以埋入在一第二沟槽中，该第二沟槽邻近该第二掺杂区设置；形成一低位面位元线在该第二掺杂区上；以及形成一第二气隙以邻近该低位面位元线。15.如权利要求14所述的半导体存储器元件的制备方法，还包括：形成一高位面位元线在该高位面位元线接触点上；以及形成一低位面位元线接触点在该低位面位元线与该第二掺杂区之间；其中该低位面位元线接触点的一高度是小于该高位面位元线接触点的一高度。16.如权利要求15所述的半导体存储器元件的制备方法，其中，该第一气隙与该第二气隙为一体成形，且该低位面位元线接触点、该低位面位元线以及该高位面位元线接触点为一体成形。17.如权利要求15所述的半导体存储器元件的制备方法，其中，该高位面位元线接触点的一上表面以及该低位面位元线的一上表面大致位在相同位面。18.如权利要求13所述的半导体存储器元件的制备方法，其中，该下电极结构的一功函数是高于该上电极结构的一功函数。19.如权利要求13所述的半导体存储器元件的制备方法，其中，该功函数调整层保形地覆盖该源极层的一内侧壁。20.如权利要求13所述的半导体存储器元件的制备方法，其中，该功函数调整层包含一金属或一金属氮化物，且其中该功函数调整元素包含镧。

技术总结
本公开提供一种半导体存储器元件及其制备方法。该半导体存储器元件具有一绝缘层、一第一掺杂区、一第一字元线、一高位面位元线接触点以及一第一气隙，该绝缘层界定一第一主动区在一基底中，该第一掺杂区位在该第一主动区中，该第一字元线埋置在一第一构槽中，该第一沟槽邻近该第一掺杂区设置，该高位面位元线接触点位在该第一掺杂区上，该第一气隙围绕该高位面位元线接触点设置；其中该第一字元线包括一下电极结构以及一上电极结构，该上电极结构位在该下电极结构上；其中该上电极结构包括一源极层、一导电层以及一功函数调整层，该源极层大致覆盖该第一沟槽的一侧壁，该导电层位在该源极层上，该功函数调整层设置在该源极层与该导电层之间。该导电层之间。该导电层之间。


技术研发人员：廖俊诚
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.04.14
技术公布日：2021/11/4