技术特征:
1.一种半导体装置,包括:一第一有源区及一第二有源区,布设于一基板之上;一第一源极/漏极部件,成长于该第一有源区之上;一第二源极/漏极部件,成长于该第二有源区之上;一层间电介质,布设于该第一源极/漏极部件及该第二源极/漏极部件周围;以及一隔离结构,垂直延伸穿越该层间电介质,且分离该第一源极/漏极部件及该第二源极/漏极部件。
技术总结
本公开实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括第一有源区及第二有源区,布设于基板之上。第一源极/漏极部件成长于第一有源区之上。第二源极/漏极部件成长于第二有源区之上。层间电介质(ILD)布设于第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件周围。隔离结构垂直延伸穿越ILD。隔离结构分离第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件。源极/漏极部件。源极/漏极部件。
技术研发人员:林大钧 叶冠麟 林俊仁 潘国华 江木吉
受保护的技术使用者:台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日:2021.06.30
技术公布日:2021/11/2
再多了解一些
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