半导体结构以及半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一衬底；一晶种层，位于该衬底上；一缓冲层，位于该晶种层上；一背阻挡层，位于该缓冲层上，并具有v族元素极性；一通道层，位于该背阻挡层上；以及一前阻挡层，位于该通道层上。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一第一导电通道与一第二导电通道分别位于该通道层与该前阻挡层的界面处与该通道层与该背阻挡层的界面处。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该背阻挡层具有杂质，且该杂质为p型杂质。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该背阻挡层为包括铝的iii-v族化合物。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该背阻挡层包括氮化铝镓、氮化铝、氮化铝铟、氮化铝镓铟或其组合。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该前阻挡层与该背阻挡层具有相同的材料。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该背阻挡层为一氮极性的氮化铝镓。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该背阻挡层包括靠近该通道层的一第一背阻挡层与远离该通道层的一第二背阻挡层，其中该第一背阻挡层的材料的带隙比该第二背阻挡层的材料的带隙高。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该缓冲层包括一阻抗层，位于该背阻挡层下。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该阻抗层具有杂质，且该杂质为碳或铁。11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该背阻挡层的材料的带隙比该阻抗层的材料的带隙高。12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，该半导体结构还包括于该阻抗层上的另一背阻挡层与于该另一背阻挡层上的另一阻抗层。13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，这些阻抗层与这些背阻挡层皆具有杂质，且该杂质包括碳或铁。14.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该前阻挡层具有iii族元素极性。15.如权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，该前阻挡层为一镓极性的氮化铝镓。16.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该前阻挡层与该背阻挡层的材料的带隙皆比该通道层的材料的带隙高。17.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该通道层为非刻意掺杂的iii-v族化合物且不包括铝。18.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该衬底包括一陶瓷基材以及一对阻
隔层，该对阻隔层分别设于该陶瓷基材的上下表面。19.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该缓冲层包括一超晶格层，位于该晶种层上。20.一种半导体装置，其特征在于，包括：如权利要求1至19中任一项所述的半导体结构；一栅极电极，位于该半导体结构上；以及一源极电极和一漏极电极，分别位于栅极电极相对两侧。

技术总结
本发明提供一种半导体结构以及半导体装置，所述半导体结构包含衬底、于衬底上的晶种层、于晶种层上的缓冲层、于缓冲层上的背阻挡层、于背阻挡层上的通道层与于通道层上的前阻挡层。背阻挡层具有V族元素极性。背阻挡层具有V族元素极性。背阻挡层具有V族元素极性。


技术研发人员：陈志谚 卢钒达
受保护的技术使用者：世界先进积体电路股份有限公司
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2021/11/2