喷墨晶片结构的制作方法

本发明关于一种喷墨晶片结构，更详而言之，为一种通过供墨孔所形成二个以上贯穿孔占第二表面面积的2.5％以上，让墨水能足量进入第一孔部，以避免打印时供墨不足产生供墨中断，以稳定打印品质的喷墨晶片。

背景技术：

1、喷墨打印技术，通常称为「inkjet printing」，是一种广泛使用的印刷技术，它的历史可以追溯到1950年代，当时英国hp公司(hewlett-packard)发明了喷墨印刷技术。自那时以来，喷墨打印技术发展迅速，使得喷墨印表机成为家庭和商用印刷的主流技术，喷墨印表机拥有许多优点，包括：成本低廉，尤其在家庭和小型商业用途方面具有经济优势；较高的印刷品质，可以提供高解析度和高品质的图像，特别是在照片或图片方面；方便使用，喷墨印表机易于安装，且大多数喷墨印表机可以通过电脑或移动设备进行印刷，与近年来兴起具有多合一功能(包括传真、影印、扫描)的事务机结合以后可迅速地扩展办公室中的文书作业弹性。

2、请参阅图1a和图1b，其描述了现有已知技术中，墨水匣10与印表机之间的匹配与控制方式，在图1中，可以见到墨水匣10包括了一可挠性电路板100，在可挠性电路板100的上则设有一喷墨晶片100a，其上于中央处设有长形供墨孔110a及位于其二侧的多个喷孔120a，让喷墨晶片100a呈左右对称状，以及对应喷墨晶片100a并用以传输印表机控制信号的数个电路板接点(图中未示出)，而所述喷墨晶片100a存储墨水匣序号、墨水类型、喷墨头-印表机间匹配讯息等信息，并同时控制喷射墨滴由喷孔120a喷出以进行打印。

3、该喷墨晶片100a为长条型，且长形供墨孔110a贯穿了大部分的长度，使得喷墨晶片100a左、右两边仅于上、下两侧形成延伸连续状，由于供墨孔110a贯穿了上、下表面，因此，其使得结构因为中央挖空无法连续，阻断了应力传导路径，且应力承受体积缩减，使得支撑力不足，由于应力会集中于长形供墨孔110a上、下两侧的喷墨晶片100a延伸连续处产生应变，因此喷墨晶片100a在生产过程中容易产生碎裂的问题，导致良率降低。

4、然而，承上述，尽管现有时点的喷墨打印技术能够满足目前学校、办公文书、3d打印、工业上的各种输出需求，但目前消费市场上对于喷墨打印中的各种打印性能，例如色泽、解析度、打印范围、打印速度的需求日益严苛，一般产业的现况上仍不断追求上述的喷墨打印性能以保持产业利用性的竞争力仍有很大的需求，因此就现行市场的状况，依然亟需要不断针对打印速度、供墨速度等性能做出改良优化，有鉴于此，上揭需求遂成为了本发明所需探讨的课题。

技术实现思路

1、本发明的主要目的是提供一种喷墨晶片结构，借由纵向延伸的一供墨孔凹陷形成于该喷墨晶片第一表面贯穿至第二表面，该供墨孔形成位于第二表面的二个以上贯穿孔，且该二个以上贯穿孔占第二表面面积的2.5％以上，通过增大该二个以上贯穿孔的面积，提供足量的墨水进入第一孔部，以避免打印时因供墨不足产生供墨中断，以达到稳定打印品质，其详细的技术方案，则请参阅如后述。

2、本发明的一实施例为提供一种喷墨晶片结构，包括：一第一表面、一第二表面、一供墨孔、多个喷孔，其中该供墨孔包括一第一孔部、一第二孔部，该第一孔部由该第一表面朝该第二表面凹陷，该第二孔部由该第一孔部底面凹陷贯通至该第二表面，且该第二孔部二侧壁之间横向延伸有至少一个连接肋，该至少一个连接肋分隔该第二孔部形成二个以上的贯穿孔，该二个以上贯穿孔位于第二表面，且该二个以上贯穿孔占第二表面面积的2.5％以上，且该非线路区的宽度为400μm以上。

3、根据本发明的一实施例，所述喷墨晶片的第二表面上相邻二贯穿孔之间的间隔距离为30μm以上。

4、根据本发明的一实施例，所述两纵向相邻的喷孔的垂直距离范围介于80μm及90μm之间。

5、根据本发明的一实施例，所述两纵向相邻的喷孔的垂直距离范围介于40μm及45μm之间。

6、根据本发明的一实施例，所述多个喷孔于纵向排列的距离范围介于24000μm及26000μm之间。

7、根据本发明的一实施例，所述多个喷孔于纵向排列下，单排的喷孔个数为300个以上。

8、根据本发明的一实施例，所述多个喷孔于纵向排列下，单排的喷孔个数为600个以上。

9、根据本发明的一实施例，所述该喷墨晶片包括：晶片基板、热障层、加热电阻层、导电层、保护层、障壁层，以及喷孔片依序推叠形成一堆叠架构，其中保护层和障壁层中间具有墨水腔室；多个喷孔，贯通形成于该墨水腔室顶端的该喷孔片。

1.一种喷墨晶片结构，其喷墨晶片包括：

2.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该喷墨晶片的该第二表面上相邻该二贯穿孔之间的间隔距离为30μm以上。

3.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该两纵向相邻的该喷孔的垂直距离范围介于80μm及90μm之间。

4.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该两纵向相邻的该喷孔的垂直距离范围介于40μm及45μm之间。

5.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该多个喷孔于纵向排列的距离范围介于24000μm及26000μm之间。

6.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该多个喷孔总个数为300个以上。

7.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该多个喷孔总个数为600个以上。

8.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该供墨孔的横向距离为80μm以上。

9.如权利要求1所述的喷墨晶片结构，其中该喷墨晶片包括：