非接触式处理设备、及免疫细胞活化装置与其活化结构的制作方法

本技术涉及一种细胞处理设备，尤其涉及一种非接触式处理设备、及免疫细胞活化装置与其活化结构。

背景技术：

1、现有细胞处理装置虽配置有非接触式的细胞分选机制，但是现有细胞处理装置的所述细胞分选机制并未针对免疫细胞提供有相关的活化结构。于是，本技术人认为上述缺陷可改善，提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本技术。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题在于提供一种非接触式处理设备、及免疫细胞活化装置与其活化结构，能有效地改善现有细胞处理装置所可能产生的缺陷。

2、本技术实施例公开一种非接触式处理设备，其包括：一免疫细胞活化装置，用于收容具有多个免疫细胞的一液态检体；免疫细胞活化装置包括：一活化结构，包括一第一基板、形成于第一基板的一第一电极层、及一纳米柱群；其中，纳米柱群位于活化结构的内侧且呈阶梯状分布，并且纳米柱群包括：多个第一柱组，彼此错位配置且各包括多个第一纳米柱；每个第一纳米柱具有一第一活化端，每个第一柱组的多个第一纳米柱的第一活化端定义有一第一阶面；多个第二柱组，彼此错位配置且各包括多个第二纳米柱；每个第二纳米柱具有一第二活化端，每个第二柱组的多个第二纳米柱的第二活化端定义有一第二阶面；其中，每个第二阶面沿一厚度方向相较于相邻第一阶面高出一断差，其小于任一个免疫细胞的外径；一配合结构，沿厚度方向间隔于活化结构；其中，配合结构包括一第二基板及形成于第二基板的一第二电极层；一电源装置，电耦接于第一电极层与第二电极层；其中，电源装置能驱动活化结构，使多个电荷集中于多个第一阶面与多个第二阶面之上，以令每个免疫细胞被吸引移动到至少一个第一阶面及/或至少一个第二阶面、并通过触及相对应第一活化端及/或相对应第二活化端而被活化。

3、可选地，每个第一柱组的相邻任两个第一纳米柱之间相隔有介于0.1微米～1微米之间的一第一距离，并且每个第二柱组的相邻任两个第二纳米柱之间相隔有介于0.1微米～1微米之间的一第二距离。

4、可选地，每个第一活化端形成有多个第一突起，并且每个第二活化端形成有多个第二突起。

5、可选地，每个第一柱组的多个第一纳米柱呈一第一矩阵状排列，其沿垂直厚度方向的一第一方向排成m行、并沿垂直厚度方向与第一方向的一第二方向排成n列；并且m与n各为大于1的正整数。

6、可选地，于第一方向彼此相邻的两个第一柱组之中，其中一个第一柱组的多个第一纳米柱的部分接续其中另一个第一柱组的多个第一纳米柱的部分排成l列，并且l为小于n的正整数。

7、可选地，于第一方向彼此相邻的三个第一柱组之中，位于中央的第一柱组的多个第一纳米柱的部分接续位于其一侧的第一柱组的多个第一纳米柱的部分排成l1列，并且位于中央的第一柱组的多个第一纳米柱的其余部分接续位于其另一侧的第一柱组的多个第一纳米柱的部分排成l2列；其中，l1与l2各为小于n的正整数，并且l1与l2的总和等于n。

8、可选地，每个第二柱组的多个第二纳米柱呈一第二矩阵状排列，其沿第一方向排成m行、并沿第二方向排成n列。

9、可选地，于第一方向彼此相邻的两个第二柱组之中，其中一个第二柱组的多个第二纳米柱的部分接续其中另一个第二柱组的多个第二纳米柱的部分排成l列，并且l为小于n的正整数。

10、可选地，纳米柱群包括有多个第三柱组，彼此错位配置且各包括多个第三纳米柱；每个第三纳米柱具有一第三活化端，每个第三柱组的多个第三纳米柱的第三活化端定义有一第三阶面；其中，每个第三阶面沿厚度方向相较于相邻第二阶面高出一断差，其介于3微米～12微米之间。

11、可选地，活化结构具有介于600微米～750微米之间的厚度，并且断差介于3微米～12微米之间。

12、可选地，活化结构包括有位于第一基板与纳米柱群之间的一光电层；其中，光电层能用以接收一外部环境光线，以使多个电荷集中在多个第一阶面与多个第二阶面之上。

13、可选地，活化结构包括有位于第一基板与纳米柱群之间的一光电层；其中，非接触式处理设备进一步包括有：一光驱动装置，面向免疫细胞活化装置；其中，光驱动装置能朝向活化结构照射一光线，以通过光电层形成能移动任一个免疫细胞的一介电泳图样。

14、可选地，活化结构包括有位于第一基板与纳米柱群之间的一光电层；其中，光电层能用以接收光线，以使多个电荷集中在多个第一阶面与多个第二阶面之上。

15、本技术实施例也公开一种免疫细胞活化装置，其用于收容具有多个免疫细胞的一液态检体，并且免疫细胞活化装置包括：一活化结构，包括一第一基板、形成于第一基板的一第一电极层、及一纳米柱群；其中，纳米柱群位于活化结构的内侧且呈阶梯状分布，并且纳米柱群包括：多个第一柱组，彼此错位配置且各包括多个第一纳米柱；每个第一纳米柱具有一第一活化端，每个第一柱组的多个第一纳米柱的第一活化端定义有一第一阶面；多个第二柱组，彼此错位配置且各包括多个第二纳米柱；每个第二纳米柱具有一第二活化端，每个第二柱组的多个第二纳米柱的第二活化端定义有一第二阶面；其中，每个第二阶面沿一厚度方向相较于相邻第一阶面高出一断差，其小于任一个免疫细胞的外径；一配合结构，沿厚度方向间隔于活化结构；其中，配合结构包括一第二基板及形成于第二基板的一第二电极层；

16、其中，活化结构能被驱动使多个电荷集中于多个第一阶面与多个第二阶面之上，以令每个免疫细胞被吸引移动到至少一个第一阶面及/或至少一个第二阶面、并通过触及相对应第一活化端及/或相对应第二活化端而被活化。

17、可选地，每个第一柱组的相邻任两个第一纳米柱之间相隔有介于0.1微米～1微米之间的一第一距离，并且每个第二柱组的相邻任两个第二纳米柱之间相隔有介于0.1微米～1微米之间的一第二距离。

18、可选地，每个第一活化端形成有多个第一突起，并且每个第二活化端形成有多个第二突起。

19、可选地，每个第一柱组的多个第一纳米柱呈一第一矩阵状排列，其沿垂直厚度方向的一第一方向排成m行、并沿垂直厚度方向与第一方向的一第二方向排成n列；其中，每个第二柱组的多个第二纳米柱呈一第二矩阵状排列，其沿第一方向排成m行、并沿第二方向排成n列；其中，m与n各为大于1的正整数。

20、可选地，于第一方向彼此相邻的两个第一柱组之中，其中一个第一柱组的多个第一纳米柱的部分接续其中另一个第一柱组的多个第一纳米柱的部分排成l列，并且l为小于n的正整数。

21、可选地，活化结构具有介于600微米～750微米之间的厚度，并且断差介于3微米～12微米之间。

22、本技术实施例另公开一种免疫细胞活化装置的活化结构，包括：一第一基板、形成于第一基板的一第一电极层、及一纳米柱群；其中，纳米柱群位于活化结构的内侧且呈阶梯状分布，并且纳米柱群包括：多个第一柱组，彼此错位配置且各包括多个第一纳米柱；每个第一纳米柱具有一第一活化端，每个第一柱组的多个第一纳米柱的第一活化端定义有一第一阶面；多个第二柱组，彼此错位配置且各包括多个第二纳米柱；每个第二纳米柱具有一第二活化端，每个第二柱组的多个第二纳米柱的第二活化端定义有一第二阶面；其中，每个第一阶面沿一厚度方向相较于相邻第二阶面高出一断差，其介于3微米～12微米之间；

23、其中，活化结构能被驱动使多个电荷集中于多个第一阶面与多个第二阶面之上，以令至少一个免疫细胞被吸引移动到至少一个第一阶面及/或至少一个第二阶面、并通过触及相对应第一活化端及/或相对应第二活化端而被活化。

24、综上所述，本技术实施例所公开的非接触式处理设备、及免疫细胞活化装置与其活化结构，通过每个所述第一阶面与相邻的所述第二阶面所形成的所述断差，以利于多个所述免疫细胞可以被多个所述第一阶面与多个所述第二阶面所分离，从而通过多个所述第一活化端与多个所述第二活化端来有效地活化每个所述免疫细胞。

25、有关本技术的其它功效及实施例的详细内容，配合图式说明如下。