光学临近效应校正方法及计算机可读存储介质与流程

本技术涉及半导体，特别是一种光学临近效应校正方法及计算机可读存储介质。

背景技术：

1、随着集成电路的发展，半导体制造技术不断地朝更小的尺寸发展，半导体器件的特征尺寸甚至小于光刻工艺中所使用的光源的光波波长。在这种情况下，由于光的衍射效应，掩膜上的图案在转移时会发生变形，即发生了光学邻近效应(optical proximityeffect)。光学邻近效应会导致投影到晶圆上的实际图案与所设计的目标图案相比发生很大的差异，从而影响掩膜图案上相邻图案区域的光刻质量，进而影响电路性能和生产良品率。

2、为了消除光学邻近效应的影响，通常使用光学邻近校正(optical proximitycorrection，opc)方法。该方法利用计算机软件对欲曝光在硅片的半导体基底上的原始图案进行校正，得到与原始图案不同的目标图案，再根据此目标图案制作光掩膜，再进行光刻时，利用该光掩膜投影在半导体基底上所得到的图案可与原始图案几乎相同，从而弥补由于光学邻近效应造成的问题。

3、当前在opc模型的建模过程中，会用算法模拟光刻机中一系列的光学效应和光阻的物理化学效应，以优化对应的算法系数以及模型阈值。因此，传统修正技术中的opc模型具有非常复杂和修正时间久的缺点。

技术实现思路

1、本技术之一目的在于提供一种光学临近效应校正方法及计算机可读存储介质，并提出一种新的边缘线段切分方式，简化光学临近效应校正流程，缩减光学临近效应总修正时间。

2、第一方面，为达上述目的，本技术的一实施例提供一种光学临近效应校正方法，包括：

3、按照不同区域的局部图案线宽，对初始掩膜版中的目标图层进行区域划分，以获得局部图案线宽不同的若干个子图案区。

4、对各所述子图案区中的图案进行边缘线段切分，且不同所述子图案区所对应的边缘线段切分步长不同。

5、对各所述子图案区中的图案进行所述边缘线段切分后所获得的各边缘线段进行光学临近效应校正，且不同所述子图案区所采用的光学临近效应模型不同。

6、进一步的，所述子图案区包括第一子图案区、第二子图案区和第三子图案区；所述第一子图案区中的图案具有第一最小线宽，所述第二子图案区中的图案具有第二最小线宽，所述第三子图案区中的图案具有第三最小线宽；所述第一最小线宽小于所述第二最小线宽，所述第二最小线宽小于所述第三最小线宽。

7、进一步的，所述第一最小线宽小于或等于二分之一的光刻机曝光波长。

8、进一步的，若干个所述子图案区所对应的边缘线段切分步长，随若干个所述子图案区中图案的局部图案线宽的增大而呈逐渐递增趋势。

9、进一步的，所述第一子图案区对应第一边缘线段切分步长lmin，所述第三子图案区对应第三边缘线段切分步长lmax，所述第二子图案区对应第二边缘线段切分步长l2；

10、所述第二边缘线段切分步长l2采用如下公式计算：

11、l2=lmin+（lmax-lmin）×（1-e-kw2）；

12、其中，lmin为预设的最小边缘线段切分步长阈值；lmax为预设的最大边缘线段切分步长阈值；w2为第二子图案区中图案的线宽，且wth

13、进一步的，所述第一子图案区中的各边缘线段采用光刻胶模型进行光学临近效应校正；所述第三子图案区中的各边缘线段采用纯光学模型进行光学临近效应校正；所述光刻胶模型包括光学参数和光刻胶参数，所述纯光学模型包括光学参数。

14、进一步的，所述光学参数包括：光源波长、数值孔径、照明相干因子、光照强度、透镜像差系数、光源焦深、光聚焦平面位置、以及光学信号梯度中的至少一种；所述光刻胶参数包括：光刻胶中的酸碱浓度、酸碱扩散长度和酸碱反应速率、以及显影时间中的至少一种。

15、进一步的，所述第二子图案区中的各边缘线段采用混合模型进行光学临近效应校正；所述混合模型为随着所述第二子图案区中图案的局部图案线宽的增大，呈从所述光刻胶模型至所述纯光学模型平滑过渡趋势。

16、进一步的，所述混合模型的计算公式为：

17、δb(w2,x)=e-kw2δt1(x)+(1-e-kw2)δt2(x)；

18、其中，δb(w2,x)为从光刻胶模型至纯光学模型平滑过渡的混合模型；x为第二子图案区中边缘线段的端点位置；δt1(x)为利用光刻胶模型计算出的第二子图案区中一边缘线段对应的修正偏移量；δt2(x)为利用纯光学模型计算出的第二子图案区中一边缘线段对应的修正偏移量；w2为第二子图案区中图案的线宽，且wth

19、第二方面，本技术还提供了一种电子设备，包括处理器、通信接口、存储器和通信总线，其中，处理器，通信接口，存储器通过通信总线完成相互间的通信；存储器，用于存放计算机程序；处理器，用于执行存储器上所存放的程序时，实现如上所述的光学临近效应校正方法步骤。

20、第三方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的光学临近效应校正模型的光学临近效应校正方法步骤。

21、与现有技术相比，本技术提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：

22、如上所述，本技术提供的光学临近效应校正方法及计算机可读存储介质包括：按照不同区域的局部图案线宽，对初始掩膜版中的目标图层进行区域划分，以获得局部图案线宽不同的若干个子图案区；对各所述子图案区中的图案进行边缘线段切分，且不同所述子图案区所对应的边缘线段切分步长不同；对各所述子图案区中的图案进行所述边缘线段切分后所获得的各边缘线段进行光学临近效应校正，且不同所述子图案区所采用的光学临近效应模型不同。

23、在本技术中，首先提出按照不同区域的局部图案线宽，将初始掩膜版中的目标图层进行区域划分，即提出针对不同局部图案线宽进行区域划分，得到意想不到的效果是：指出图案发生光学邻近效应的强度和局部线宽之间存在关联，例如图案发生光学邻近效应的强度会随着局部线宽的增大而变弱，如此提出一种新的光学临近校正区域划分方式。而后针对不同子图案区的局部线宽，分别为其设置与其局部线宽相适应且不同子图案区对应不同边缘线段切分步长的切分方式，得到意想不到的效果是：基于不同子图案区发生光学邻近效应的强度的不同，为其设置步长不同的切分线段和不同的光学临近效应校正模型，如此可通过在发生高强度光学邻近效应的子图案区内设置短步长切分线段（即密集切分点），并采用更为精细修正的校正模型，以保证发生高强度光学邻近效应的子图案区的修正精度；而通过在发生低强度光学邻近效应的子图案区内设置长步长切分线段（即稀疏切分点），并采用粗糙修正的校正模型，达到缩短发生低强度光学邻近效应的子图案区的修正时间，并最终达到缩减光学临近效应总修正时间的目的。