光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备与流程

摘要: 本技术实施例涉及光学邻近效应校正,具体涉及一种光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备。背景技术:1、在半导体集成电路制造过程中,光刻工艺是决定芯片最终性...
光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备与流程

本技术实施例涉及光学邻近效应校正,具体涉及一种光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备。

背景技术:

1、在半导体集成电路制造过程中,光刻工艺是决定芯片最终性能的关键环节之一。随着集成电路特征尺寸持续缩小至深亚波长量级,光刻过程中的光学邻近效应(opticalproximity effect, ope)日益显著,导致晶圆上实际成像图形与目标版图图形之间产生不可忽视的偏差。为消除或减小该偏差,光学邻近效应校正(optical proximitycorrection, opc)技术被广泛应用于光刻掩模版图的设计与修正中。随着工艺节点的不断推进,曲线opc(curvilinear opc)逐渐成为主流技术,其能够通过引入曲线轮廓实现比传统曼哈顿式opc更高的修正精度。在曲线opc中,控制点(control point)的放置策略至关重要。曲线opc的最终修正形状由各控制点的位置及其移动轨迹决定,且边缘放置误差(edgeplacement error, epe)的计算与评估均在控制点处进行,控制点的布局直接决定了opc修正的精度上限和计算开销。

2、目前,曲线opc过程中的控制点放置主要采用全局均匀分布的固定策略。即,在获取目标版图轮廓后,现有方法通常按照预设的固定间距沿版图轮廓等距离散化,一次性生成全部控制点,后续整个opc迭代过程中控制点的数量和位置均保持不变。设计人员需预先根据经验或试错方式确定控制点的放置密度。若放置密度过高,则每轮迭代中需要计算的epe数量剧增,仿真网格细化导致计算量大幅提升,显著延长整体校正时间;若放置密度过低,则控制点数量不足以精确描述曲线轮廓的局部细节变化,尤其在图形拐角、尖端等曲率较大区域,稀疏的控制点无法有效捕捉轮廓的精细形貌,导致opc迭代收敛速度缓慢甚至不收敛。

3、由于同一版图中往往同时包含平直区域和复杂图形区域,目前的方案以单一密度覆盖全版图的方式无法兼顾不同区域的实际需求,限制了曲线opc的整体效率与精度。

技术实现思路

1、本技术实施例提供了一种光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备,可以提高曲线opc的效率。

2、第一方面,本技术实施例提供了一种光学邻近效应校正方法,包括:

3、获取目标版图轮廓,在所述目标版图轮廓上以第一预设间距均匀放置初始控制点,形成当前控制点集合;

4、基于所述当前控制点集合执行opc迭代,并在每轮迭代完成时,监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件;

5、当监测到所述当前迭代状态满足预设的触发条件时,获取所述当前控制点集合中各控制点处的局部曲率;

6、将所述局部曲率与动态阈值进行比较,并根据比较结果确定目标区域;

7、在所述目标区域中插入新控制点,以对所述当前控制点集合进行更新;

8、基于更新后的所述当前控制点集合执行opc迭代,并基于本轮迭代结果判断是否满足预设的收敛条件;

9、若不满足所述收敛条件,则返回执行监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件的步骤,直至满足所述收敛条件为止;若满足所述收敛条件,则输出最终的曲线opc版图。

10、在本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法中,所述监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件,包括:

11、判断当前迭代轮次是否达到预设周期数,以及连续两轮迭代中边缘放置误差的最大值的改善幅度是否低于预设百分比阈值;

12、当所述当前迭代轮次达到所述预设周期数,或所述改善幅度低于所述预设百分比阈值时,确定所述当前迭代状态满足预设的触发条件。

13、在本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法中,所述获取所述当前控制点集合中各控制点处的局部曲率,包括:

14、针对所述当前控制点集合中的各控制点,获取当前控制点与其相邻控制点之间边缘放置误差的一阶差分,作为所述当前控制点处的边缘放置误差梯度;

15、计算所述边缘放置误差梯度的二阶差分,将所述二阶差分的绝对值作为所述当前控制点处的局部曲率。

16、在本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法中,所述获取所述当前控制点集合中各控制点处的局部曲率,包括:

17、获取所述当前控制点集合中每个控制点与其相邻控制点之间连线所形成的线段方向角;

18、基于所述线段方向角,获取每个控制点处前后两条线段的方向角差值,作为每个控制点处的夹角变化率;

19、将每个控制点处的夹角变化率除以其前后线段长度的平均值,得到各控制点处的局部曲率。

20、在本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法中,所述在所述目标区域中插入新控制点,包括:

21、在所述目标区域所对应的控制点与其相邻控制点之间的中点位置插入新控制点。

22、在本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法中,所述新控制点的初始边缘放置误差值由所述目标区域所对应的控制点与其相邻控制点的边缘放置误差值通过线性插值获得。

23、在本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法中,所述收敛条件为所述当前控制点集合中所有控制点的边缘放置误差的最大值小于预设目标误差值,且连续两轮迭代中所述最大值的变化量小于预设极小阈值。

24、第二方面,本技术实施例提供了一种光学邻近效应校正装置,包括:

25、轮廓获取单元,用于获取目标版图轮廓,在所述目标版图轮廓上以第一预设间距均匀放置初始控制点,形成当前控制点集合;

26、第一迭代单元,用于基于所述当前控制点集合执行opc迭代,并在每轮迭代完成时,监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件;

27、曲率获取单元,用于当监测到所述当前迭代状态满足预设的触发条件时,获取所述当前控制点集合中各控制点处的局部曲率;

28、区域确定单元,用于将所述局部曲率与动态阈值进行比较,并根据比较结果确定目标区域;

29、集合更新单元,用于在所述目标区域中插入新控制点,以对所述当前控制点集合进行更新;

30、第二迭代单元,用于基于更新后的所述当前控制点集合执行opc迭代,并基于本轮迭代结果判断是否满足预设的收敛条件;若不满足所述收敛条件,则返回执行监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件的步骤,直至满足所述收敛条件为止;若满足所述收敛条件,则输出最终的曲线opc版图。

31、第三方面,本技术提供了一种存储介质,所述存储介质存储有多条指令,所述指令适用于处理器进行加载,以执行上述任一项所述的光学邻近效应校正方法。

32、第四方面,本技术提供了一种电子设备,包括存储器,处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其中,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的光学邻近效应校正方法。

33、综上所述,本技术实施例提供的光学邻近效应校正方法包括获取目标版图轮廓,在所述目标版图轮廓上以第一预设间距均匀放置初始控制点,形成当前控制点集合;基于所述当前控制点集合执行opc迭代,并在每轮迭代完成时,监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件;当监测到所述当前迭代状态满足预设的触发条件时,获取所述当前控制点集合中各控制点处的局部曲率;将所述局部曲率与动态阈值进行比较,并根据比较结果确定目标区域;在所述目标区域中插入新控制点,以对所述当前控制点集合进行更新;基于更新后的所述当前控制点集合执行opc迭代,并基于本轮迭代结果判断是否满足预设的收敛条件;若不满足所述收敛条件,则返回执行监测当前迭代状态是否满足预设的触发条件的步骤,直至满足所述收敛条件为止;若满足所述收敛条件,则输出最终的曲线opc版图。本技术实施例通过在执行opc迭代过程中动态监测迭代状态,仅在满足触发条件时才触发控制点的插入操作,避免了每轮迭代均执行曲率计算和加点所带来的额外计算开销;同时,通过基于局部曲率与动态阈值的比较结果确定目标区域并插入新控制点,使得控制点密度能够自适应于版图各区域的图形复杂度。由此,本技术在保证曲线opc精度的前提下,有效减少了不必要的计算量,加快了曲线opc的收敛速度,提升了曲线opc的整体效率。