一种抛光垫修整设备及双面抛光浆料的预处理方法与流程

本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种抛光垫修整设备及双面抛光浆料的预处理方法。

背景技术：

1、在半导体硅片制造过程中，掺硼或掺磷的重掺杂硅片因晶格中存在较多点缺陷和应力场，对金属杂质具有较强的吸杂能力。硅片吸收的金属杂质可能在后续高温制程中扩散或聚集，形成导电通路或漏电通道，甚至导致器件短路失效；还可能重新释放并污染器件有源区。

2、在双面抛光过程中，镍杂质可能来源于工艺环境和抛光浆料。当携带镍的抛光浆料与硅片接触时，浆料中的镍可能进入硅片，增加硅片的体镍含量。因此，如何降低抛光浆料中的镍含量是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

1、第一方面，本公开提供了一种用于双面抛光设备的抛光垫修整设备。该抛光垫修整设备包括：治具、金刚石修整盘以及螯合树脂盘。金刚石修整盘设置于治具的一侧，并具有露出于治具的表面的修整面。螯合树脂盘设置于治具上与金刚石修整盘相同的一侧，并具有露出于治具的表面的浆料接触面，螯合树脂盘具有用于与镍形成螯合物的螯合基团。浆料接触面用于在金刚石修整盘通过修整面修整抛光垫的过程中接触循环的抛光浆料。

2、第二方面，本公开提供了一种双面抛光浆料的预处理方法。该预处理方法包括：在对硅片进行双面抛光之前，通过抛光垫修整设备的金刚石修整盘修整双面抛光设备的抛光垫，其中，金刚石修整盘设置于抛光垫修整设备的治具的一侧，金刚石修整盘和螯合树脂盘设置于治具的同一侧，螯合树脂盘具有用于与镍形成螯合物的螯合基团；以及在修整抛光垫的过程中循环待预处理的抛光浆料，使待预处理的抛光浆料接触螯合树脂盘，获得预处理后的抛光浆料。

1.一种用于双面抛光设备的抛光垫修整设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述金刚石修整盘的数量和所述螯合树脂盘的数量相同，所述金刚石修整盘与所述螯合树脂盘沿所述治具的周向交替设置。

3.根据权利要求2所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述金刚石修整盘的数量为三个，三个所述金刚石修整盘呈三角形分布，三个所述螯合树脂盘呈三角形分布。

4.根据权利要求2所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述抛光垫修整设备还包括永磁体组，所述永磁体组的数量与所述螯合树脂盘的数量相同，各所述永磁体组分别围绕对应的所述螯合树脂盘设置。

5.根据权利要求4所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述永磁体组为钕铁硼永磁体组，多个所述永磁体组的总磁感应强度为0.7 t～0.9 t。

6.根据权利要求4所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述永磁体组设置于所述治具的内部，所述治具由非金属材料制成。

7.根据权利要求1所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述螯合基团为亚氨基二乙酸基团。

8.根据权利要求1所述的抛光垫修整设备，其特征在于，所述螯合树脂盘的直径为149.85～150.15 mm，厚度为3.9～4.1 mm。

9.一种双面抛光浆料的预处理方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的双面抛光浆料的预处理方法，其特征在于，所述抛光垫修整设备还包括永磁体组，所述永磁体组围绕所述螯合树脂盘设置。

11.根据权利要求9所述的双面抛光浆料的预处理方法，其特征在于，用于循环所述待预处理的抛光浆料的浆料站的容量为100 l；在修整所述抛光垫的过程中，从所述浆料站流出的所述待预处理的抛光浆料的累计体积大于210 l。

12.根据权利要求11所述的双面抛光浆料的预处理方法，其特征在于，从所述浆料站流出的所述待预处理的抛光浆料的流量为6～8 l/min。