用于镀膜设备的防靶材溅射装置和镀膜设备的制作方法

本申请涉及溅射镀膜领域，具体地涉及一种用于镀膜设备的防靶材溅射装置和镀膜设备。

背景技术：

1、反应等离子体沉积（reactive plasma deposition，rpd）是一种广泛应用的物理气相沉积技术，该技术通过等离子发生器与氩气等气体配合，利用高能粒子轰击靶材，使靶材的溅射粒子溅射到基片上从而形成高质量薄膜。然而，在实际应用中，靶材的溅射粒子容易沉积到rpd镀膜设备的腔体内部的其他部件上，影响镀膜设备关键部件（线圈、中心靶柱和等离子发生器）正常工作甚至镀膜设备损坏，同时会导致镀膜质量不稳定。以等离子发生器为例，这种沉积会导致等离子发生器的阻值降低，影响等离子发生器正常工作甚至导致镀膜设备损坏，同时会导致镀膜质量不稳定。此外，靶材溅射过程还会产生来源于靶材的导电金属粉末，这些导电金属粉末会干扰工艺件（包括靶材和上述镀膜设备关键部件）、镀膜设备的绝缘性能等。

2、因此，如何有效遮挡靶材溅射粒子，防止其沉积到腔体内部主要部件，如线圈、中心靶柱以及等离子发生器的表面，并防止导电金属粉末干扰绝缘性能，成为rpd镀膜设备亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供了一种用于镀膜设备的防靶材溅射装置以解决上述技术问题。

2、本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是：一种用于镀膜设备的防靶材溅射装置，所述镀膜设备的腔体内设置有线圈，所述线圈内部具有空腔，所述空腔内设置有靶柱，所述靶柱用于固定所述靶材，所述防靶材溅射装置包括：第一遮挡部件，套设在所述靶材的外侧；以及第二遮挡部件，套设在所述第一遮挡部件的外侧且位于所述线圈的上方，所述第二遮挡部件沿所述靶柱的高度方向具有第一投影，所述线圈沿所述靶柱的高度方向具有第二投影，所述第二投影位于所述第一投影的轮廓内。

3、在本申请的一实施例中，所述第二遮挡部件包括：内遮挡环和外遮挡环，所述内遮挡环和所述外遮挡环相互紧密配合。

4、在本申请的一实施例中，所述内遮挡环包括第一连接部，所述第一连接部远离所述靶柱；所述外遮挡环具有第一凹陷部，所述第一凹陷部具有靠近所述靶柱的第一端和远离所述靶柱的第二端，所述第一端的高度低于所述第二端的高度；所述第一连接部与所述第一凹陷部扣合连接，以使所述内遮挡环和所述外遮挡环相互紧密配合。

5、在本申请的一实施例中，所述内遮挡环包括第二凹陷部，所述第二凹陷部靠近所述靶柱，所述第二凹陷部具有靠近所述靶柱的第三端和远离所述靶柱的第四端，所述第三端的高度低于所述第四端的高度。

6、在本申请的一实施例中，所述第二凹陷部包括多个凹槽。

7、在本申请的一实施例中，所述第二凹陷部的上表面设有多个环状凸起结构，所述多个环状凸起结构同心分布，所述多个环状凸起结构中相邻的所述环状凸起结构之间形成所述凹槽。

8、在本申请的一实施例中，所述内遮挡环具有第一轮廓，所述外遮挡环具有第二轮廓，所述线圈具有第三轮廓，所述第一轮廓的面积小于或等于所述第二轮廓的面积，所述第二轮廓的面积大于或等于所述第三轮廓的面积。

9、在本申请的一实施例中，装置还包括密封圈，所述密封圈设置于所述内遮挡环和所述外遮挡环之间。

10、在本申请的一实施例中，所述第一遮挡部件和所述第二遮挡部件的材料包括陶瓷。

11、本申请还提供了一种镀膜设备，包括：线圈、靶材、靶柱、等离子发生器和如上所述的防靶材溅射装置。

12、本申请的防靶材溅射装置通过设置套设在靶材外侧的第一遮挡部件，能够防止溅射粒子和导电金属粉末沉积在靶材表面。通过设置第二遮挡部件，并使线圈的第二投影位于第二遮挡部的第一投影的轮廓内，能够防止溅射粒子和导电金属粉末沉积在线圈和靶柱表面。此外，由于镀膜时，溅射粒子和导电金属粉末会沉积到第一遮挡部件和第二遮挡部件的表面，降低了溅射粒子和导电粉末沉积到等离子发生器表面的可能性。因而，通过设置第一遮挡部件和第二遮挡部件，防止溅射粒子和导电粉末沉积到靶材、线圈和靶柱和等离子发生器表面，保证了关键部件的绝缘性能、从而使镀膜设备正常工作，保证了镀膜质量。

1.一种用于镀膜设备的防靶材溅射装置，所述镀膜设备的腔体内设置有线圈，所述线圈内部具有空腔，所述空腔内设置有靶柱，所述靶柱用于固定靶材，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二遮挡部件包括：内遮挡环和外遮挡环，所述内遮挡环和所述外遮挡环相互紧密配合。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述内遮挡环包括第一连接部，所述第一连接部远离所述靶柱；

4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述内遮挡环包括第二凹陷部，所述第二凹陷部靠近所述靶柱，所述第二凹陷部具有靠近所述靶柱的第三端和远离所述靶柱的第四端，所述第三端的高度低于所述第四端的高度。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第二凹陷部包括多个凹槽。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二凹陷部的上表面设有多个环状凸起结构，所述多个环状凸起结构同心分布，所述多个环状凸起结构中相邻的所述环状凸起结构之间形成所述凹槽。

7.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述内遮挡环具有第一轮廓，所述外遮挡环具有第二轮廓，所述线圈具有第三轮廓，所述第一轮廓的面积小于或等于所述第二轮廓的面积，所述第二轮廓的面积大于或等于所述第三轮廓的面积。

8.如权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括密封圈，所述密封圈设置于所述内遮挡环和所述外遮挡环之间。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一遮挡部件和所述第二遮挡部件的材料包括陶瓷。

10.一种镀膜设备，其特征在于，包括：