一种低金属杂质金属制备方法与流程

本发明涉及金属材料制备与提纯，尤其涉及一种低金属杂质金属制备方法。

背景技术：

1、高纯金属材料在半导体、真空电子、耐蚀合金等领域具有重要应用，其金属杂质含量要求极低，通常需控制在ppm级以下。现有制备工艺如电解法、氢气还原法等，普遍存在工序复杂、杂质金属引入多、能耗高等问题，难以经济高效地制备超高纯金属产品。

2、甲酸铬等金属有机盐前驱体具备较低分解温度与可控反应路径，但传统热解存在升温缓慢、杂质富集及晶粒无序等缺陷，导致产品金属杂质含量较高。

技术实现思路

1、本发明提供了一种低金属杂质金属制备方法，以解决上述现有技术的不足，显著降低外源金属杂质引入与内部杂质富集，获得高纯低杂质金属粉体。

2、为了实现本发明的目的，拟采用以下技术：

3、一种低金属杂质金属制备方法，包括步骤：

4、步骤1，甲酸铬的干燥；

5、步骤2，甲酸铬和电解铬金属粉末混合，并压制成片；

6、步骤3，将所压制的片状压坯置于焦耳热闪烧模具中，并进行闪烧；

7、步骤4，取出闪烧后的产物，并通过去离子水洗涤至洗液澄清，得金属粉末固体，并对金属粉末固体进行干燥。

8、进一步地，甲酸铬的纯度≥99.5%。

9、进一步地，甲酸铬的干燥时，120℃下鼓风干燥30分钟，干燥后使甲酸铬冷却至室温。

10、进一步地，电解铬金属粉末加入量为1.5 wt%。

11、进一步地，闪烧时，在10⁻¹ pa下以200℃至500 ℃/s的升温速率升温至1200℃，并保温10秒至30秒。

12、进一步地，对制得的金属粉末烘干时，在75℃下的真空环境中进行干燥。

13、进一步地，干燥后的金属粉末杂质总含量≤0.03%，收率≥90%。

14、上述技术方案的优点在于：

15、本发明采用纯度≥99.5%的金属有机盐（甲酸铬）作为原料，引入高纯金属晶种诱导定向成核，并通过焦耳热闪烧实现超快速升温裂解还原，显著降低外源金属杂质引入与内部杂质富集，获得高纯低杂质金属粉体。

1.一种低金属杂质金属制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的低金属杂质金属制备方法，其特征在于，甲酸铬的纯度≥99.5%。

3.根据权利要求1所述的低金属杂质金属制备方法，其特征在于，甲酸铬的干燥时，120℃下鼓风干燥30分钟，干燥后使甲酸铬冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的低金属杂质金属制备方法，其特征在于，电解铬金属粉末加入量为1.5 wt%。

5.根据权利要求1所述的低金属杂质金属制备方法，其特征在于，闪烧时，在10⁻¹ pa下以200℃至500 ℃/s的升温速率升温至1200℃，并保温10秒至30秒。

6.根据权利要求1所述的低金属杂质金属制备方法，其特征在于，对制得的金属粉末烘干时，在75℃下的真空环境中进行干燥。

7.根据权利要求1所述的低金属杂质金属制备方法，其特征在于，干燥后的金属粉末杂质总含量≤0.03%，收率≥90%。