LPCVD反应炉硅烷进气装置的制作方法

本申请涉及太阳能电池，具体而言，涉及一种lpcvd反应炉硅烷进气装置。

背景技术：

1、低压化学气相沉积，简称lpcvd(low pressure chemical vapor deposition)，该技术利用低压环境下气体源在基片表面的化学反应沉积出所需的薄膜材料，广泛应用于半导体制造、光电子、薄膜太阳能电池等领域的材料沉积工序。

2、目前，常见的lpcvd反应炉的硅烷进气管沿反应炉的长度方向插入炉管内部，通过端部的单一出气口将硅烷送入炉管内部。然而，这很容易导致硅烷在炉管内部分布不均匀，导致硅烷沉积厚度不均匀，进而造成沉积的多晶硅层的厚度不均匀，降低了硅片的良品率。

技术实现思路

1、为此，本申请提出一种lpcvd反应炉硅烷进气装置，能够提高硅烷的分布均匀性，提高了沉积的多晶硅层的厚度均匀性，提高了硅片的良品率。

2、本申请的一些实施例的lpcvd反应炉硅烷进气装置包括：反应炉，包括炉体和管体，所述管体设置于所述炉体的内部；硅烷进气管，插入所述反应炉，用于向所述管体提供硅烷；其中，所述硅烷进气管的插入所述管体的部分设有多个扩散口，多个所述扩散口沿着所述硅烷进气管的轴线方向间隔设置，且绕所述硅烷进气管的周向螺旋间隔设置。

3、可选地，相邻的两个所述扩散口沿着所述硅烷进气管的轴线方向的间距为w，满足：8cm≤w≤50cm。

4、可选地，相邻的两个所述扩散口沿着所述硅烷进气管的周向的夹角为α，满足：30°≤α≤120°。

5、可选地，所述硅烷进气管的管径为d，所述扩散口的孔径为d，满足：0.05≤d/d≤0.2。

6、可选地，所述lpcvd反应炉硅烷进气装置还包括氧气进气管，所述氧气进气管插入所述反应炉，用于向所述管体提供氧气。

7、可选地，所述氧气进气管设置有两个，两个所述氧气进气管沿着所述管体的长度方向间隔设置，所述氧气进气管设置于所述反应炉的底侧。

8、可选地，所述lpcvd反应炉硅烷进气装置还包括抽气管，所述抽气管插入所述反应炉，用于从所述管体向外抽气。

9、可选地，所述反应炉包括炉头和炉尾，所述硅烷进气管和所述抽气管设置于所述炉尾，所述炉头设有炉门。

10、可选地，所述lpcvd反应炉硅烷进气装置还包括硅烷提供装置和变径管，所述变径管包括粗端和细端，所述粗端和所述细端中的一者与所述硅烷进气管的位于所述管体外部的部分连接，另一者伸出所述炉体的外部且与所述硅烷提供装置连接。

11、可选地，所述硅烷进气管包括多个，所述硅烷进气管沿着所述管体的轴向延伸，多个所述硅烷进气管绕所述管体的轴线周向间隔设置，多个所述硅烷进气管之间形成硅片放置空间。

12、相对于现有技术，本方案具有以下有益效果：

13、本申请实施例的lpcvd反应炉硅烷进气装置的硅烷进气管包括多个扩散口，多个扩散口沿着硅烷进气管的轴线方向间隔设置，且围绕硅烷进气管的周向螺旋间隔设置，不仅能够沿着硅烷进气管的轴线方向均匀扩散硅烷，还能够绕硅烷进气管的周向均匀扩散硅烷，使硅烷在管体内部分布均匀，提高了沉积的多晶硅层的厚度均匀性，提高了硅片的良品率。

14、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

1.一种lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，相邻的两个所述扩散口(123)沿着所述硅烷进气管(120)的轴线方向的间距为w，满足：

3.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，相邻的两个所述扩散口(123)沿着所述硅烷进气管(120)的周向的夹角为α，满足：

4.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述硅烷进气管(120)的管径为d，所述扩散口(123)的孔径为d，满足：

5.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)还包括氧气进气管(130)，所述氧气进气管(130)插入所述反应炉(110)，用于向所述管体(112)提供氧气。

6.根据权利要求5所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述氧气进气管(130)设置有两个，两个所述氧气进气管(130)沿着所述管体(112)的长度方向间隔设置，所述氧气进气管(130)设置于所述反应炉(110)的底侧。

7.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)还包括抽气管(140)，所述抽气管(140)插入所述反应炉(110)，用于从所述管体(112)向外抽气。

8.根据权利要求7所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述反应炉(110)包括炉头(113)和炉尾(114)，所述硅烷进气管(120)和所述抽气管(140)设置于所述炉尾(114)，所述炉头(113)设有炉门(116)。

9.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)还包括硅烷提供装置(150)和变径管(160)，所述变径管(160)包括粗端(161)和细端(162)，所述粗端(161)和所述细端(162)中的一者与所述硅烷进气管(120)的位于所述管体(112)外部的部分连接，另一者伸出所述炉体(111)的外部且与所述硅烷提供装置(150)连接。

10.根据权利要求1所述的lpcvd反应炉硅烷进气装置(100)，其特征在于，所述硅烷进气管(120)包括多个，所述硅烷进气管(120)沿着所述管体(112)的轴向延伸，多个所述硅烷进气管(120)绕所述管体(112)的轴线周向间隔设置，多个所述硅烷进气管(120)之间形成硅片放置空间(124)。